Monte Carlo Hamiltonian: Linear Potentials

We further study the validity of the Monte Carlo Hamiltonian method. The advantage of the method,in comparison with the standard Monte Carlo Lagrangian approach, is its capability to study the excited states. Weconsider two quantum mechanical models: a symmetric one V(x) = |x|/2; and an asymmetric one V(x) = ∞, forx ＜ 0 and V(x) = x, for x ≥ 0. The results for the spectrum, wave functions and thermodynamical observables are inagreement with the analytical or Runge-Kutta calculations.     

接枝羧基的有限长碳纳米管电子结构的第一性原理研究

基于局域密度泛函理论，采用第一性原理方法，建立了对(5,5)型和(9,0)型有限长碳纳米管接枝羧基官能团的原子模型，通过计算其电子分布和态密度的变化，讨论羧基官能团对碳纳米管电子结构和电子输运特性的影响. 计算表明，接枝羧基的碳纳米管,其电子结构明显改变，其费米能级上的电子态密度下降；最高占据轨道上的非定域程度减弱,致使电子输运性能呈下降趋势. 关键词： 碳纳米管 密度泛函理论 电子结构     

磁场下含结构缺陷多组分超晶格中的局域电子态和电子输运

在有效质量近似理论下，利用转移矩阵和有效垒高方法研究了有限磁场下含结构缺陷的多组分超晶格中局域电子态的性质.在考虑各组分层有效质量的失配时，外加磁场会导致磁耦合效应的出现.磁耦合效应不仅引起局域电子能级的量子化，并且随着朗道指数或磁场强弱的变化，局域能级及其局域程度都会发生显著移动，特别是对高能区域的局域电子态影响更大.此外，还计算了电子输运系数，讨论了含结构缺陷的三组分超晶格中局域电子能级与输运谱透射禁区中的共振透射峰的关系，发现两者之间有着很好的对应关系，为相应的实验研究提供了依据. 关键词： 超晶格 局域电子态 磁场     

Al12N、Al12B团簇结构和电子性质的密度泛函计算

利用密度泛函理论研究了Al12N和Al12B团簇的原子结构和电子性质,通过各种异构体的比较,发现两种掺杂团簇的最低能量结构都是完好的二十面体(Ih)结构,N(B)原子占据在二十面体的中心.高对称性团簇形成稀疏离散的电子态密度和大的电子能隙.在Al-N之间发生较大的电荷转移.因此我们建议把Al12N团簇看作是碱金属超原子,Al12B团簇看作是卤素超原子,用来构造团簇组装固体.     

实验数据中的坏值及剔除方法

本文对实验得出的数据采用数理统计的方法进行判断,确定测试结果的正确性;对测试结果出现的坏值应给予剔除。     

EWB应用于模拟电路分析的研究

介绍了将EWB用于“模拟电子技术”的课堂教学时，虚拟实验测量结果与理论计算值不一致时，如何去分析并解决问题。     

Charge screening in valence band of solids and in the Fermi sea. Origin of weak-boson masses

Summary An attempt is made to explain the masses of Z and W^± bosons by means of a screening mechanism analogous to charge screening in metals. It considers the effect of the electroweak force on the distribution of negativekinetic-energy neutrinos, which fills the whole universe (neutrino Fermi sea). The large weak-boson masses appear to be a direct consequence of the vanishing neutrino mass.     

Band bending at the Si(1 1 1)–SiO2 interface induced by low-energy ion bombardment

Experiments employing photoreflectance spectroscopy have uncovered band bending due to electrically active defects at the Si(1 1 1)–SiO₂ interface after sub-keV Ar⁺ ion bombardment. The band bending of about 0.5 eV resembles that for Si(1 0 0)–SiO₂, and both interfaces exhibit two kinetic regimes for the evolution of band bending upon annealing due to defects healing. The healing takes place about an order of magnitude more quickly at the (1 1 1) interface, however, probably because of less fully saturated bonding and higher compressive stress.     

地域通信网的干扰技术研究

本文在分析地域通信网结构及组成的基础上,研究了对地域通信网实施的节点破坏、末端信息封锁、局部阻塞瘫痪等对抗方法,并使用干扰地域通信网的程度、节点干扰率、末端节点封锁率和传递信息误差率等指标对干扰效果进行评估。