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121.
设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构的相关性,研究了沟道失配应力对电性能的影响机理。建立了GaAs PHEMT材料热应力引起电子传输特性退化的试验方法,进行了高温和低温存储后材料电性能的演化行为测试,并归纳了热应力引起材料电特性退化的实验结果。结果表明GaAs PHEMT材料经高、低温存储并恢复室温后仍能保持原有电性能,沟道应力对材料电性能的影响主要表现为失配应力。  相似文献   
122.
对干扰信号的频谱特征进行精确测量和分析是实施有效的电子反干扰(ECCM)的重要步骤.通过对噪声调频干扰信号的频谱特征分析,提出采用合适的功率谱估计方法来检测噪声调频信号的主要频谱特征参数.利用MATLAB/Simulink仿真软件分别建立了噪声调频信号源和谱估计方法的系统模型,研究了系统采用不同的谱估计方法和参数设置的情况下所能够达到的检测精度,并根据仿真结果分析比较了不同谱估计方法的性能.  相似文献   
123.
舰船底部附近的电化学电流会产生恒定电磁场,研究这种电磁场分布对水下侦测舰船非常重要.文中将该场源理想化为一个直流水平电偶极子,这一直流水平电偶板子是低频电偶极子在频率趋于0时的极限情况.利用贝赛尔函数的性质,将这些积分表达式简化为一系列简单的解析表达式,并在该表达式的基础上进行分析讨论算出电磁场的空间分布.  相似文献   
124.
In this article, an encoder Application Specific Integrated Circuit (ASIC) for high-speed serial data transmission is presented. The ASIC implements a low-latency and low-overhead line code and is fabricated with a commercial 0.25-µm Silicon-on-Sapphire CMOS technology. The ASIC operates at 640 MHz with a latency of no greater than 6.25 ns and the overhead of 14.3%. The encoder will be integrated with a serialiser and will be used in the A Toroidal LHC ApparatuS Liquid Argon (LAr) calorimeter Phase-I trigger upgrade.  相似文献   
125.
The production of structural and functional materials with enhanced mechanical properties through the integration of soft and hard components is a common approach to Nature's material design. However, directly mimicking these optimized design routes in the lab for practical applications remains challenging. For example, graphene and silk are two materials with complementary mechanical properties that feature ultrahigh stiffness and toughness, respectively. Yet, no simple and controllable approach is developed to homogeneously integrate these two components into functional composites, mainly due to the hydrophobicity and chemical inertness of graphene. In this study, well‐dispersed and highly stable graphene/silk fibroin (SF) suspension systems are developed, which are suitable for processing to fabricate polymorphic materials, such as films, fibers, and coatings. The obtained graphene/SF nanocomposites maintain the electronic advantages of graphene, and they also allow tailorable mechanical performance to form including ultrahigh stretchable (with a strain to failure to 611 ± 85%), or high strength (339 MPa) and high stiffness (7.4 GPa) material systems. More remarkably, the electrical resistances of these graphene/SF materials are sensitive to material deformation, body movement, as well as humidity and chemical environmental changes. These unique features promise their utility as wearable sensors, smart textiles, intelligent skins, and human–machine interfaces.  相似文献   
126.
私有云运营效率低且公共云安全风险高,为实现混合云架构对电子商务系统经济性和安全性的支持,通过对相关技术和各云服务商解决方案的研究分析,面向陕西旅游业的需求,选择AWS的公共云服务和基于OpenStack构建的私有云,并提出混合云架构。可帮助陕西低成本地搭建旅游电子商务平台,推动旅游信息化,提高陕西旅游服务质量和竞争力。  相似文献   
127.
针对传统销售方式中不便于管理、效率低等缺点,将电子商务技术和计算机技术结合起来,开发出管理更便利、效率更高的网上图书销售系统.本系统基于B/S三层体系结构和Struts开发框架,采用JDBC数据库访问技术和Tomcat应用服务器等关键技术,并对系统功能进行分析,得出4个功能模块:图书浏览、购物车管理、订单管理和用户管理.功能的实现是基于JSP.技术与JAVA相结合,最终设计并实现了一个功能强大的图书销售系统平台.  相似文献   
128.
This article addresses the most challenging question facing the organic spintronics community today – what causes the universal loss of Giant Magnetoresistance (GMR) signal in organic spin valve devices made with different spin-polarized electrodes and organic semiconductor spacers? Careful analysis of our own and other experimental results available in literature indicate that transition of transport from polaron tunneling limit (suggested by the variable range hopping model) to thermally activated hopping limit (in the temperature range of 40–58 K) marks the most significant decrease of spin relaxation in organic semiconductors. With increasing occupancy of the available hopping sites by the thermally activated carriers, chances of spin flip inside the organic semiconductors increases significantly causing fast spin relaxation in the spin-valves.  相似文献   
129.
根据电感电位降原理和欧姆电位降原理 ,分析研究了雷电流脉冲不能忽略时电子设备各类接地采用同一地网共母线接地技术与不共母线接地技术的差异 ,得知电子设备各类接地应采用共网不共母线技术。  相似文献   
130.
王旭亮 《电子器件》2020,43(1):39-45
超声扫描检测因为其灵敏度高、对样品没有损伤的特点,被广泛地应用到塑封器件的筛选和检测中,但是目前不存在一个完整的超声扫描检测方法。对塑封器件缺陷进行分析,提出一种塑封器件缺陷的超声扫描检测方法。该方法采用A扫描与C扫描检测塑封器件内部的缺陷,其过程为塑封体缺陷检测与重要界面缺陷检测。与现有GJB 4027A要求的聚焦6个重要界面的检测方法相比,本方法只需要聚焦两个界面即可观察到6个界面的情况,可以提升检测效率。  相似文献   
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