运用过程方法做好产品加工质量控制

推行GB/T19001-2000质量体系管理,运用过程方法指导产品实现过程,做好过程策划工作,对产品加工过程中从设计、工艺、人员、设备、工装、监控、环境等诸多方面进行有效的控制,达到控制产品加工质量、提高工艺工作的准确性、提高工艺管理水平的目的.     

无铅焊膏用助焊剂活性物质的研究

选择几种常用活性剂进行铺展面积和润湿力性能测试,对效果较好的活性剂进行复合处理;采用铺展试验优化,模拟实际回流焊工艺进行性能测试,得到了一种较好的助焊剂。结果表明:当A酸、B酸和C酸的复合质量比为2:4:1,加入质量分数约0.56%的三乙醇胺时,溶液的pH值约为3.80,钎料焊后的扩展率可接近80%。由此配制的焊膏焊接性能良好,腐蚀性小,焊后残留量低,存储寿命较长。     

ISO 14001实施过程中的问题及解决方法

指出了企业在实施ISO 14001:2004过程中可能存在的问题,并针对固体废物管理、MSDS编写、文件之间不一致、轻污染企业的误区等问题给出了相应的解决方法.     

型号研制与批产交叉状态下的质量管理与控制

由于当前形势的紧迫性和必要性,型号的研制与生产的进度往往加快,出现两者高度交叉的现象.分析了这种交叉状态的显著特点,提出如何在这种交叉的状态下实施质量管理的内容要点.并且论述了实施型号产品的质量管理的方法与策略,保证了型号的质量一致性水平,使交付的产品最终满足用户的要求.     

功率裸芯片的测试与老化筛选技术

由于存在高温度、大电流等问题,传统的测试与老化筛选功率管的方法不能完全适用于功率裸芯片.介绍了采用临时封装夹具来测试与老化筛选功率裸芯片的技术,并根据功率裸芯片的实际情况,阐述了测试与筛选功率裸芯片的方法.     

绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究

基于绝缘体上硅技术,提出并研制动态阈值nMOSFETs结构.阐述了动态阈值nMOSFETs的工作原理.动态阈值nMOSFETs的阈值电压从VBS=0 V时的580 mV动态变化到VBS=0.6 V时的220 mV,但是这种优势并没有以增加漏电流为代价.因此动态阈值nMOSFETs的驱动能力较之浮体nMOSFETs在低压情况下,更具有优势.工作电压为0.6 V时,动态阈值nMOSFETs的驱动能力是浮体的25.5倍,0.7 V时为12倍.而且浮体nMOSFETs中的浮体效应,诸如Kink效应,反常亚阈值斜率和击穿电压降低等,均被动态阈值nMOSFETs结构有效抑制.     

功率半导体器件的场限环研究

分析了场限环结构原理,总结了影响击穿电压的相关因素.采用圆柱坐标对称解进行分析,讨论了给定击穿电压情殚况下场限环结构的电场分布和峰值电场表达式及各种确定场限环个数的方法的.最后用流行的2-D半导体器件模拟工具MEDICI对器件终端进行相关模拟,尤其是表面电荷对带场限环的击穿电压和优化环间距的影响做了大量的分析模拟.得出的结论与文献中的数值模拟结果相符合,对设计优化场限环有一定的指导性.     

LFU算法的ASIC实现

为ASIC实现内存管理中页面替换的LFU算法,基于TSMC公司0.18 μm的单元库,用标准逻辑单元库实现LFU算法.通过研究一组数中的最小值检出和最小值地址检出的逻辑规律,简化逻辑,减小了电路规模.通过控制关键路径的级数,达到了减少延迟,提高运行速度的目的.给出了版图和静态时序分析结果.     

LDMOS线性微波功率放大器设计

LDMOS以其大功率、高线性度和高效率等优点得到广泛的应用.采用2-tone负载牵引法得到了LDMOS晶体管MRF18030的输入和输出阻抗.在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,运用共轭匹配法设计出匹配网络,并将匹配网络转化为MOMENTUM元件运用在电路设计中,大大提高了设计的准确性.采用载波复幂级数法对PA的AM-AM和AM-PM非线性特性进行了准确计算,弥补了传统泰勒级数只能分析AM-AM的不足.得到了用来消除PA非线性的反载波复幂级数.根据所得反载波复幂级数,利用二极管非线性特性设计出一种新的结构简单、易于实现的预失真器,给出其准确的电路模型表达式,得到了幅值、角度等参数的精确值.ADS仿真结果表明,IMD3改善了27dB.最终,成功设计出大功率、高效率、高线性的LDMOS微波功率放大器.     

低压中和化CMOS差分低噪声放大器设计

以设计低电压LNA电路为目的,提出了一种采用关态MOSFET中和共源放大器输入级栅漏寄生电容Cgd的CMOS差分低噪声放大器结构.基于该技术,采用0.35μmCMOS工艺设计了一种工作在5.8GHz的低噪声放大器.结果表明,在考虑了各种寄生效应的情况下,该低噪声放大器可以在0.75V的电源电压下工作,其功耗仅为2.45mW.在5.8GHz工作频率下:该放大器的噪声系数为2.9dB,正向增益S21为5.8dB,反向隔离度S12为-30dB,S11为-13.5dB.