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61.
用数值模拟方法研究利用辐射加热来产生均匀等离子体状态,它可被用来测量元素的辐射不透明度,校验辐射不透明度理论。研究了在辐射加热铁的“三明治”型靶时影响生成均匀等离子体状态的几个重要因素(样品厚度、CH膜厚度和辐射源)所起的作用,研究发现,当铁等离子体通过热传导达到均匀状态时,其尺度必须与此时的传热距离相当,从而定出铁样品的厚度;低Z介质CH膜对铁等离子体有明显的箍束作用,调整CH膜的厚度可以调节所产生的等离子体状态;调整不同方向上的CH膜厚度,可以控制铁等离子体的膨胀方向,使它尽可能地达到一维膨胀,使得反推出的等离子体密度可以更加准确;样品的种类、厚度以及外面的低Z介质厚度决定了在某时刻能获得的等离子体状态,以及为产生此等离子体状态所需的最低辐射能。 相似文献
62.
X.P. Zhu Tomiyuki Yukawa Hisayuki Suematsu Kiyoshi Yatsui Y. Inoue 《Applied Surface Science》2006,252(16):5776-5782
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is used to probe oxidation states of Si species in particles deposited using a pulsed ion-beam evaporation method. The effects of He ambient gas, ion beam intensity and post-treatments on the oxides composition and oxygen content have been studied. It is found that presence of He ambient gas led to a profound oxidation of Si species as compared to that prepared in vacuum at the same ion-beam ablation energy, i.e. both increase of SiO2 component and oxygen concentration in the oxides coverage. The deposition in He also resulted in an increase of oxygen concentration even under lower ablation intensity, but a higher Si suboxides concentration. It is revealed that the reaction between Si and O was controlled by the ion beam intensity (temperature of Si plasma) and the gas ambient (collision probability of Si and O species). The difference in structure of oxide layers for samples obtained under various conditions is discussed based on the results of XPS analyses. 相似文献
63.
64.
聚变等离子体中的快离子压强 总被引:2,自引:2,他引:0
本文运用Fokker-Planck方程的慢化近似,考虑存在多种离子成份(包括杂质),假定它们具有共同的温度,我们得到了聚变产生的快离子压强的简单封闭形式表示式。表明在典型的工作温度下(~60keV),D-~3He等离子体中聚变产生的快离子压强约为本底热压强的20%,这与D-T等离子体工作在20keV时的比值几乎相同。因此,D-~3He和D-T在它们相应的预期工作温度下,它们各自的快离子压强对总压强的影响是类似的,然而在更高的温度下,这个比值将变得更大。 相似文献
65.
Munshi G. Mustafa 《Pramana》2006,66(4):669-687
We briefly introduce the thermal field theory within imaginary time formalism, the hard thermal loop perturbation theory and
some of its applications to the physics of the quark-gluon plasma, possibly created in relativistic heavy-ion collisions 相似文献
66.
我国低温等离子体研究进展(Ⅰ) 总被引:7,自引:0,他引:7
低温等离子体物理与技术的研究在国内受到了越来越多的重视.在等离子体中发现的一些有趣的物理现象,如磁场重联、尘埃等离子体等,使人们对等离子体物理的研究掀起了新的热潮.在应用方面,几乎所有理工类实验室都有涉及低温等离子体技术的实验装置,这使得在我国低温等离子体应用方面的研究非常普及,包括微电子工业中的等离子体工艺,各种坚硬、耐腐蚀、耐摩擦材料的制备,纳米材料的制备,聚合物以及生物材料的表面改性,等等.随着低温等离子体技术的发展,低温等离子体的诊断技术也随之发展起来.文章简要地介绍了近几年来低温等离子体研究在我国的发展,介绍了一些有关低温等离子体的热点研究课题. 相似文献
67.
68.
Chuncheng Hao Zuolin Cui Yansheng Yin Zhikun Zhang 《Journal of nanoparticle research》2002,4(1-2):107-110
Nanostructured Fe3Al intermetallic compounds were produced by using hydrogen arc plasma method. The transmission electron microscopy experiments showed that the average particle size of the as-synthesized was about 40-nm. The change in hardness of Fe3Al nanostructured intermetallic compounds with annealing temperatures was observed and evaluated. 相似文献
69.
70.
等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 ,对其原因作了简单的分析 相似文献