Al栅a—Si TFT栅绝缘膜研究

Ａｌ栅可明显降低ＡＭ－ＬＣＤ中ａ－Ｓｉ ＴＦＴ矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟，有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细分析了Ａｌ栅的阳极氧化技术，获得了适于ａ－Ｓｉ ＴＦＴ复合栅的Ａｌ２Ｏ３栅绝缘材料。     

100kV/2A三相恒流重复频率充电装置

 介绍了自行研制的一台100kV/2A三相恒流重复频率充电装置,其恒流电源采用三相L C变换器，6只绝缘栅双极性晶体管并联作为短路器件控制充电停止，可编程序控制器是控制单元的核心。该装置用于重复频率开关实验，充电电流2A，最高充电电压100kV，重复频率10Hz，充电电容1μF，以脉冲串的方式连续运行，工作稳定。     

扁长塑料件的注塑成型

介绍了扁长塑料件“标尺”的试制过程，分析了讨论了影响弯曲变形的因素。     

栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型

在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上，提出了氧化层击穿的逾渗模型.认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级缺陷产生与积累，并最终形成电导逾渗通路的结果.指出在电场作用下，氧化层中产生深能级缺陷，缺陷形成定域态，定域态的体积与外加电场有关.随着应力时间的增长，氧化层中的缺陷浓度增大，定域态之间的距离缩小.当定域态之间的距离缩小到一个阈值时，定域态之间通过相互交叠形成逾渗通路，形成扩展态能级，漏电流开始急剧增大，氧化层击穿. 关键词： 栅氧化层 TDDB 逾渗 模型     

多维可变跟踪门SPRT无源跟踪起始算法

本文提出了一种基于多维可变跟踪门检测的序列概率比检验(SPRT)无源跟踪起始算法。该算法基于目标的多特征信息,构造多维动态可变的跟踪门,进行自适应跟踪起始检测;然后根据序列概率比检验准则进行轨迹确认,从而实现自适应跟踪起始。计算机仿真结果验证了该算法的正确性、有效性。     

A STUDY ON CONTROLLABLE ANALOG DELAY LINE

This paper presents an analog delay line devised under the principle of an inventionof this country,the DYL integrated linear“AND-OR”gate.The analog delay line is distinguishedfor its features:simple in circuit structure,speedy in transmission,and capable of controlling thequantity of delay in the circuit by digital quantity.     

半导体光放大器增益饱和及其开关特性的研究

从理论上研究了行波半导体光放大器的增益饱和特性。由半导体的单模速率方程出发，应用半导体光放大器的传输波动方程，推导了放大器的增益特性表达式。根据半导体光放大器增益饱和特性，研究了开关特性。     

Use of pt gate metallization to reduce gate leakage current in GaAs MESFETs

The use of wet-chemical removal of native oxide in a sealed nitrogen ambient prior to deposition of metal on GaAs is shown to be an effective method of engineering the Schottky barrier height of the metal contacts. Due to its higher metal work function, a barrier height of 0.98 eV for Pt on n-type GaAs is demonstrated. This is considerably higher than the barrier height of conventionally processed TiPtAu contacts (0.78 eV). MES-FETs fabricated using PtAu bilayer contacts show reverse currents an order of magnitude lower than TiPtAu contacted companion devices, higher reverse breakdown voltages and much lower gate leakage. Utilizing this technology of oxide removal and the PtAu bilayer contact provides a much simpler method of enhancing the barrier height on re-type GaAs than other techniques such as counter-doping the near-surface or inserting an interfacial layer.     

具有栅电流修正的肖特基势垒技术测量迁移率分布

砷化镓肖特基场效应管有源层中的电子迁移率分布对器件有重要的影响,改变负栅偏压可以测出不同深度处的迁移率,但是由于表面总是处在耗尽状态,因此很难测出表面电子迁移率,本文介绍一种微分直流等效模型,使肖特基势垒可以正偏且较好地包括了栅电流修正.应用这一模型,可以较精确地测出非常接近表面的漂移迁移率和几何磁阻迁移率,模型推导较严密,物理意义清晰.     

具有栅介质电场屏蔽作用的新型GaN纵向槽栅MOSFET器件设计

基于氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)半导体的金氧半场效应晶体管(MOSFET)器件在关态耐压下,栅介质中存在与宽禁带半导体临界击穿电场相当的大电场,致使栅介质在长期可靠性方面受到挑战。为了避免在GaN器件中使用尚不成熟的p型离子注入技术,提出了一种基于选择区域外延技术制备的新型GaN纵向槽栅MOSFET,可通过降低关态栅介质电场来提高栅介质可靠性。提出了关态下的耗尽区结电容空间电荷竞争模型,定性解释了栅介质电场p型屏蔽结构的结构参数对栅介质电场的影响规律及机理,并通过权衡器件性能与可靠性的关系,得到击穿电压为1 200 V、栅介质电场仅0.8 MV/cm的具有栅介质长期可靠性的新型GaN纵向槽栅MOSFET。