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71.
厚膜导体Pd-Ag/Au、Pt-Pd-Au/Au平面复合结构,Pd-Ag/Au立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻,减少线损耗。而且,其超声键合性尤佳  相似文献   
72.
Monocrystalline 6H-SiC thin films have been epitaxially grown on off-axis 6H-SiC {0001} substrates in the temperature range of 1623–1873 K via chemical vapor deposition. The growth rate was a strong function of the growth temperature and the reactant gas concentration. The activation energies for growth were 64 kJ/mole and 55 kJ/mole for the (0001) Si face and the (0001) C face, respectively. The concentration of growth pits in the films increased as a function of decreasing deposition temperature, increasing concentration of reactant gases and increasing off-axis orientation. Beta-SiC islands were also observed in the epilayers when the (SiH4 + C2H4)/H2 ratio was ≥2.5:3000.  相似文献   
73.
斜孔气膜冷却数值模拟分析   总被引:27,自引:1,他引:26  
本文通过数值模拟分析圆柱孔和扩散孔的单斜孔气膜冷却特性,考察复合角、孔型和吹风比对流场和气膜冷却效果的影响。结果表明,复合角的引入使气膜侧向分布更宽,但冷却效果沿主流方向衰减更快。适中吹风比得到的气膜能更有效的保护壁面。在相同吹风比和复合角条件下,扩散孔的气膜冷却效率比圆柱孔更好,且冷却更为均匀持久。  相似文献   
74.
波分复用系统中的交错复用器(Interleaver)技术   总被引:4,自引:1,他引:3  
鉴于波分复用技术已成为光纤通信的发展方向,介绍几种新型的交错复用器的原理、结构等情况,对各种器件进行了比较。  相似文献   
75.
A series of Zr-Si-N composite films with different Si contents were synthesized in an Ar and N2 mixture atmosphere by the bi-target reactive magnetron sputtering method. These films’ composition, microstructure and mechanical properties were characterized by energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, scanning electron microscopy, atomic force microscopy and nanoindentation. Experimental results revealed that after the addition of silicon, Si3N4 interfacial phase formed on the surface of ZrN grains and prevented them from growing up. Zr-Si-N composite films were strengthened at low Si content with the hardness and elastic modulus reaching their maximum values of 29.8 and 352 GPa at 6.2 at% Si, respectively. With a further increase of Si content, the crystalline Zr-Si-N films gradually transformed into amorphous, accompanied with a remarkable fall of films’ mechanical properties. This limited enhancement of mechanical properties in the Zr-Si-N films may be due to the low wettability of Si3N4 on the surface of ZrN grains.  相似文献   
76.
为了探索低温可调控ZnO薄膜沉积技术,提出了一种新的ZnO薄膜制备方法,即离化团簇束(ICB)法,并自行设计研制了应用该方法制备ZnO薄膜的专门装置.采用超音速喷嘴获得高速锌原子团簇束,用Hall等离子体源产生氧离子束离化锌原子团簇,获得了较高的离化率.在沉积过程中,可以通过调节衬底偏压、氩氧比、衬底加热温度等参数,来控制成膜的质量;应用这个装置成功地在硅衬底上制备的ZnO薄膜,经XRD和EDS检测,薄膜的c轴取向一致,Zn、O原子百分比接近于1:1,成膜质量好.  相似文献   
77.
In this paper, thin films of titanium oxide imprinted with O,O-dimethyl-(2,4-dichlorophenoxyacetoxyl)(3′-nitrobenyl) methinephosphonate (Phi-NO2) were prepared via liquid phase deposition (LPD) method on a glassy carbon electrode. The imprinted molecular in the films was removed by treatment with immersion in CH2Cl2. X-ray diffraction (XRD) and electrochemical methods were introduced to show the evidence of the molecular imprinting phenomenon. It was also found that the recognition ability of the sensor depended on the substituents associated with tridimensional structures of the nitro-compounds. Under the optimized condition, the sensor showed better sensitivity, selectivity and reproducibility to the imprinted molecule and the linear relationship between the current and the concentration of analyte in the range of 0.1-50 μM was obtained. LPD proved to be a powerful method for imprinting titanium oxide thin sense films.  相似文献   
78.
In this paper, we propose a model in studying soft ferromagnetic films, which is readily accessible experimentally. By using penalty approximation and compensated compactness, we prove that the dynamical equation in thin film has a local weak solution. Moreover, the corresponding linear equation is also dealt with in great detail.  相似文献   
79.
500.8 nmNd∶YAG青光激光器光学薄膜的设计与制备   总被引:5,自引:2,他引:3  
从双波长激光运转及和频的机理出发,对LD泵浦Nd∶YAG,LBO腔内和频500.8 nm〖JP2〗青光激光器所使用的光学薄膜进行了设计和制备.在激光反射镜的设计上,为了达到最佳的和频输出,对膜系要求进行了深入分析.采用对谐振腔一端面反射率固定不变并通过对另一腔镜基频光的透射率进行调谐的方法, 在给出合理初始结构后,利用计算机对膜厚进行了优化.并采用双离子束溅射沉积的方法,通过时间监控膜厚法成功制备出青光激光器所使用的全介质激光反射膜, 在室温下实现946 nm和1064 nm双波长连续运转,并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4 W时和频青光最大输出达20 mW.  相似文献   
80.
p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.  相似文献   
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