关于紧优双环网络的无限族

双环网络是计算机互连网络和通讯系统的一类重要拓扑结构．1993年,李乔等人提出一个系统的构造方法,构造出69类0紧优和33类1紧优双环网络的无限族,并提出研究下述问题:求k(k>1)紧优双环网络的无限族．2003年,徐俊明等人给出一个4紧优双环网络的无限族．本文首先证明从每一个具体的0紧优双环网络出发,都可以构造若干0紧优双环网络无限族;结合同余方程组理论和数论中的素数理论,给出若干求一般k(k≥0)紧优双环网络无限族(包括非单位步长双环网络无限族)的方法．     

一种简易可靠的射频激光调制器

采用ＰＩＮ电调衰减器、ＴＬ４９４等元件组成了射频（ＲＦ）大功率ＣＯ２激光调制器，调制频率、占空比和调制度单独可调。给出了电路的工作原理和测试结果。     

光栅衍射法测量超短光脉冲的宽度

本文详细阐明了光栅衍射法测量超短光脉冲宽度的原理。测量了ＴＥＡ－Ｎ２激光器泵浦的短腔染料激光器输出的光脉冲的宽度。其结果与用条纹相机测得的结果一致。     

全新冷却方式双椭圆泵浦腔的实验研究

报导一种全新冷却方式的双椭圆泵浦腔，具有较高的泵浦效率和光学均匀性。１．０６μｍ调Ｑ脉冲输出能量总转换效率η＞０．７５％     

高非线性光纤及其应用

介绍了各种高非线性光纤的原理，并对其在超连续（SC）脉冲的产生和波长变换上的应用作了讨论。     

光纤中的SBS反射率和波形研究

从理论和实验上研究了不同焦距下泵浦能量以及透镜与光纤间距对多模光纤中的SBS能量反射率和脉冲波形的影响。理论模拟采用一维瞬态SBS数值计算模型和边界噪声输入法，得到了SBS反射率和脉冲上升沿的变化规律。实验上采用1.06μm的YAG激光器和无掺杂多模阶跃石英光纤，测得了能量反射率和波形的变化规律，获得的最大反射率为69%，脉宽压缩比为3:1-2:1。计算结果与实验结果符合较好。     

一种降低OFDM信号PAPR的新方法

正交频分复用(OFDM)技术的一个缺点是信号的高峰值平均功率比(PAPR)大大降低了系统中线性功放的效率。本文提出一种新的基于Nyquist脉冲成形的PAPR抑制方法。这种方法基于选择适当的Nyquist脉冲波形集合对OFDM的各个子载波进行脉冲成形。分析论证了该方法的PAPR上限值和所用的脉冲成形波形集合。仿真结果表明该方法能有效降低任意子载波数目的OFDM信号的PAPR值,而且与已有方法相比应用更为简单。因此脉冲成形技术不仅能对传输信号进行频谱成形来提高系统的频带利用率,而且还可以减小信号的PAPR值。     

纯铜双层辉光离子渗钛组织形成机理及性能分析

采用双层辉光离子渗金属技术对纯铜进行了渗钛处理。用配有能谱仪(EDS)的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪和透射电子显微镜对合金层的显微组织形貌、钛含量分布、相组成及相结构类型进行了观察与测定，对合金层的形成机理进行了探讨，并对其性能进行了对比测定。结果表明：渗钛层由合金层和扩散层组成，合金层主要由TiCu (Cu)固溶体 TiCu4构成，TiCu4为Dla型有序相，TiCu为B2型有序相，扩散层为(Cu)固溶体。渗钛处理后纯铜的表面得到显著强化。     

Low-resistance polysilicon process in contact application for high density devices

For the lowest resistance, it is required to have the epitaxial silicon contact between the silicon plug and the substrate and good step coverage at the high aspect-ratio contact holes, simultaneously. In this work, a double polysilicon (DPS) deposition technique was proposed for the requirements. The first, thin silicon layer is deposited in a single-wafer process chamber with an in-situ H₂-RTP (rapid thermal process) treatment for the epitaxial contact, and the second silicon layer is formed in a batch-type furnace for good step coverage. From chain resistance, Kelvin R_c, and current-voltage (I–V) measurement, the DPS process meets both low resistance and good uniformity, so that it suggests a breakthrough in the small-sized, semiconductor device application.     

微分脉冲溶出伏安法同时测定食品中的锌铁锰

在1％乙二胺-0．1mol／L酒石酸钠-pH11．82 Britton—Robinson缓冲溶液体系中用微分脉冲溶出伏安法同时测定锌、铁、锰三种微量元素。它们的峰电位分别为-1184，-1392和-1456mV(vs．Ag/AgCl)；线性范围分别为：0.001—0.015，0．005—0．05和0．04—0．7μg／mL，最低检出浓度分别为0．0007，0．0014和0．0193μg／mL。本法操作简便、准确、灵敏度较高，用于食品中这三种元素的分析，结果令人满意。