40Ar+诱导无定形碳到金刚石纳米晶相变的研究

通过60 keV的⁴⁰Ar⁺辐照无定形碳靶合成了大量尺寸不同的金刚石纳米颗粒.高分辨透射电子显微镜配合能量色散X射线谱和电子衍射以及Raman谱分析的结果表明，这些嵌于具有扰动石墨结构薄膜中的纳米金刚石颗粒，其成核率很高(约为10¹³/cm²)，而且可以生长到较大的尺寸，有的甚至可以达到微米量级.对其相转变过程也进行了初步探讨. 关键词： 离子束 金刚石纳米晶 相变 透射电子显微镜     

论城市轨道交通传输网络的设计方案

对城市轨道交通通信系统的传输网络需求进行了分析，对各种传输制式进行了比较，提出了城市轨道交通通信系统传输网络的最佳解决方案。     

射频MEMS压控电容器

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1     

闪烁体荧光传输特性对ETOF探测器性能的影响

为了对BESⅢ端盖飞行时间探测器(ETOF)的测试结果给出合理的解释, 采用Monte Carlo模拟软件包Geant4, 对该探测器测量高能带电粒子的性能进行模拟研究. 详细探讨了当粒子击中ETOF模块不同位置时, 其闪烁体荧光传输特性与探测器模块输出信号之间的关联, 以及PMT输出信号甄别阈值的选取对闪烁探测器本征时间分辨的影响, 并寻找可能的改善时间分辨的方法. 为进一步提高ETOF的性能提供参考.     

氟碳铈矿／直氟碳钙铈矿混层结构中新规则混层矿物的超微结构研究

用电子衍射和晶格像技术研究了钙稀土氟碳酸盐矿物中的氟碳铈矿（Ｂ）／直氟碳钙铈矿（Ｓ）混层结构，发现并确定了Ｂ＿４Ｓ＿４、Ｂ＿８Ｓ＿６、Ｂ＿１Ｓ＿６、Ｂ＿７Ｓ＿４和Ｂ＿２Ｓ＿１５种新规则混层矿物的对称性、晶胞参数及理论晶体化学式。根据所获得的高分辨晶格像真实而直观地揭示出该类Ｂ＿ｍＳ＿ｎ（ｍ＞ｎ）型新规则混层矿物的长周期有序堆垛结构特征及变化规律。     

美国高清晰度电视的发展与现状

本文作者根据对美国高清晰度电视（ＨＤＴＶ）现状考察的情况，详细系统地介绍了美国大联盟（ＧＡ）系统的形成及关键技术的确定，使用极化方式进行ＨＤＴＶ的频率规划，普通电视采用数字压缩技术的发展状况，以及美国目前正在讨论和实验的数字显频业务。     

交流变频调速技术在二辊轧机压下系统中的应用

介绍一种采用变频调速技术控制的二辊轧机压下系统。该系统可控制轧机压下系统的速度在工艺要求的范围内无级可调，压下量以数字动态显示，控制准确、操作方便。文中对系统的组成及工作原理作了较详细的介绍。     

隧穿问题的数值算法

本文给出一种新的数值方法，用以计算隧道效应中的透射系数和相移。这个方法适用于任意形状的势垒，不仅可以计算透射系数，还可以计算透射波和反射波的相位。分析表明该方法具有很高的精度。     

用正弦变频滤波器抑制孤子间的相互作用

提出用正统变频滤波器抑制孤子间的相互作用，并对上变频滤波器、下变频滤波器、交叉变频滤波器在抑制孤子相互作用方面的效应进行了数值研究。结果表明，正弦变频滤波器是最为有效的。     

A new precipitate phase in Al-4wt. % Cu thin-film interconnects

We report here the identification of a new precipitate phase in thin-film Al-4wt.%Cu metallization used for interconnects on integrated circuits. The phase is based on a trigonal distortion of a face centered cubic lattice. Computer simulation of electron diffraction intensities suggests that the basis structure is isomorphous with Al₂Ca but with a large and ordered population of vacancies on Cu sites. The reason for the formation of the new phase and its implications for electromigration reliability are discussed.