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The effects of post-process rapid thermal annealing (RTA) treatment after device fabrication on direct current, microwave and power performances of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with a gate-length of 0.2 μm were fully investigated. By 3 min post-process RTA treatment at 350 °C under N2 atmosphere, the direct current (DC), radio frequency (RF) small signal and power performances of AlGaN/GaN HEMTs have been much improved. The output power, power gain and power added efficiency (PAE) of GaN HEMT device with gate wide of 1 mm increase from 37.09 dBm, 6.09 dB and 42.79% to 38.22 dBm, 7.22 dB and 67.3%. The post-process RTA after device fabrication has two merits. On the one hand, it improves passivation effect of SiNx dielectric layer on AlGaN/GaN HEMT surface, suppressing RF current dispersion. On the other hand, it helps recover dry-etch damage at the Schottky metal/AlGaN interface, leading to reduction of reverse Schottky leakage current. 相似文献
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本文介绍了色散补偿现象对光信号在传输过程中的影响,并结合中国网通长途传输网工程,提出了解决色散问题的具体措施及建议. 相似文献
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利用绝热扰动法研究了色散缓变光纤中Raman孤子自频移效应,得到了色散缓变光纤中Raman孤子自频移的表达式。结果表明:光纤色散变化率存在一个可以有效抑制孤子自频移的阈值,当光纤色散变化率大于这个阈值时,色散缓变光纤可以抑制孤子自频移,而当光纤色散变化率小于这个阈值时,色散缓变光纤不仅不能抑制孤子自频移,反而加剧孤子自频移。 相似文献
37.
空心光子晶体光纤(PCF)的空气填充率是影响PCF性能的一个重要参数。针对几种不同的空气填充率,设计出了几种不同结构的空心PCF。应用平面波展开法对其进行了研究,分析讨论了空气填充率对特殊结构PCF泄漏模以及色散系数的影响。 相似文献
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39.
基于SOA啁啾管理的连续可调谐色度色散补偿的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种新型的可小范围连续调谐的色度色散(CD)补偿方案.该CD补偿方案包括一个半导体光放大器(SOA)和一段固定长度的色散补偿光纤(DCF).利用SOA的交叉相位调制(XPM)效应,通过调节SOA的偏置电流和控制脉冲光的强度,可以对进入SOA的光信号引入不同大小的附加啁啾量,从而可以利用固定长度的DCF得到补偿后的无啁啾光信号.实验中,实现了10 Gb/s可调谐CD补偿器,在无需替换DCF的情况下,实现了补偿范围为-40 ps/nm到60 ps/nm的连续可调谐CD补偿. 相似文献
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重点讨论了干涉法测试单模光纤偏振模色散 ( PMD)的原理、方法 ,并对长飞光纤光缆有限公司生产的 G.65 2、G.65 5单模光纤进行了在线测试 ,根据测试数据 ,分别计算出了这两种光纤 PMD的链路值 .结果表明 ,长飞光纤光缆有限公司生产的这两种光纤的 PMD值均在标准范围之内 相似文献