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81.
在分析光栅传感器原理的基础上,针对测量高压线缆时要求测距仪精度极高的问题,提出将高精度光栅传感器应用于激光测距仪的方案,在激光测距仪平台设计中安装两个光栅传感器,分别输出仰俯角和水平转角,并利用细分算法设计了光栅传感器的细分电路,大大提高了测量精度。  相似文献   
82.
高斯光束经波长级圆孔衍射的轴上光强特性   总被引:9,自引:1,他引:9  
基于横截面上精确表述的光强和精确的衍射场公式 ,对高斯光束经波长级圆孔衍射的轴上光强特性进行了研究。结果表明 ,高斯衍射光束的轴上光强特性取决于初始高斯半宽度w0 和波长级圆孔的孔径R。对于w0 /R≥ 1的高斯衍射光束 ,轴上光强存在的极值个数和出现的位置仅由比值m=2R/λ决定 ,最大的轴上光强均出现在N =R2 / (λz) =1的地方 ;至于轴上光强极值的峰和谷明显与否 ,取决于w0 /R的比值 ,比值越大 ,轴上光强极值的峰和谷就越明显。当w0 /R的比值足够大时 ,就趋向于平面波入射时的情形。而对于w0 /R<1的这一类高斯衍射光束 ,轴上光强存在特定的演化规律 :随着初始高斯半宽度的减小 ,轴上光强极值个数逐步减少直至全部消失。  相似文献   
83.
分体插接式光纤光栅应变片设计与实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出一种适合作为二次变换元件使用的通用型应变传感预制结构——光纤光栅应变片.它以裸Bragg光栅为研究对象,采用分体式设计方法把敏感光栅与连接光纤分别封装于独立的基体中,并通过两个基体相互之间的插入实现了Bragg光栅与测量光路的机械连接.理论分析和实验研究表明:光纤光栅应变片具有与Bragg光栅相同的反射谱,其测量线性度好,灵敏度高,温度误差则随被测试件性质不同而变化,当试件材料与基底材料一致时,温度误差可以忽略.  相似文献   
84.
带有对称啁啾光纤光栅的Sagnac环滤波器   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾春红  孔梅  张健 《光子学报》2008,37(4):652-656
通过在光纤Sagnac环中引入对称啁啾光纤光栅,对带有光纤光栅的Sagnac环梳状滤波器进行了改进,克服了原有滤波器工作带宽小、通带间隔不等的缺点.通过对光栅参量进行适当设计,在中等折射率调制度下,可使光栅同时具有高反射率和大反射带宽,结合Sagnac环可得到大带宽、等间隔梳状滤波器.  相似文献   
85.
利用光栅实现液晶显示器中的色分离可以提高液晶显示器对光能的利用率。为了提高光能利用率,对光栅台阶数进行了优化设计,经矢量衍射理论计算,优化后的多台阶色分离光栅的能量利用率达到了65.3%,与采用滤色片的方法相比,光能利用率提高了近一倍;与三台阶相比,光能利用率提高了9.3%。  相似文献   
86.
夫琅和费衍射与大角度衍射   总被引:1,自引:0,他引:1  
众所周知,夫琅和费衍射的解析强度分布和暗纹位置是在一系列近似情况下导出的。其中最重要的条件是观测点必须限制在傍轴附近,衍射角不能太大,否则得不到简单的解析公式,也就不能称之为夫琅和费衍射。最近发现有人发明错误的理论将夫琅和费衍射概念及其测量扩展到90°角,其结论与常识截然相反,因此,有必要把混淆的概念予以澄清。  相似文献   
87.
标量衍射理论的非傍轴修正   总被引:1,自引:1,他引:0  
当光束具有较大的发散角或光束束腰可与波长相比拟时,傍轴近似不再成立.用微扰级数法处理非傍轴光束的传播问题,数值计算发现,对受硬边光阑限制的光束,由于高频分量的贡献,当传输距离较大时,高阶级数解的修正效果不好,甚至失效,级数解的有效范围将受到很大限制.在标量衍射理论角谱表示的基础上,以平面波圆孔衍射为例,给出了衍射场的非傍轴修正解,得到的非傍轴修正解避免了级数解本身在数学上的发散性问题,并在一定条件下,可过渡到级数解,并且指出在近场或非傍轴区对傍轴解进行高阶修正的必要性和有效性.  相似文献   
88.
分光计测定光栅常数   总被引:2,自引:1,他引:1  
针对分光计测定光栅常数实验中入射光线偏离光栅法线的情形,提出了计算光栅常数的一个近似表达式。在不增加额外测量的前提下,使实验结果更接近于实际值。  相似文献   
89.
利用光栅最小偏向角法测光波波长   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文导出斜入射时,光栅谱线存在最小偏向角的条件及最小偏向角与波长间的关系,据此精确测定了光波波长,并在实验中通过与垂直入射法的比较显出其优越性。  相似文献   
90.
用氢直流电弧法制备LaH2纳米粉末,再采用放电等离子烧结(SPS)技术,在压力50MPa,烧结温度1400℃~1600℃条件下制备了LaB6亚微米多晶块体。采用EBSD技术,对LaB6样品表面的晶粒、晶界特征及晶粒取向等进行了测试分析。结果表明,SPS制备的LaB6晶粒尺寸为0.14μm~1.10μm,晶粒大小随烧结温度升高而增大。随烧结温度的升高,小角度晶界(微取向差在10&#176;以内)的含量逐渐增加。取向分析表明,SPS烧结LaB6多晶块体形成了几种择优取向。  相似文献   
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