半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论.     

磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备

分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了"开盒即用(EPI-READY)"、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片.     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.     

基于接收信号强度非齐性分布特征的半监督学习室内定位指纹库构建

室内定位中半监督学习的指纹库构建方法能够降低人力开销,但忽略了高维接收信号强度(RSS)数据不均匀的非齐分布特点,影响定位精度,针对此问题该文提出一种基于RSS非齐性分布特征的半监督流形对齐指纹库构建方法。该算法运用局部RSS尺度参数以及共享近邻相似性构造权重矩阵,得到精确反映RSS数据流形结构的权重图,利用该权重图通过求解流形对齐的目标函数最优解,实现运用少量标记数据对大量未标记数据的位置标定。实验结果表明,该算法可以显著降低离线阶段数据采集的工作量,同时可以取得较高的定位精度。     

透明导电氧化物的原理、问题与研究分析

现代光电子产品和能源技术都大量使用透明导电氧化物（TCO）薄膜.由于太阳能电池、平板显示器、发光二极管、短波长激光器、节能玻璃窗等应用领域日益增长的需求,TCO薄膜获得了越来越广泛的应用.文章总结了TCO薄膜的功能原理、应用需求和当前的研究方向,重点分析了p型TCO薄膜研究所要解决的关键问题（其中包括掺杂非对称性,性能退化与缺陷的生成,结构和变化的关系）,指出了p型TCO薄膜制备的关键因素,研究的热点问题和蕴藏的研究机会.     

色散负折射特异介质的1维光子晶体缺陷态

在1维光子晶体中引入色散负折射特异介质,分析了其介电常数和磁导率在微波区（1～10 GHz）与频率的关系。分别对以色散负折射介质为缺陷的正折射率介质光子晶体及以正折射率介质为缺陷的正负折射率介质光子晶体进行了数值仿真,得出了均匀平面电磁波在正入射和斜入射时的透射谱。结果表明：在介电常数和磁导率均为负值的不同禁带中,分别出现了单、双缺陷模。利用透射谱的这一特点,可实现单、双通道滤波。     

双基多输入多输出雷达快速目标空间定位算法

提出了一种基于双基地多输入多输出（MIMO）雷达的快速目标空间定位算法。该算法通过双基地MIMO雷达单周期回波形成的虚拟阵列数据来构造三个矩阵,然后用传播算子法分别对其进行处理得到了三个具有特定关系的矩阵,利用矩阵的特征值和特征向量导出了目标角度的闭式解,从而可实现对目标的空间定位。该算法避免了数据协方差矩阵的估计,不需要多维谱峰搜索和参数配对,大大降低了运算复杂度。计算机仿真结果证明了所提算法的正确性和可行性。     

基于四阶累积量的近远场源多参数联合估计算法

该文提出了一种新的基于四阶累积量的信源多参数联合估计方法,可实现信源频率、方位及距离的联合估计。该算法无需峰值搜索,适用于任意高斯噪声环境,可有效降低阵列孔径损失。算法中,通过选取特定序号阵元上的输出构造四阶累积量矩阵,有效地避免了因同时存在远场源时而出现的矩阵降秩现象,因而该算法适用于近场、远场或混合信源的参数估计。仿真结果验证了提出方法的有效性。     

Performance of hydrogenated diamond field-effect transistors on single and polycrystalline diamond

In this work, we investigate the influence of defect concentration of the diamond substrates on the performance of hydrogen-terminated diamond field-effect transistors by Raman spectra, pulsed I–V characteristics analysis, and radio frequency performances measurements. It is found that a sample with higher defect concentration shows larger drain-lag effect and lower large-signal output power density. Defects in the diamond act as traps in the carrier transport and have a considerable influence on the large-signal output power density of diamond field-effect transistors. This work should be helpful for further performance improvement of the microwave power diamond devices.     

光学薄膜中节瘤缺陷研究进展

结合本实验室及国内外同行的工作进展,概括性地介绍了光学薄膜中节瘤缺陷的生长特性、结构特征和损伤特性,以及激光预处理和破坏修复技术的研究进展。节瘤种子的尺寸、形状和表面特性决定了节瘤缺陷的尺寸、边界结构的连续性和表面形貌特征。节瘤种子的来源主要有基底加工和清洗过程的残留物,镀膜过程中真空室的污染和蒸发材料的喷溅,并给出了相应的抑制方法。节瘤的电场增强效应是导致节瘤缺陷易损伤的另一个重要原因。节瘤缺陷的激光预处理和破坏坑的修复技术可以提高光学薄膜的抗激光损伤能力。