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21.
In this note we make a correction in the paper [1] by two of the authors. Specifically we modify an auxiliary localization
result and prove that the applications to the saturation theory of some outstanding conservative operators remain valid. Moreover,
we enrich a corollary dealing with the well-known Szász-Mirakjan operators.
This revised version was published online in June 2006 with corrections to the Cover Date. 相似文献
22.
23.
24.
L. Bartosch P. Kopietz 《The European Physical Journal B - Condensed Matter and Complex Systems》2002,28(1):29-36
We consider the effect of Coulomb interactions on the average density of states (DOS) of disordered low-dimensional metals
for temperatures T and frequencies ω smaller than the inverse elastic life-time 1/τ. Using the fact that long-range Coulomb interactions in two dimensions (2d) generate ln2-singularities in the DOS ν(ω) but only ln-singularities in the conductivity σ(ω), we can re-sum the most singular contributions
to the average DOS via a simple gauge-transformation. If σ(ω) > 0, then a metallic Coulomb gapν(ω) ∝ |ω|/e
4 appears in the DOS at T = 0 for frequencies below a certain crossover frequency Ω
2 which depends on the value of the DC conductivity σ(0). Here, - e is the charge of the electron. Naively adopting the same procedure to calculate the DOS in quasi 1d metals, we find ν(ω) ∝ (|ω|/Ω
1)1/2exp(- Ω
1/|ω|) at T = 0, where Ω
1 is some interaction-dependent frequency scale. However, we argue that in quasi 1d the above gauge-transformation method is on less firm grounds than in 2d. We also discuss the behavior of the DOS at finite temperatures and give numerical results for the expected tunneling conductance
that can be compared with experiments.
Received 28 August 2001 / Received in final form 28 January 2002 Published online 9 July 2002 相似文献
25.
26.
对形如Nt×Nl型准二维无序系统,只考虑格点之间的最近邻跳跃积分,采用特殊的格点编号方案,在单电子近似下,系统的哈密顿量可表示为简明对称矩阵,借助豪斯荷尔德变换将其约化为对称三对角矩阵,再利用负本征值理论及传输矩阵等方法,对系统态密度、局域长度及电导等电子结构特性进行数值计算. 重点研究了准一维四平行链和五平行链无序系统, 将结果与一维单链、准一维双链及三链系统进行对比,发现随维度的增加,系统的能带有所展宽,能态密度分布发生很大的变化,其峰值数量呈偶数规律增加. 并且在能带中心处存在有局域长度大于系统大小的扩展态,处于这些态下的系统具有较大电导. 从单链到多链,相当于扩大了系统的关联范围,使系统出现了类似非对角长程关联的行为.
关键词:
准二维无序系统
态密度
局域长度
电导 相似文献
27.
28.
从蛙虹彩病毒(Rana gryliovirus,RGV)基因组中克隆了含凋亡相关结构域的新基因-cop(Caspaserecruit ment domain only protein,COP)基因的全部编码区,成功构建了重组表达载体,进行了原核表达,并在鲤鱼上皮瘤细胞(Epithelioma papulosumcyprini,EPC)中进行了亚细胞定位.序列分析表明,RGVcop基因全长288 bp,编码一个长为95 aa,分子量为10.4×103的推定蛋白.二级结构预测表明其含有5个α螺旋.同源性比对分析显示,RGVcop与其他6株虹彩病毒及人类cop相关蛋白同源性最高为94%,最低为33%.重组原核表达质粒pET28a-COP转化大肠杆菌BL21后,经IPTG诱导表达,获得一条约14×103的融合蛋白.重组真核表达质粒pEGFPN3-COP转染EPC细胞,经DAPI染色后,在荧光显微镜下观察显示重组蛋白在整个细胞中均有分布. 相似文献
29.
The constitutive behavior of porous materials (including the yield loci, the void growth rate, the macro stress-strain relation
and the strain to localization instability) is examined based on the lower bound approach proposed by the present authors.
These results are then compared with the experimental and the finite element results as well as those predicted by Gurson's
equations. Emphasis is placed on approaching the real behavior from the upper and the lower bound analysis. Calculation is
also made on the influence of void nucleation on the critical strain to instability and a modified strain-controlled nucleation
criterion is proposed. Finally the instability and fracture of AISI4340 steel in plane strain tension is examined and comparison
is made between theoretical and experimental results. 相似文献
30.
J. Y. Lee J. H. Chang M. Yang H. S. Ahn S. N. Yi K. Goto K. Godo H. Makino M. W. Cho T. Yao J. S. Song 《Current Applied Physics》2004,4(6):611-614
Luminescence properties of CdTe/ZnSe fractional monolayer grown by atomic layer epitaxy have been investigated. To investigate the origin of the highly efficient luminescence, various optical spectroscopic methods such as, photoluminescence (PL), temporal/spatial resolved PL, temperature dependence PL, and excitation power dependence PL have been used. It is found that structural inhomogeneities affect dominant influence on the line width and line shape of luminescence. The luminescence intensity greatly enhanced by the localization of exciton at the disorder induced localized states. 相似文献