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Numerical simulation, using SILVACO-TCAD, is carried out to explain experimentally observed effects of different types of deep levels on the capacitance–voltage characteristics of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes grown on high index GaAs substrates. Two diodes were grown on (311)A and (211)A oriented GaAs substrates using Molecular Beam Epitaxy (MBE). Although, deep levels were observed in both structures, the measured capacitance–voltage characteristics show a negative differential capacitance (NDC) for the (311)A diodes, while the (211)A devices display a usual behaviour. The NDC is related to the nature and spatial distribution of the deep levels, which are characterized by the Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) technique. In the (311)A structure only majority deep levels (hole traps) were observed while both majority and minority deep levels were present in the (211)A diodes. The simulation, which calculates the capacitance–voltage characteristics in the absence and presence of different types of deep levels, agrees well with the experimentally observed behaviour. 相似文献
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如今我国信息化技术全面发展,尤其对于工程测量工作领域来讲,不管是在工程建设和管理方面都产生不小的支撑引导效用。由此,笔者具体结合如今工程建设信息化测绘核心任何以及设备布置细节,进行结构整体安全管理周期和周边地理空间信息技术发展能效整理解析,试图将工程测量最新发展机遇和技术挑战问题处理完全。希望能够借此为日后一定时期范围内相关工程测量规划主体提供合理指导性建议内容,最终为我国各类工程事业可持续发展前景绽放奠定深刻适应基础。 相似文献
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一个新颖的轮廓线跟踪算法 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一个新颖的基于隐马尔科夫模型与光流的轮廓线跟踪算法。曲线描绘由B样条形状空间向量来表达,能够捕捉全局和局部变形。提出应用沿曲线的光流计算来预测曲线在下一帧的位置,在预测曲线的基础上,提出应用隐马尔科夫模型来准确定位曲线的位置。隐马尔科夫模型提供了一种有效的概率手段来融合多种量测特征比如边缘,曲线平滑性,区域灰度或颜色统计信息等等,能够更准确的定位曲线位置。基于仿射形状空间的实验了表明本文所提出算法的有效性。 相似文献
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10.
Boundedness of commutators on homogeneous Herz spaces 总被引:9,自引:0,他引:9
The boundedness on homogeneous Herz spaces is established for a large class of linear commutators generated by BMO(R
n
) functions and linear operators of rough kernels which include the Calderón-Zygmund operators and the Ricci-Stein oRfiUatory
singular integrals with rough kernels.
Project supponed in pan by the National h’atural Science Foundation of China (Grant No. 19131080) and the NEDF of China. 相似文献