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151.
A new family of proximity graphs: Class cover catch digraphs   总被引:1,自引:0,他引:1  
Motivated by issues in machine learning and statistical pattern classification, we investigate a class cover problem (CCP) with an associated family of directed graphs—class cover catch digraphs (CCCDs). CCCDs are a special case of catch digraphs. Solving the underlying CCP is equivalent to finding a smallest cardinality dominating set for the associated CCCD, which in turn provides regularization for statistical pattern classification. Some relevant properties of CCCDs are studied and a characterization of a family of CCCDs is given.  相似文献   
152.
WDM传输系统中泵浦配置对光纤拉曼放大器增益特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过理论分析和模拟运算,研究了光纤拉曼放大器泵浦优化的一般规律。  相似文献   
153.
数字散斑干涉技术及应用   总被引:10,自引:2,他引:8       下载免费PDF全文
于光  王树国  于俊华 《激光技术》2002,26(3):237-240
介绍了数字散斑干涉技术在位移、应变、振动和医学诊断等领域中的应用和国内外发展状况。提出了一种新的应用领域—数字散斑干涉技术在语音识别中的应用,并对该方法作了介绍,讨论了它的特点。  相似文献   
154.
张艳茹 《现代雷达》2002,24(5):61-63
针对无源多基地侦察系统的高精度同步问题,提出了一种较为简单可行的方法-利用GPS进行校频和共视比对。  相似文献   
155.
激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道了应用环境扫描电镜(ESEM)和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的(001)面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.  相似文献   
156.
头盔显示器的关键技术及有关设计问题综述   总被引:6,自引:1,他引:5  
头盔显示器可以提高驾驶员的态势感知能力,红外传感器提供的信息,使驾驶员的态势感知能力大大加强,头盔显示器提供的红外图像,使恶劣的天气和黑夜不再成为驾驶员作战的障碍,概述了头盔显示器的发展过程和关键技术,介绍了当前空军用头盔显示器的技术问题,解决方法,设计示例。  相似文献   
157.
一种改进的交错脉冲解速度模糊方法   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了脉冲多普勒气象雷达中用于解速度模糊的交错脉冲方法,理论分析了时域脉冲对处理中速度估计公式的局限性,同时对该公式进行了修正。仿真结果表明,改进的交错脉冲方法具有更好的解速度模糊性能,而且易于实时处理。  相似文献   
158.
蕴涵代数与BCK代数   总被引:6,自引:0,他引:6  
系统研究 Fuzzy蕴涵代数与 BCK代数之间的关系 ,给出 MV代数与 BCK代数之间的联系 ,建立正则 FI代数和对合 BCK代数的对偶代数  相似文献   
159.
Let T and S be invertible measure preserving transformations of a probability measure space (X, ℬ, μ). We prove that if the group generated by T and S is nilpotent, then exists in L 2-norm for any u, vL (X, ℬ, μ). We also show that for A∈ℬ with μ(A)>0 one has . By the way of contrast, we bring examples showing that if measure preserving transformations T, S generate a solvable group, then (i) the above limits do not have to exist; (ii) the double recurrence property fails, that is, for some A∈ℬ, μ(A)>0, one may have μ(AT -n AS - n A)=0 for all n∈ℕ. Finally, we show that when T and S generate a nilpotent group of class ≤c, in L 2(X) for all u, vL (X) if and only if T×S is ergodic on X×X and the group generated by T -1 S, T -2 S 2,..., T -c S c acts ergodically on X. Oblatum 19-V-2000 & 5-VII-2001?Published online: 12 October 2001  相似文献   
160.
铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管(FEMFET)的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用,由于铁电层反偏偶极子的开关作用,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化,并由直观原型的方法得到了验证。  相似文献   
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