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Ezhil Jothinathan Kim VanmeenselJef Vleugels Tamara KharlamovaVladislav Sadykov Svetlana PavlovaGeorgia Sourkouni Christian SzepanskiChristos Argirusis Omer Van der Biest 《Solid State Ionics》2011,192(1):419-423
Apatite type rare earth silicates are being extensively studied as electrolyte material for intermediate temperature solid oxide fuel cells (SOFC). In this paper we presents results on synthesis of Al and/or Fe-doped ATLS, the design of compatible anode materials, thermal expansion properties and co-sintering of half-cells from expansion matched materials using the advanced pulsed electric current sintering (PECS) technique. The issues related to the co-sintering of half cells have been addressed successfully by the combined use of nano powders and PECS. 相似文献
952.
In this paper, we show that the leakage current properties of BiFeO3 (BFO) thin films have been greatly improved by Zr-doping. In contrast, the magnetic properties of Zr-doped BFO films are affected as a weak ferromagnetism. Beyond the double-exchange interactions arising from the creation of Fe2+, we propose another simple model considering the replacement of the magnetically active Fe3+, time to time, by a non-active Zr4+, which is expected to induce a local ferromagnetic coupling rather than an antiferromagnetic one. 相似文献
953.
Fuxue WangHai Lu Xiangqian XiuDunjun Chen Ping HanRong Zhang Youdou Zheng 《Applied Surface Science》2011,257(9):3948-3951
The effect of oxygen plasma treatment on the performance of GaN Schottky barrier diodes is studied. The GaN surface is intentionally exposed to oxygen plasma generated in an inductively coupled plasma etching system before Schottky metal deposition. The reverse leakage current of the treated diodes is suppressed in low bias range with enhanced diode ideality factor and series resistance. However, in high bias range the treated diodes exhibit higher reverse leakage current and corresponding lower breakdown voltage. The X-ray photoelectron spectroscopy analysis reveals the growth of a thin GaOx layer on GaN surface during oxygen plasma treatment. Under sub-bandgap light illumination, the plasma-treated diodes show larger photovoltaic response compared with that of untreated diodes, suggesting that additional defect states at GaN surface are induced by the oxygen plasma treatment. 相似文献
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