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861.
862.
用射频噪声法测出了低气压放电灯(荧光灯、紧凑型节能灯、紫外杀菌灯等)阴极的零场发射电流,进而研究了阴极温度和阴极零场发射之间的变化规律,最后,得到了一种比较简单、方便、实用的测试阴极发射特性的方法。 相似文献
863.
864.
该文在振荡器Leeson模型的基础上分析了有载品质因数(QL)对振荡器相位噪声的影响,且通过分析Colpitts振荡电路得到了其QL的表达式,明确了QL与电路参数的精确关系。并用安捷伦ADS软件对50 MHz Colpitts晶体振荡器的相位噪声进行了仿真,根据仿真结果在提高QL的基础上设计了一晶体振荡器样机,样机采用AT切三次泛音、49U电阻焊封装的晶体谐振器,其无载品质因数(Q0)为1.45×105。经测试得到其相位噪声指标优于-107 dBc/Hz@10Hz、-134 dBc/Hz@100 Hz和-152 dBc/Hz@1 kHz。实验结果表明,基于提高QL设计低相噪晶体振荡器的方法是可行的。 相似文献
865.
利用正态频率调制技术从噪声产生源头上降低了开关变换器的电磁干扰。简单地分析了具有不变概率密度分布的离散随机信号频率调制降低开关变换器EMI噪声的原理,并试制了一台正态频率调制开关变换器电源样机。给出了开关管电流信号的频谱以及传导干扰测试的结果。实验结果表明该技术能有效降低开关谐波峰值,使开关变换器易于通过EMI测试,具有应用的前景。 相似文献
866.
本文研制了高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管并进行了特性分析。诸如氮化铝插入层、氮化硅钝化、高宽窄比的T型栅、减小欧姆接触电阻和缩短漏源距离等技术被用于提高器件性能。使用半导体参数分析仪和矢量网络分析仪分别对前制器件的直流和交流特性进行了表征。所得80nm栅长的器件其最大漏极电流密度为1.41A/mm,该结果为到目前为止国内文献报道的最大值。同时测得峰值跨导为317mS/mm,特征频率为74.3GHz,最高振荡频率为112.4GHz。 相似文献
867.
电流模带隙基准源(CMBGR)在低电源电压电路中得到广泛的应用,但其启动行为仍值得关注。在启动电路不可靠的情况下,CMBGR会导致芯片失效,使得成品率下降。在分析CMBGR的启动和多个工作点问题后,提出一种只有两个稳定工作点的CMBGR,可通过监测电路状态和控制启动电路的充电来解决简并点问题。采用0.13 μm CMOS工艺,对提出的GMBGR电路进行设计与仿真。仿真结果表明,该电路产生的参考电压小于1.25 V,在-25 ℃~125 ℃之间的温度系数为4.7×10-6/℃,具有良好的启动性能。 相似文献
868.
为了研制一种锁定时间短、相位噪声低、杂散抑制度高的频率合成技术,采用了直接数字式频率合成器(DDS)驱动锁相环(PLL)的结构。该频率合成器综合了DDS频率转换速度快、频率分辨率高和PLL输出频带宽、输出杂散低的优点。基于该结构研制实现了输出频率范围为700~800 MHz的宽带频率合成器,实验结果表明该频率合成器扫描模式Δf=1 MHz锁定时间不超过20μs,跳频模式Δf=50 MHz的定时间不超过30μs,近端杂散抑制度优于-50 dBc。 相似文献
869.
870.
提出一种适合微传感器读出电路的高精度折叠共源共栅放大器.基于斩波技术和动态元件匹配技术,降低了折叠共源共栅放大器的噪声和失调,采用低阻节点斩波的方法和低压共源共栅电流镜扩大了放大器可处理的输入信号带宽和输出电压摆幅.芯片在0.35μm 2P4M CMOS工艺下设计并流片,测试表明在3.3V的典型电源电压和100kHz的斩波频率下,斩波放大器具有小于93.7μV的输入等效失调电压典型值,19.6nV/Hz的输入等效噪声,开环增益达83.9dB,单位增益带宽为10MHz. 相似文献