一种可展宽频带的微带贴片天线

提出了一种可展宽频带的微带贴片天线。通过对普通矩形微带贴片天线进行切角而展宽频带。由贴片天线的谐振频率和该贴片上的电流分布出发,研究了产生宽带特性的机理。采用基于有限元算法的高频电磁场仿真软件ANSOFTHFSS对该天线的电特性进行计算,结果表明：该天线的阻抗带宽（S11〈-10dB）达到16％（370MHz）。证明了该方法的有效性。     

传输线变压器相位补偿技术及其应用

传输线变压器是在短波和超短波频段使用广泛的重要器件,根据传输线变压器原理设计制造的器件具有结构紧凑、功率容量大、频带宽、损耗小等优点.该文研究了利用慢波线原理和相位补偿技术克服传输线变压器对于传输线电长度的限制,使其适用频率向s波段以上扩展的方法.文中给出了1:4阻抗变换器电路的传输损耗和高低端输入阻抗理论公式并对其进行了讨论.对所设计的S波段1:4阻抗变换器及功率合成器进行了仿真分析并设计制作了实物.仿真和实测结果表明,利用慢波线原理和相位补偿后的传输线变压器能够适用s波段及以上微波器件.     

基于电流与电压复合控制的压电陶瓷驱动器

针对电压控制型压电陶瓷驱动器存在动态性能差的问题,及电流控制型压电陶瓷驱动器存在在静态下易充电饱和、难以获得稳定输出的问题,该文设计了基于电流与电压控制的复合型压电陶瓷驱动器.该驱动器具有电流电压双闭环反馈,使驱动器可兼具良好的静态和动态特性.在此基础上,分析了复合型驱动器的性能特点和各参数对其性能的影响,通过调整参数可改变驱动器性能,以满足不同需求.实验结果表明,该驱动器驱动行程为10 μm的压电陶瓷时,0～100 V阶跃信号响应时间小于400 μs,满行程带宽可达1.5 kHz,给定直流信号下可获得良好的稳定输出.     

基于SCR的ESD保护电路防闩锁设计

SCR器件作为目前单位面积效率最高的ESD保护器件,被广泛研究并应用到实际电路中.SCR所具有的低保持电压特性可以带来很高的ESD性能,但同时也会导致闩锁.文章从提高保持电压和触发电流这两方面入手,研究在实际电路应用中如何防止ESD保护电路发生闩锁.     

谈电压、电流测量中的方法误差

由于仪表内耗功率不为零所产生的误差称为方法误差。用电流表、电压表测量电流、电压时存在方法误差。方法误差的大小与电流表、电压表内阻有关。适当选择仪表内阻减小方法误差。如没有适当仪表,可用毫伏表或毫安表与已知电阻构成电流表、电压表达到同样的目的。要避免方法误差只能采用比较测量法,运用补偿法的电位差计可以避免方法误差。     

一种新的CMOS MOCCII的高频补偿方法

本文提出了一种简单而有效的具有高频补偿的CMOS MOCCII电路.对于电压传输函数V_X/V_Y,采用源极电容耦合放大器的方式实现高频补偿;对于电流传输函数I_z/I_x、I_(z-)/I_x,采用在电流镜中加一个可调电阻方法,使得电流镜的传输函数由一阶系统变成可调极点的二阶系统,调节电阻大小,使得极点远离S平面原点,从而提高电流镜频带宽度.仿真表明,V_X/V_Y的转折频率由补偿前的92.690MHz提高到补偿后的184.127MHz;I_z/I_x及I_(z-)/I_x的转折频率分别由补偿前的66.708MHz、58.780MHz提高到补偿后的272.965MHz和279.042MHz,而-3dB截止频率分别达到871.936MHz和814.185MHz.最后,从应用方面给出了由补偿前后MOCCII所构成的电流模式滤波器.     

探针式智能温度控制仪

探针式智能温度控制仪以热敏电阻作为温度传感器,以耐高温防腐蚀的材料做外壳,能够自由伸缩50cmo以两端通入1mA恒流源的热敏电阻作为温度传感器,单片机将采得的电压信号值经过模拟放大、A／D转换器转换．LED数码管显示温度值。该温度控制仪通过串口将采样值通过高级语言显示在计算机窗口,方便直观显示存储温度值。     

国外数据通信设备高压直流供电新系统（下）

分析了数据通信供电的特点,交直流供电系统的可靠性、安全性和工程应用,并对近十年来《国际电信能源会议》（INTELEC）中有关电信和数据通信局的高效节能、高压直流供电系统论文和实施试点进行跟踪,最后介绍了瑞典、日本、法国和美国等有关通信公司近几年来实施的不同系统结构的高压直流供电系统。     

Annealing effect on physical and electrical characteristics of thin HfO2, HfSixOy and HfOyNz films on Si

We report the effect of annealing on electrical and physical characteristics of HfO₂, HfSi_xO_y and HfO_yN_z gate oxide films on Si. Having the largest thickness change of 0.3 nm after post deposition annealing (PDA), HfO_yN_z shows the lowest leakage current. It was found for both as-grown and annealed structures that Poole-Frenkel conduction is dominant at low field while Fowler-Nordheim tunneling in high field. Spectroscopic ellipsometry measurement revealed that the PDA process decreases the bandgap of the dielectric layers. We found that a decreasing of peak intensity in the middle HfO_yN_z layer as measured by Tof-SIMS may suggest the movement of N toward the interface region between the HfO_yN_z layer and the Si substrate during the annealing process.     

Implementation of low-voltage static RAM with enhanced data stability and circuit speed

This paper presents a novel SRAM circuit technique for simultaneously enhancing the cell operating margin and improving the circuit speed in low-voltage operation. During each access, the wordline and cell power node of selected SRAM cells are internally boosted into two different voltage levels. This technique with optimized boosting levels expands the read margin and the write margin to a sufficient amount without an increase of cell size. It also improves the SRAM circuit speed owing to an increase of the cell read-out current. A 256 Kbit SRAM test chip with the proposed technique has been fabricated in a 0.18 μm CMOS logic process. For 0.8 V supply voltage, the design scheme increases the cell read margin by 76%, the cell write margin by 54% and the cell read-out current by three times at the expense of 14.6% additional active power. Silicon measurement eventually confirms that the proposed SRAM achieves nearly 1.2 orders of magnitude reduction in a die bit-error count while operating with 26% faster speed compared with those of conventional SRAM.