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41.
采用电子能谱仪(EDS)与振动样品磁强计(VSM),研究了电流密度及镀液pH值对电镀CoNiMnP永磁薄膜矫顽力的影响。结果表明:CoNiMnP永磁薄膜具有明显的垂直各向异性,且随电流密度和镀液pH值的增大,CoNiMnP薄膜的矫顽力呈先增大后降低的变化;当电流密度为5×10–3A/cm2、镀液pH值为5时,CoNiMnP薄膜垂直方向的矫顽力Hcj达到最大值80kA·m–1。 相似文献
42.
介绍了我国电子级BaCO3的生产方法,包括碳化法、复分解法、转化法、Ba(OH)2法及BaCl2法。重点介绍了反应机理,工艺流程,研究进展,优缺点,主要厂家及其年产量。还述及其技术标准,主要应用领域以及国内市场容量。 相似文献
43.
转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响 总被引:7,自引:4,他引:3
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。 相似文献
44.
电路如果存在不稳定性因素,就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点,运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO,电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3pF,减小了制造成本。它的电源电压为3.5~6 V,输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100μA到100mA变化时,最小相位裕度为830,最小带宽为4.58 MHz 相似文献
45.
46.
47.
变压器差动保护受励磁涌流的影响,针对这一因素,该文提出一种基于小波变换的变压器励磁涌流识别新方法。首先分析了单相变压器励磁涌流的产生机理,其次使用MATLAB提供的电力系统工具箱PSB建立励磁涌流与区内故障电流的仿真模型,并脂db5小波对电流信号进行3尺度分解,仿真结果表明,小波变换系数能准确反应励磁涌流波彤的突变,最后根据仿真结果提出一个励磁涌流识别判据。 相似文献
48.
49.
为提高温度测量精度,利用REF200提供的0.4mA恒定电流驱动串联的四线制温度传感器PT1000和精密电阻,在传感器和精密电阻两端分别提取电压信号并对其进行调理,通过高精度AD7712对所得到的电压信号进行放大和A/D转换,设计了一种高精度温度测量系统。为了减小高精度温度测量中铂电阻非线性所引起的误差,在上位机中对数字信号进行了最小二乘法算法处理。测试结果表明,该系统稳定可靠,其随机误差和系统误差均小于0.1℃,实现了高精度温度测量。 相似文献
50.
低压高频PWM DC/DC转换器芯片设计 总被引:6,自引:1,他引:6
便携式电子设备对电源管理芯片的设计提出了新的挑战。文中采用新的设计方法和思路 ,设计了一个开关电源PWMDC/DC转换器芯片 ,启动电压最低至 1V ,功率管开关频率高达 6 0 0kHz,采用PWM PFM间歇工作方式 ,较好地克服了开关电源轻负载时效率低的问题 ,电源效率一直保持较高 ,适用于寻呼机、手机等便携式电子设备。 相似文献