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101.
102.
103.
104.
105.
Ram K. Ganesh 《国际流体数值方法杂志》1991,13(5):557-578
The total drag force on the surface of a body, which is the sum of the form drag and the skin friction drag in a 2D domain, is numerically evaluated by integrating the energy dissipation rate in the whole domain for an incompressible Stokes fluid. The finite element method is used to calculate both the energy dissipation rate in the whole domain as well as the drag on the boundary of the body. The evaluation of the drag and the energy dissipation rate are post-processing operations which are carried out after the velocity field and the pressure field for the flow over a particular profile have been obtained. The results obtained for the flow over three different but constant area profiles—a circle, an ellipse and a cross-section of a prolate spheroid—with uniform inlet velocity are presented and it is shown that the total drag force times the velocity is equal to the total energy dissipation rate in the entire finite flow domain. Hence, by calculating the energy dissipation rate in the domain with unit velocity specified at the far-field boundary enclosing the domain, the drag force on the boundary of the body can be obtained. 相似文献
106.
基于蚁群算法的区域覆盖卫星星座优化设计 总被引:1,自引:0,他引:1
首先建立了以区域覆盖性能为目标的卫星星座参数优化模型,通过在连续域定义新的蚂蚁分类与转移策略改进了蚁群算法,使算法能够兼顾多目标优化时目标不兼容的情况,给出了基于该算法实现星座参数优化的框架。优化仿真实验验证了该算法的有效性,可为星座方案决策提供有力的支持。 相似文献
107.
108.
Woo-Seok Cheong 《Journal of Electronic Materials》2003,32(4):249-253
For the lowest resistance, it is required to have the epitaxial silicon contact between the silicon plug and the substrate
and good step coverage at the high aspect-ratio contact holes, simultaneously. In this work, a double polysilicon (DPS) deposition
technique was proposed for the requirements. The first, thin silicon layer is deposited in a single-wafer process chamber
with an in-situ H2-RTP (rapid thermal process) treatment for the epitaxial contact, and the second silicon layer is formed in a batch-type furnace
for good step coverage. From chain resistance, Kelvin Rc, and current-voltage (I–V) measurement, the DPS process meets both low resistance and good uniformity, so that it suggests
a breakthrough in the small-sized, semiconductor device application. 相似文献
109.
用新的电路形式提高HBT光调制器驱动电路的传输速率及性能 总被引:1,自引:1,他引:0
在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性. 相似文献
110.
环境因子的定义及研究现状 总被引:12,自引:0,他引:12
胡斌 《太赫兹科学与电子信息学报》2003,1(1):88-92
从普遍接受的三个基本假设出发,讨论环境因子的定义和失效机理不变的约束条件,重点综述环境因子的研究现状和常用方法,并探讨引入反应论模型解决环境因子预测问题的可能途径。 相似文献