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942.
回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的加工技术. 通过模拟计算与具体实验相结合的方法,调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场. 近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展,进而有利于减少缺陷提高晶体的质量. 由于SiC硬度非常高,对单晶后续的加工造成很多困难,包括切割和磨抛. 研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体,可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片;采用化学机械抛光法,可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层,加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm. 相似文献
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分析宽频带、双极化、恒束宽四脊喇叭的混合方法 总被引:7,自引:3,他引:7
介绍了作为反射面天线馈源的宽频带、双极化、恒波束四脊喇叭,运用有限元和模式匹配相结合的混合法详细且计算了四脊喇叭的广义散射矩阵。然后运用口面积分计算了四脊喇叭的辐射远场,给出了四脊喇叭和用四脊喇叭做馈源的反射面天线的实测结果。 相似文献
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946.
采用金属Ga升华法在石墨烯/蓝宝石衬底上生长了高质量GaN纳米线,研究了不同的生长条件,如NH3流量、反应时间、催化剂和缓冲层等对GaN纳米线形貌的影响,采用扫描电子显微镜(SEM)对GaN纳米线进行表征.研究发现,在适当的NH3流量且无催化剂时,衬底上可以生长出粗细均匀的GaN纳米线.反应时间为5 min时,纳米线密集分布在衬底上,表面光滑.在石墨烯/蓝宝石上预先低温生长GaN缓冲层,然后升温至1 100℃进行GaN纳米线生长,获得了具有择优取向的GaN纳米线结构.研究表明,石墨烯和缓冲层对获得GaN纳米线结构有序阵列具有重要的作用. 相似文献
947.
针对在线式红外测温仪的测温精度易受环境温度影响,导致测温误差增大的问题,提出一种基于环境温度的红外测温补偿方法,以减少测温误差.首先根据红外测温原理,搭建了红外测温实验平台,获取了不同环境温度下的测温数据;然后利用最小二乘法原理对提取的测温误差均值进行误差-环境温度的曲线拟合,得到了红外测温补偿模型;最后对其进行了实验验证.实验结果表明,使用该补偿模型对红外测温数据进行补偿,得到的红外测温值与真实目标温度值的最大相对误差为0.29%,说明提出的补偿方法降低了环境温度对红外测温的影响,有效提高了红外测温精度. 相似文献
948.
为解决在远程视频监控中获取计算机监控屏幕图像的传统屏幕DC方法截取速度慢和DirectX方法适用用范围窄上所存在的不足,在屏幕DC方法的基础上,结合内存映射文件技术加快写屏的思想,提出一种优化屏幕信息采集的新方法。并将连续捕捉到的图像合成为AVI视频流,使之能够预览播放。实验分析表明,该方法既有较快的截图速率,同时具有适用范围广泛的优点,在远程视频监控屏幕信息采集系统中有很大的用途。 相似文献
949.
950.