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81.
介绍Cable Modem的基本概念、传输方式、标准规范,并对影响Cable Modem工作稳定性的反向噪声问题进行技术分析,并提出预防控制措施。  相似文献   
82.
用矩阵光学理论计算了由主振荡器和功率放大器组成的种子注入光腔。主振荡器光腔是由曲率半径R1=-250mm,R2=5000mm,相距L=2375mm的球面镜组成的正支非稳腔;功率非稳腔是由曲率半径R3=400mm,R4=5600mm,相距S=3000mm的球面镜构成的负支非稳腔。理论计算表明,该种子注入光腔可输出光束发散角约几十微弧的激光,可满足铜蒸气激光器主振荡器功率放大器(MOPA)的技术要求。  相似文献   
83.
利用双折射光纤环设计了可调功率均衡滤波器,实现了16路16×10.7 Gb/s NRZ码、超过1 600 km常规单模光纤(SMF)的系统传输及性能测试,信道误码率均小于3×10-5(FEC纠错前).数值仿真并实验研究了对单环长度240 km、损耗超过80 dB的环路16路10.7 Gb/s波分复用(WDM)系统传输的优化.传输7圈后,功率均衡器降低了信道功率不平坦度超过5 dBm.  相似文献   
84.
用溶胶-凝胶技术在Bi(100)衬底上制备了单层和渐变型多层的BaxSr(1-X)TiO3薄膜,其膜层组分分别为:Ba0.7Sr0.3TiO3,Ba0.8Sr0.2TiO,Ba0.9Sr0.1TiO3,BaTiO3,对生长制备出的多层BaxSr(1-X)TiO3薄膜进行了变角度椭偏光谱测量,通过椭偏光谱解谱分析研究,首次得到了BaxSr(1-X)TiO3多层膜结构不同膜层的膜厚和光学常数,其结果显示:椭偏光谱分析得到的不同膜层的膜厚与卢瑟福背向散射测量得到的结果基本相符;渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的折射率比单层BaTiO3薄膜折射率大许多,与体BaTiO3的折射率相接近,这说明渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的光学性质与体材料的光学性质接近。  相似文献   
85.
介绍了医用红宝石激光器触摸屏控制系统的基本结构,分析了医用红宝石激光器中主要电磁干扰(EMI)的产生机制,提出了具体的电磁兼容(EMC)技术措施并得到实验验证。  相似文献   
86.
1IntroductionSometi mes,noise can i mprove signal transmission orsignal processing in a nonlinear system.This phe-nomenonis the so-called Stochastic Resonance(SR)[1].Most studies of SRinvolve asubthresholdsignal througha single nonlinear systemand the non…  相似文献   
87.
复杂目标的近场散射特性分析   总被引:6,自引:0,他引:6  
陶建锋  盛孝鹏  孙青 《现代雷达》2006,28(10):75-78
详细分析了目标散射随距离而变化的特征,根据散射特点的不同将目标的散射特性分为远场散射、准近场散射、近场散射等三种情况,并对三种情况下的描述的手段进行了讨论,提出在近场条件下,用反射功率比的概念直接对散射目标的特性进行描述。  相似文献   
88.
微带型Wilkinson功分器设计与实现   总被引:2,自引:0,他引:2  
小型低功耗器件是射频电路设计的研究热点,而微带技术具有小型化低功耗的优点,为此在介绍微带型Wilkin-son功分器工作原理的基础上,使用基于矩量法的ADS软件设计、仿真和优化计算相关数据参数,并制作了一个微带功分器实例,最后对加工的样品进行实测,获得与仿真值吻合较好的预期结果。  相似文献   
89.
一种零电压转换有源功率因数校正电路的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种基于UC3854的零电压转换有源功率因数校正(ZVT-APFC)的控制电路实现方案,介绍了ZVT电路工作原理,着重分析了由分立元件构成的辅助开关管的驱动电路,通过实验证实了驱动电路的稳定性和可靠性,并通过效率比较验证了ZVT-APFC电路的优良性能。与采用UC3855的电路相比,该电路方案具有简单、可靠、成本低等优点。  相似文献   
90.
V波段小型化低相噪频率综合器   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
本文研究了一种V波段超小型低相噪频率综合器,研制了L段捷变频频综、Ku波段取样锁相源、上变频组件、倍频器等四个小型化组件.为了得到较低的相位噪声和捷变频速度,本捷变频频综采用上变频-倍频方案,其中DRO PLS保证低相位噪声性能,L波段捷变频频综保证捷变频功能.该频综尺寸为100×80×30mm3,相位噪声低于-86dBc/Hz(1kHz),捷变频时间小于40μs,杂波抑制优于-60dBc.  相似文献   
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