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31.
现代电子工业Cpk评价中的特殊问题 总被引:2,自引:0,他引:2
现代电子工业生产具有许多新的特点,如果不针对具体情况,均采用传统工业生产中广泛使用的常规方法计算其工序能力指数,评价生产工艺水平,将可能导致错误的结论。总结了电子工业生产中工艺参数的典型特点,并讨论了工序能力指数的正确计算方法。 相似文献
32.
介绍了医用红宝石激光器触摸屏控制系统的基本结构,分析了医用红宝石激光器中主要电磁干扰(EMI)的产生机制,提出了具体的电磁兼容(EMC)技术措施并得到实验验证。 相似文献
33.
34.
35.
Modeling ion implantation of HgCdTe 总被引:2,自引:0,他引:2
H. G. Robinson D. H. Mao B. L. Williams S. Holander-Gleixner J. E. Yu C. R. Helms 《Journal of Electronic Materials》1996,25(8):1336-1340
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction
is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant
doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by
Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T
by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution
depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released,
they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results
of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing
conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background. 相似文献
36.
Lu Chuanrong 《数学年刊B辑(英文版)》1997,18(1):71-78
Let $\{\xi_{\bold t}, {\bold t}
\in {\bold Z}^d\}$ be a nonuniform $\varphi$-mixing strictly stationary
real random field with
$E\xi_{\bold 0}=0, E|\xi_{\bold 0}|^{2+\delta}<\infty$ for some
$0<\delta<1$. A sufficient
condition is given for the sequence of partial sum set-indexed process
$\{Z_n(A),\ A\in \Cal A\}$ to converge to Brownian motion. By a direct
calculation, the author shows
that the result holds for a more general class of set index ${\Cal A}$, where
${\Cal A}$ is assumed only to have the metric entropy exponent $r, 0相似文献
37.
1引言CPL(毛细泵两相流回路)能传输较高的热负荷,而且不需要循环泵、阀门等运动部件,重量轻可靠性好;在飞行器热控制方面有很好的应用前景[1]。CPL在恶劣的空间环境中运行,需要防止工作介质出现冷冻,为此,我们已经用解析[2]和数值的方法[3]进行了初步的分析,得到了一些可供工程设计参考应用的结果。另外,在恶劣的空间环境中,如果出现冻结,需要融化起动,热管的安全设计需要研究它的融化特性,以确保热管在空间能正常运行。双倒易边界元方法用Laplace基本解[4],通过对一类偏微分方程两侧进行转化,将它全部转化为纯边界积分… 相似文献
38.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
39.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
40.
I. L. Eremenko M. A. Golubnichaya S. E. Nefedov A. A. Sidorov D. A. Nesterenko N. P. Konovalova L. M. Volkova L. T. Eremenko 《Russian Chemical Bulletin》1997,46(9):1595-1598
Thetrans-[Pt(NC5H4C(O)NHC2H4ONO2)2Cl2] complex (2) was prepared by the reaction of nicorandyl (N-nitroethoxynicotinamide), which is widely used in cardiology, with K2PtCl4 in water. The structure of2 was established by X-ray structural analysis. It was found that complex2 exhibits high antitumor activity, in particular, antimetastatic activity, unlike the analogous CuII complex with bromine atoms.
Translated fromIzvestiya Akademii Nauk. Seriya Khimicheskaya, No. 9, pp. 1672–1675, September, 1997. 相似文献