GIRSANOV'S THEOREM ON ABSTRACT WIENER SPACES

ＧＩＲＳＡＮＯＶ’ＳＴＨＥＯＲＥＭＯＮＡＢＳＴＲＡＣＴＷＩＥＮＥＲＳＰＡＣＥＳＺＨＡＮＧＹＩＮＮＡＮＡｂｓｔｒａｃｔＬｅｔ（Ｅ，Ｈ，μ）ｂｅａｎａｂｓｔｒａｃｔＷｉｅｎｅｒｓｐａｃｅｉｎｔｈｅｓｅｎｓｅｏｆＬ．Ｇｒｏｓ．Ｉｔｉｓｐｒｏｖｅｄｔｈ...     

激光热源形成过程的定量描述

研究了热传导方程的通解，进而提出激光热源形成的微观机理和热源形成过程的三个理论计算式。对激光热效应的应用具有指导意义。     

薄Si膜对基底表面粗糙度的影响

利用ＺＹＧＯ光学干涉测量仪，散射积分测量法观测了光学元件表面均方根粗糙度．详细分析了薄Ｓｉ膜对基底均方根粗糙度的影响，由此认为薄膜并不总是复制基底表面的粗糙度，结果出现了薄膜降低表面粗糙度的现象．提出了一定厚度范围的薄Ｓｉ膜的表面粗糙度存在着一个稳定值的新设想．     

电工实践教学改革与实践

电工实践教学是培养大学生电类工程能力的重要环节，本文介绍我们以培养人才为中心在电工实习基地建设；实践教学内容，方法和手段等方面进行的改革与实践。     

光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析

本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过程中的生长速率和生长压力的关系.并给出该理论结果和实际实验结果的比较.     

光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作

随着器件尺寸的缩小，细线条的制作成为很关键的工艺，普通光学光刻已接近其分辨率的极限，而电子束光刻和Ｘ射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究，并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作，在普通光学光刻机上制作出宽度小于０．２５μｍ细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的制作中。     

Computation of the quasi-stationary distributions inM(n)/GI/1/K andGI/M(n)/1/K queues

In this paper, we provide numerical means to compute the quasi-stationary (QS) distributions inM/GI/1/K queues with state-dependent arrivals andGI/M/1/K queues with state-dependent services. These queues are described as finite quasi-birth-death processes by approximating the general distributions in terms of phase-type distributions. Then, we reduce the problem of obtaining the QS distribution to determining the Perron-Frobenius eigenvalue of some Hessenberg matrix. Based on these arguments, we develop a numerical algorithm to compute the QS distributions. The doubly-limiting conditional distribution is also obtained by following this approach. Since the results obtained are free of phase-type representations, they are applicable for general distributions. Finally, numerical examples are given to demonstrate the power of our method.     

锰结核中硅,铝,铁,镁,磷,钾,锰,钛的XRFA

本文叙述了用XRF分析锰结核中Si、Al、Fe、Mg、P、K、Mn和Ti的方法。按照通常锰结核的主次成分制备6个人工合成标准,根据Sherman方程计算了已知成分(二元系统)的相对强度。用L-T方求得了互致元素校正的理论α系数(基本的、混合的、修正的),用DATAFLEX151B计算机以BASIC语言汇了“PRA,APU”计算机程序。然后进行非线性回归分析了锰结核样品得到了满意的结果。     

SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。