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921.
超高效液相色谱-串联质谱法快速测定农产品中残留的种衣剂农药 总被引:2,自引:0,他引:2
应用超高效液相色谱-串联质谱(UPLC-MS/MS)联用技术,建立了高灵敏、快速地同时检测农产品中8种种衣剂农药残留量的方法。样品经甲醇-水(体积比为1∶1)提取后,无需经过任何净化过程;以梯度流动相洗脱、经Acquity UPLC C18超高效液相色谱柱分离;电喷雾正离子(ESI+)采集模式、多反应监测模式(MRM)对定量离子和定性离子进行MS/MS测定。8种种衣剂农药在0.001~0.20 mg/L范围内线性关系良好(r≥0.997)。添加浓度为0.006~1.2 mg/kg时,回收率为60%~110%,相对标准偏差小于10%;方法的检出限为0.0005~0.002 mg/kg。该方法仅需约2 min的检测时间,而且灵敏、准确,适合于水果、蔬菜、粮谷等农产品中种衣剂农药残留量的快速、高灵敏地检测分析。 相似文献
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924.
925.
自然水体生物膜吸附Co,Ni和Cu的特征研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了在自然水体中培养的生物膜吸附Co,Ni和Cu等3种重金属的热力学和动力学特征,并对生物膜吸附各重金属的热力学数据进行了非线性拟合.结果表明,3种重金属的吸附过程均符合Langmuir吸附等温曲线.在溶液中重金属浓度<0.5μmol/L时,生物膜对3种重金属元素的吸附能力顺序是Co>Cu>Ni;在重金属浓度>0.5μmol/L时,顺序是Cu>Co>Ni.对动力学数据进行非线性拟合的结果表明,生物膜对Co,Ni和Cu的吸附均在数小时内达到平衡,吸附过程符合Langmuir等动力学曲线. 相似文献
926.
927.
TiAl过渡层对电弧离子镀沉积TiAlN膜层的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
利用电弧离子镀,在不锈钢和SiCP增强2024铝基复合材料基底上沉积TiAlN薄膜.结果表明:TiAlN膜层直接沉积在不锈钢基底上,膜层呈[111]择优取向;然而,TiAlN膜层沉积在不锈钢基底的TiAl过渡层上,膜层呈[220]方向择优取向;并且随着过渡层从零开始增厚,TiAlN膜层的织构系数T(111)逐渐减小,而T(200)逐渐增大,但膜层一直以[220]方向择优取向,内应力的存在可能是膜层产生[220]方向择优取向的原因.在复合材料基底TiAl过渡层上沉积,随着负脉冲偏压的增加,TiAlN膜层的择优取向由[111]向[200]转变.在不锈钢基底上,没有TiAl过渡层时,膜层表面相对光滑,大颗粒较少;有了TiAl过渡层,表面大颗粒较多;TiAl过渡层不同沉积时间对膜层表面影响不大,颗粒尺寸相差无几.没有TiAl过渡层时,膜层结合强度很差,有了TiAl过渡层,结合强度明显增加,但结合强度的大小随过渡层沉积时间(厚度)变化. 相似文献
928.
切削过程中金刚石薄膜从基体表面的破损剥落是金刚石薄膜涂层刀具的一种主要损坏形式.本文通过实验研究了金刚石薄膜涂层刀具的破损机理及刀具表面状态、切削用量对其损坏形式的影响.研究结果表明,较大的切削用量、机械冲击、交变切削载荷及积屑瘤频繁脱落等是导致金刚石薄膜涂层刀具破损剥落的主要原因.金刚石薄膜的破损剥落起始于薄膜与基体之间及薄膜底面金刚石晶粒之间的原始微小间隙缺陷,这些原始微小间隙缺陷是在沉积金刚石薄膜时,由于成核密度较低等原因而形成的.金刚石薄膜剥落时薄膜的断裂主要沿晶界发生. 相似文献
929.
B. Hoex A. J. M. van Erven R. C. M. Bosch W. T. M. Stals M. D. Bijker P. J. van den Oever W. M. M. Kessels M. C. M. van de Sanden 《Progress in Photovoltaics: Research and Applications》2005,13(8):705-712
High‐quality surface and bulk passivation of crystalline silicon solar cells has been obtained under optimum anti‐reflection coating properties by silicon nitride (a‐SiNx:H) deposited at very high deposition rates of ∼5 nm/s. These a‐SiNx:H films were deposited using the expanding thermal plasma (ETP) technology under regular processing conditions in an inline industrial‐type reactor with a nominal throughput of 960 solar cells/hour. The low surface recombination velocities (50–70 cm/s) were obtained on p‐type silicon substrates (8·4 Ω cm resistivity) for as‐deposited and annealed films within the broad refractive index range of 1·9–2·4, which covers the optimum bulk passivation and anti‐reflection coating performance reached at a refractive index of ∼2·1. Copyright © 2005 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
930.
在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶凝胶甩膜并经950℃真空(10-3Pa)热解处理法,制备出晶态SiC薄膜.用FTIR,XRD,TEM,RamanXPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质.结果表明制得的是沿(0001)高度择优取向的晶态6H-SiC薄膜.膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长,其最大尺寸约150nm,膜厚约为0.3μm,SiC中的Si/C比约为1.表层有少许污染C(CH和CO)和少量O(Si2O3,CO态氧和吸附氧).从对比实验可知,在热解时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量.
关键词:
碳化硅
薄膜
溶胶凝胶 相似文献