超级电容器在汽车启动中的应用

根据超级电容器的结构特性,介绍在汽车启动过程中如何利用超级电容器减小对车内其他电子设备的干扰,改善汽车的启动性能,延长蓄电池使用寿命.     

偶氮聚合物光存储研究进展

着重阐明了偶氮聚合物光存储纪录的原理,分析了其双折射特性的微观机制,介绍了该课题近年来实验和理论上的最新进展,对这一充满希望和挑战的多学科交叉研究专题作了展望。     

一种新的网络对象存储设备研究

Internet的飞速发展对于存储系统的可扩展性提出了很高的要求,也带来了由数据模型与存储模型的不一致问题引起的服务器性能瓶颈现象.针对这些情况,本文提出了网络对象附属存储设备(NAOSD)的概念,其利用设备处理器的能力直接支持结构化数据存储.这一设计减少了存储系统中数据服务器的负载,增加了系统吞吐量.同时,研究了该设备原型在集群环境中的应用,提出了数据/元数据统一存储与查询式数据定位机制.分析表明,这些机制能够较显著地提高系统扩展性——数据访问时间随系统规模的扩大呈对数增长,优于传统的映射定位机制.我们已经模拟实现了NAOSD,并在性能比较测试中取得了较好的效果.     

合肥光源高亮度模式Lattice设计

介绍了一组合肥光源新高亮度模式的Lattice. 新的设计维持了储存环上所有元件和光束线位置不变,也没有加入新的元件. 取得了较低发射度. 所有直线节处的垂直方向β函数值都很小，适合插入件的运行. 跟踪计算表明新Lattice具有足够大的动力学孔径用于注入和储存粒子.     

仓库容量有限条件下的随机存贮管理问题的评注

给出2005年全国部分高校研究生数学建模竞赛D题的研究背景,对参赛论文作了简要评注,并提供了一种参考解答.     

高温水蓄冷空调的原理和理论分析

介绍了一种新型高温水蓄冷空调方案的原理井进行了理论分析。它可利用高至３８℃水的显热或其它材料的相变潜热来蓄冷空调．分析了完全不掺混系统的性能与过冷水流率的关系；给出了完全掺混系统非稳态循环的性能变化；数值计算并讨论了蓄冷水部分掺混系统的温度分层和动态特性、为高温水蓄冷空调系统的设计和运行提供了理论指导．     

来自磁光阱中冷原子团的荧光干涉条纹及其应用

实验观察来自磁光阱中冷原子团的荧光经真空系统窗口的平板玻璃反射产生的干涉条纹，理论分析表明从从荧光干涉条纹的强度分布可获得关于俘获原子总数以及密度分布的信息。采用该方法实测了俘获原子总数，并模拟得到了不同密度分布时条纹的对比度变化。     

Organic Materials and Thin‐Film Structures for Cross‐Point Memory Cells Based on Trapping in Metallic Nanoparticles

Non‐volatile solid‐state memory cells based on composites of metal nanoparticles and polymers are embedded in organic semiconducting host materials. This paper presents data from a wide range of materials and device structures and shows that the switching phenomenon is commonly observed.     

A Nonvolatile Organic Memory Device Using ITO Surfaces Modified by Ag‐Nanodots

We report on a single‐layer organic memory device made of poly(N‐vinylcarbazole) embedded between an Al electrode and ITO modified with Ag nanodots (Ag‐NDs). Devices exhibit high ON/OFF switching ratios of 10⁴. This level of performance could be achieved by modifying the ITO electrodes with some Ag‐NDs that act as trapping sites, reducing the current in the OFF state. Temperature dependence of the electrical characteristics suggest that the current of the low‐resistance state can be attributed to Schottky charge tunnelling through low‐resistance pathways of Al particles in the polymer layer and that the high‐resistance state can be controlled by charge trapping by the Al particles and Ag‐NDs.