基于硫系玻璃的光学被动式红外无热化镜头设计

研究了一种锑化铟红外焦平面器件盲元分析方法,即无需将器件背面减薄就可进行盲元测试与分析。用该封装装配方式将器件倒置,实现从芯片正面吸收光的照射。在完成互连、灌胶以及每一步磨抛工艺步骤后,都可以进行测试和分析。结果表明,该方法能够有效地分析和定位每步工序过程中产生的盲元情况,解决了现有技术手段中对红外焦平面器件因产生盲元导致像元失效无法准确定位出现在哪步工艺的问题。     

脉冲激光测距机光轴平行性的自动检测研究

通过采用一种红外探测转换器件配合CCD采集系统,可有效捕捉到脉冲激光测距机的激光光斑,经程序自动判别激光光斑的中心点坐标,可实现脉冲激光测距机白光瞄准轴和激光发射轴的光轴平行性检测。     

一种高频无极灯驱动装置设计与实现

无极灯是一种新型绿色光源,因其独特的优点正逐步得到推广。文章回顾了无极灯的发光原理,分析了传统高频无极灯驱动装置采用分立元件设计带来的缺点,提出了一种新型的基于IC驱动的高频无极灯驱动装置,并给出了设计模块的原理图。经过测试,本方案给出的驱动装置可以稳定高效地驱动高频无极灯并应用于实际。     

不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究

研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的分布有着很大的差异.而俘获电荷的产生与电场又有着紧密的联系,所以造成了俘获电荷的分布和密度有很大的不同,从而对器件的影响也不同.模拟结果表明,在三种不同的偏置条件下,OFF态（关态）时背沟道附近陷获电荷密度最高,以常数电流法估算出的阈值电压负漂移最大,同时引起了最大的本底静态漏电流.     

非均匀介质中对称耦合三线的传输矩阵

采用新的方法推导出非均匀介质中对称耦合三线的传输矩阵 ( T参数 )解析表达式 ,给出了以正规模式参量描述的 T参数表达式。所得 T参数表达式形式简明 ,物理概念明晰。将无损状态下的 T参数通过矩阵分块运算推导 S参数 ,与文献结果进行了验证。验证结果表明所得 T参数解析表达式的正确性和本文方法的有效性。非均匀介质中对称耦合三线的 T参数解析表达式的导出为其在微波集成电路及三维 (多层 )微波集成电路中的应用提供了有力的理论工具。     

基于预充电和双采样技术的 S/H 电荷共享消除技术

针对开关电容采样/保持(S/H)电路中由负载电容记忆效应引起的电荷共享问题进行了建模.电荷共享效应会导致运放建立幅度增加,根据所推导的运放建立总公式,得出建立幅度增加会增大对运放功耗和带宽要求,或者降低建立速度.为改善该现象,基于预充电思想和双采样技术提出了一种优化方案,能在保持原 S/H 电路速度不变时,消除电荷共享效应对运放功耗和带宽的额外要求.仿真实现的12位100Msps 双采样/保持电路证明了其有效性.     

0.18μm工艺下p-n结电荷收集的三维TCAD模拟

采用三维TCAD模拟的手段,针对0.18μm工艺下的真实p-n结,研究了偏压、温度、衬底掺杂浓度和LET对辐射诱导的SET电流脉冲的影响. 研究结果表明,在1.62～1.98V的范围内,偏压对电流脉冲的形状有明显影响,而对2ns内的电荷收集总量几乎没有影响;电流脉冲峰值和2ns内的电荷收集总量均随着温度的增加而降低,但温度对电流脉冲峰值的影响更大,而对电荷收集总量的影响相对较小;在典型的现代工艺条件下,衬底掺杂浓度的起伏对单粒子加固性能的影响基本可以忽略;电流脉冲的峰值和电荷收集量二者均随着LET的增加而增加.     

基于耦合电感的四相交错Buck变换器研究

基于耦合电感的四相交错Buck变换器是由4个同步Buck变换器通过磁耦合技术并联组成。在分析其工作原理、软开关条件以及设计耦合电感的基础上,以TMS320F28035作为控制核心,搭建了一台16 kW的实验样机。实验结果表明,该变换器在移相（PS）PWM控制策略下,开关管电流应力小,电流纹波明显减小,可在全负载范围内实现零电压开关（ZVS）,适用于低压大电流、大功率应用场合。     

具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管

在SiO2/Si(P++)衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2 栅氧, 得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度, 表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10-13 A)处的信号, 限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现, 基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力, 显示出丰富的应用前景.     

电容式z轴微机械陀螺的噪声抑制

将z轴微机械陀螺两个模态的机械噪声效应等效为各自在单位噪声力作用下的振动,根据陀螺的工作原理得到两个噪声力作用下陀螺敏感模态的机械输出噪声。建立了包含运放和电路板非理想因素在内的接口电路的噪声模型。结合机械噪声模型和接口电路模型噪声,建立了包括结构参数和电路最小检测电容量在内的陀螺的噪声等效输入角速度模型,为陀螺的设计优化提供了参考。分析了结构参数对陀螺等效输入角速度噪声影响,并采用两个参数不同的电容式z轴微机械陀螺进行了实验。结果表明,通过结构参数的调整,将电容式z轴微机械陀螺的输出噪声从414μV/Hz降低至235μV/Hz。