半导体浪涌保护器基区参数探讨

讨论了半导体浪涌保护器件的基区宽度，着重分析了基区宽度与开通电压、静电电容、浪涌能力的关系，指出控制基区宽度，可有效地提高器件的浪涌能力，降低静电电容和开通电压     

水下成像的现状和发展动向

本文以下水成像在军事，海洋开发工程应用为基础，论述了水下观测和成像中采用微光电视摄像机和激光器件及其系统的技术现状和发展动向。     

集成半导体器件的工作稳定性与频响设计

本文用频响特性与试验研究相结合的方法,对三个微电子产品实例进行模拟,讨论了如何设计补偿元件,防止自激振荡,保证闭环稳定且满足各项性能指标要求的问题。     

新型显示器件进展

介绍了有源（光发射）和无源（光反射）显示器件－气体－电子－荧光粉显示，冷阴极场致发射矩阵平板显示、电泳成像显示和电化学显示器件等的发展情况。     

小波变换在手写体汉字识别中的应用

汉字识别中的结构类特征具有抗变形的优点，合适做为手写体识别过程使用，但其中笔划特征的提取非常困难。本文用小波变换这一图象分析中有力工具对汉字图象分析处理之后，再进行笔划的提取，其过程简洁、明晰。     

微结构量子器件

微结构量子器件是八十年代中期伴随着微结构物理的发展而出现的一种新的半导体器件,这种器件以量子力学原理工作,具有常规“经典”器件无法比拟的优异特性。本文在简要介绍了微结构系统电子状态的基础上,较详细地描述了量子谐振隧道器件以及量子线和量子点激光器的基本原理、特点及其应用前景。     

聚合物电致发光材料研究进展

本文较详细地综述了聚合物电致发光材料的研究进展，重点介绍了聚对苯撑乙烯（ＰＰＶ），并提出了有关聚合物电致发光材料及器件构造研究的一些观点。     

一种自制的蒸馏水器保护装置

本装置由检测、控制、执行、报警和电源五部分组成。检测部分采用了靠正常水位导通的两根信号线。当蒸馏水器在正常运行时遇停水,本装置可立即实现断电保护,同时发出声光报警,有效防止干烧,杜绝事故发生。本装置制作简便,元器件均为市售,成本低廉,性能可靠。     

自旋交叉配合现象与分子电子器件

自旋交叉配合物在热、压力或光诱导自旋交叉现象的同时会伴随着其它一些协同效应，比如配合物颜色的改革、存在着大的热滞后效应等，这些协同效应是单个分子或分子集合体作为热开关、光开关和信息存储元件材料的基础。因此，自旋交叉配合物是开发新型的热开关、光开关和信息存储元件材料的理想分子体系。本文概述了自旋交叉现象的研究历史、现状和未来的发展趋势。讨论了影响配合物自旋交叉性质的各种内在的和外部的因素，总结了目前用于研究自旋交叉现象的各种现代测试技术。最后，展望了自旋交叉配合物在分子电子器件方面的应用前景。     

Comparison of procedures for correction of matrix interferences in the multi-element analysis of soils by ICP-AES with a CCD detection system

Three procedures, matrix matching, plasma optimisation and single-point standard-addition, have been evaluated to ascertain the best procedure for simultaneous multi-element analysis of industrial soils by ICP-AES with CCD detection. A standard reference material, CRM143 from the Bureau Communautaire de Réference (BCR), has been analysed for Cd, Cr, Cu, Mn, Ni and Pb using the three different matrix interference correction procedures. All three procedures give comparable results which are in good agreement with the BCR values, except for Cr. The single-point standard addition procedure was chosen, on the basis of economy and ease of implementation, to correct for matrix interferences in the determination of Cd, Co, Cr, Cu, Mn, Mo, Ni, Pb, Sn and V in soil samples collected from an industrial site in England. Concentrations of some of the elements were found to vary greatly with sampling depth. For example, the concentration of Mn, determined using the atomic line at 279.920 nm, increased from 426 ± 3 g/g at a depth of 18–28 cm to 5996 ± 144 g/g at 60–85 cm.