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21.
22.
激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析 总被引:2,自引:2,他引:0
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。 相似文献
23.
The γcmc values of CTAB-SDS decrease from 63.67 mN/m at 10‡C to 36.38 mN/m at 90‡C, slightly lower than those of either CTAB or SDS.
Correspondingly, the CMC of CTAB-SDS decreases almost by half. The increase of surface activity of CTAB-SDS can be attributed
to the relatively weak electrostatic interaction at high temperature, which is supported by the increase of solubility of
CTAB-SDS with rise in temperature. Catalytic effect on oxidation of toluene derivatives with potassium permanganate follows
the order CTAB-SDS > SDS > CTAB. This is not caused by the dissociative effect of CTAB-SDS with low surface activity at low
temperature, as seen from the fact that almost all oxidative products can be retrieved for different toluene derivatives and
surfactants by mimicking the conditions of reaction. In the emulsifications of toluene derivatives at 90‡C, the time that
turbid water layers of surfactant solutions take to become clear is the same as that of the catalytic effect on oxidation
of toluene derivatives. Thus, it can be inferred that surfactants can improve the oxidation yields of toluene derivatives
by increasing the contact between two reacting phases. 相似文献
24.
25.
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献
26.
27.
在设计数字信号处理器时我们经常要设计高性能的乘累加运算器,文章详细分析了乘累加运算器的结构,提出了其高性能设计方案并采用标准单元进行了实现,同时提出了DCT运算单元的高性能解决方案。 相似文献
28.
29.
30.
A mixed mode digital/analog special purpose VLSI hardware implementation of an associative memory with neural architecture is presented. The memory concept is based on a matrix architecture with binary storage elements holding the connection weights. To enhance the processing speed analog circuit techniques are applied to implement the algorithm for the association. To keep the memory density as high as possible two design strategies are considered. First, the number of transistors per storage element is kept to a minimum. In this paper a circuit technique that uses a single 6-transistor cell for weight storage and analog signal processing is proposed. Second, the device precision has been chosen to a moderate level to save area as much as possible. Since device mismatch limits the performance of analog circuits, the impact of device precision on the circuit performance is explicitly discussed. It is shown that the device precision limits the number of rows activated in parallel. Since the input vector as well as the output vector are considered to be sparsely coded it is concluded, that even for large matrices the proposed circuit technique is appropriate and ultra large scale integration with a large number of connection weights is feasible. 相似文献