基于CEBus的家庭网络通信系统设计研究

介绍一种参照CEBus标准中电力线载波规范设计实现的家庭网络通信系统。它主要由集中配置的中心主控设备(MCU)和分散配置的数字控制单元(DCU)构成,以家庭中的220V(或380V)电力线为传输媒介。MCU可以实现对DCU中连接家电产品的开关调控及状态信息的收集处理,同时MCU还作为网关设备提供在Internet、电话网络及无线遥控终端上对家电产品实现远程测控的接口。     

MIMO-OFDM中基于系统分解的VC子空间盲信道估计快速算法

研究MIMO-OFDM系统中的盲信道估计问题。将OFDM系统中的子空间盲信道估计方法引入到MIMO-OFDM系统中,建立了带有虚拟载波的系统数据传输模型。针对MIMO-OFDM系统VC子空间盲信道估计算法复杂度高的特点,提出了一种该算法下基于系统分解的快速方法。仿真实验结果表明,算法在RMSE性能上稍差于原算法,但却显著降低了信道估计算法的复杂度,对快速信道估计应用方面具有一定的指导意义。     

用于移动支付的高精度高灵敏度时钟恢复电路

介绍了一个应用在移动支付系统里的全集成载波时钟恢复电路。它由一个采样检测模块和一个电荷泵锁相环组成。与传统13.56MHz标签里的时钟恢复电路相比,这个电路能够从开关键控信号里恢复高精度的连续载波时钟。整个芯片由0.18μm EEPROM CMOS工艺制造,工作电压为1.5V。实验结果表明该电路恢复频率的偏移为0.34%,灵敏度为8mV。     

激光器强度噪声对光纤水听器相位载波解调的影响

相位载波(PGC)调制解调技术作为光纤水听器主要的检测技术之一,已经应用于许多光纤水听器阵列系统之中,该方案对光源提出了窄线宽、可调谐、低噪声等较高的要求。实验中发现,光源弛豫噪声对系统噪声性能产生了较大的影响。在理论分析光源弛豫噪声对相位载波解调影响的基础上,提出了通过调节抽运功率,控制弛豫振荡中心频率为相位载波调制频率的半倍频的奇数倍,来降低系统解调噪声的方法,实验验证了理论结果,解调噪声由最高的—86.7 dB减小到—106 dB。实验进一步采用了光电负反馈方法来抑制弛豫噪声,在弛豫振荡峰处抑制噪声约25 dB,得到了约—100 dB的较为平坦的激光器噪声谱级,使得相位载波解调噪声达到—110 dB,基本满足了光纤水听器系统的要求。     

MC-CDMA系统存在频偏时的性能分析

多载波码分多址(MC-CDMA)是把正交频分复用(OFDM)和码分多址(CDMA) 结合起来的新一代移动通信系统.详细构建了一个MC-CDMA 系统的数学模型,并给出了载频偏移和多径信道存在时的矩阵-向量表示模型.在此系统模型的基础上,分析了频偏对MC-CDMA系统多用户检测器性能的影响.MATLAB仿真显示了MC-CDMA系统对频偏极为敏感,当经历多径Rayleigh信道时,系统只能忍受较小的频偏.     

Electrical properties of HgCdTe epilayers doped with silver using an AgNO3 solution

We employed AgNO₃ solutions for doping Ag in liquid phase epitaxy (LPE) grown Hg_0.78Cd_0.22Te epilayers and found that the minority carrier lifetimes became longer so that the diode properties improved. After annealing LPE grown Hg(1-x)Cd(x)Te layers (x=0.22) in Hg atmosphere, the epilayers were immersed in an AgNO₃ solution at room temperature. The typical carrier concentrations of holes was 3 × 10¹⁶ cm⁻³ at 77K. These values were almost the same as for the nondoped wafers. Also, its acceptor level was 3 to 4 meV. This shows that the Ag was activated. The doped crystals have lifetimes several times longer than those of the nondoped crystals. Numerical fitting showed the lifetime was limited mostly by the Auger 7 process. The Shockley-Read-Hall recombination process was not effective. To examine the Ag-doped wafer, we fabricated photodiodes using standard planar technology. The diodes have an average zero-bias resistance of several MΩ and a shunt resistance of about 1 GΩ for a 10 μm cutoff wavelength at 78K. These values are about four times higher than those of nondoped diodes. The photo current is also two times higher at the same pixel size. This shows that the quantum efficiency is increased. The extension of the lifetime contributes to the high resistance and the high quantum efficiency of the photodiode.     

BDN染料的锁模特性和基态恢复时间

本文报道了国产BDN染料的碘乙烷溶液、吡啶溶液和二甲亚砜溶液的锁模特性和基态恢复时间。     

能量回收电容耦合逻辑及其综合方法

提出了一种新型能量回收电路ERCCL（能量回收电容耦合逻辑）,该电路的能耗低于传统CMOS电路及其他能量回收电路．ERCCL利用电容耦合进行逻辑求值,因此可以在一个门中低能耗地实现高扇入、高复杂度的逻辑．同时ERCCL是一种阈值逻辑．所以一个基于ERCCL的系统可以大大减少逻辑门数,从而降低系统能耗．针对ERCCL提出了一种阈值逻辑综合方法．用基准电路集MCNC做了相应的实验．与SIS的综合结果相比,该方法大约减少80％的逻辑门．     

表面光电压技术在Si外延过程中的应用

介绍了用表面光电压(SPV)法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法,分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素,得出了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件。提出了在外延工艺前后,用SPV法测试同一p型控片中少子的扩散长度和体Fe含量,对比前后值的大小来监测Si外延工艺过程中的沾污情况。分别给出了衬底片、石墨基座、HCl、SiHCl3、外延腔体等5种Si外延过程中最常见沾污源的监控和识别流程,特别以平板式外延腔体为例,具体说明了识别及排除Fe沾污所运行的工艺程序,并对Fe沾污的测试结果进行了分析,确定了Fe沾污的来源。     

掺In碲镉汞的光学和电学性能研究

碲镉汞材料的电学、光学性能直接影响红外探测器的性能,掺杂是一种有效提高材料性能的手段,因此碲镉汞材料的相关掺杂研究至关重要。利用步进式扫描傅里叶红外调制光致发光(Fourier Transform Infrared Modulated Photoluminescence, FTIR-PL)测试仪对不同退火条件下的掺In碲镉汞材料进行了变温测试,降低了实验过程中的信噪比,获得了较好的光谱图。在此基础上结合霍尔测试结果,分析了由温度变化导致的能级位置变化以及不同退火条件处理后碲镉汞材料的发光峰强度和位置的变化。