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S. G. Jadhav T. R. Bieler K. N. Subramanian J. P. Lucas 《Journal of Electronic Materials》2001,30(9):1197-1205
Stress relaxation experiments were carried out at 25 C and 150 C on 96.5Sn-3.5Ag eutectic solder and Sn-Ag composite solder
joints (Sn-Ag eutectic solder with 20 vol.% Cu6Sn5 reinforcements incorporated by in-situ methods). The magnitude of the stress drop during relaxation depends primarily upon
the plastic shear strain imposed prior to the stress relaxation process. For sequential stress relaxation experiments that
include unloading, the stress drop is nearly independent of the accumulated plastic shear strain. However, for sequential
stress relaxation that does not include unloading, the stress relaxation is more dependent upon the cumulative plastic shear
strain history. The stress in single shear lap joints does not relax to zero stress, as is observed in stress relaxation of
bulk tension specimens, even at 150 C. Creep strain rates extracted from the relaxation data were much lower with smaller
pre-strains in both eutectic Sn-Ag and composite solder joints. The stress exponent values (n) calculated from the stress
relaxation test data ranged from 7 to 15 for both eutectic and composite solder joints, which were consistent with conventional
creep data. These stress-relaxation behaviors can be explained on the basis of dislocation recovery processes that occur during
relaxation and when specimens are unloaded. 相似文献
934.
G. Wang T. Ogawa F. Kunimasa M. Umeno T. Soga T. Jimbo T. Egawa 《Journal of Electronic Materials》2001,30(7):845-849
Hydrogen (H) plasma passivation effects on GaAs grown on Si substrates (GaAs on Si) are investigated in detail. H plasma exposure
effectively passivates both the shallow and deep defects in GaAs on Si, which improves both the electrical and optical properties.
It was found that the minority carrier lifetime is increased and the deep level concentration is decreased by the H plasma
exposure. In addition, after H plasma exposure, room temperature photoluminescence (PL) for Al0.3Ga0.7As/GaAs multiple-quantum-well (MQW) on Si is enhanced with a decrease in the spectral width. 相似文献
935.
少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得到较大的改善。 相似文献
936.
研究了 MOS器件中的热载流子效应 ,在分析了静态应力下 MOSFET寿命模型的基础上 ,提出了动态应力条件下 MOSFET的寿命模型。此外 ,还研究了沟道热载流子的产生和注入与器件偏置条件的关系 ,讨论了热载流子效应对电路性能的影响。通过对这些失效因素的研究和通过一定的再设计手段 ,可以减少热载流子效应导致的器件退化 相似文献
937.
Azothia- and Azoxythiacrown Ethers as Ion Carriers. Part I. Cationic Response of Membrane Electrodes
Katarzyna Wygladacz Elzbieta Malinowska Jolanta Szcztygelska-Tao Jan F. Biernat 《Journal of inclusion phenomena and macrocyclic chemistry》2001,39(3-4):303-307
13-Membered azothia- and azoxythiacrown ethers have been applied as ion carriers in ion-selective membrane electrodes. Their sensitivity and selectivity were studied towards alkali, alkaline earth, transition and heavy metal cations. It was found that membranes doped with the azoxythiacrown ether (A) show higher affinity towards Pb2+ than Cu2+ (log KCu,Pb
pot = 1.7), whereas membranes with the azothiacrown ether (B) are more selective towards Cu2+ than Pb2+ (log KCu,Pb
pot = -2.4). The discrimination of alkali and alkaline earth cations was found to be greater for B than for A. Electrodes with both ionophores suffered from strong interference by Ag+ and Hg2+. The relation between the carrier structure and electrode properties has been discussed. 相似文献
938.
939.
940.
聚丙烯酸载体用于青霉素酰化酶的固定 总被引:3,自引:1,他引:2
以反应性单体丙烯酸和交联剂二乙烯基苯,以石油醚为致孔剂,通过悬浮聚合制备固定化酶的载体,并用于对青霉素酰化酶的固定。研究了丙烯酸与二乙烯基苯以不同摩尔比对青霉素酰化酶固定活性的影响,以及悬浮聚合时水油相比例的不同所合成的载体对固定化酶性能的影响。当丙烯酸和二乙烯基苯摩尔比为84.2:4时合成的载体固定青霉素酰化酶的酶活为2784U/g,而水油相比为2.75:1(丙烯酸和二乙烯基苯摩洋比为84.2:5)时固定青霉素酰化酶活达到2183U/g。固定青霉素酰化酶可使青霉素转化,得到半合成青霉素的中间体6-氨基青霉烷酸,由此可制成高效、广谱、服用方便的新青霉素。 相似文献