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对鱼糜漂洗水中可溶蛋白的综合回收技术情况进行了相关介绍, 主要包括絮凝沉淀法、等电点沉淀法、膜分离法、电阻加热法等, 这些技术的使用不仅实现了蛋白资源的再利用, 而且也减少了对环境的污染. 相似文献
43.
基于压缩感知的光谱成像系统需要合适的算法解码采样数据才能得到最终的光谱成像数据,传统单稀疏域变换算法会带来光谱细节损失等问题。针对该问题,本文提出了利用双稀疏域联合求解的方法(JDSD),将信号分解为低频部分和高频部分,并针对不同频率信号特点分别进行稀疏恢复,进而解码求解以实现高精度恢复信号。在数据验证中,首先利用OMP算法在频域内对光谱信息轮廓进行恢复,利用IRLS算法在空间域内对光谱细节进行补偿,分析了不同稀疏变换对于参数设置的影响,测试了不同算法组合的JDSD对于测试数据的恢复结果。对于500种光谱数据仿真测试表明,双稀疏域联合求解可将光谱恢复保真度大大提升,20%采样率情况下,SAM和GSAM指标由传统方法的0.625和0.515分别提升为0.817和0.659,80%采样率情况下,SAM和GSAM指标由传统方法的0.863和0.808分别提升为0.940和0.897。JDSD算法可以使得光谱吸收峰等细节特征得到高精度保持,对于基于光谱的特征分析、物质识别等应用具有十分重要的意义。 相似文献
44.
电力线载波通信EMI滤波电路研究 总被引:1,自引:0,他引:1
电力线通信是一个正在发展的崭新学科,但由于电力线传输的无屏蔽性,给电力线通信带来严重的电磁干扰与电磁兼容问题。在深入分析了电力线通信系统产生电磁干扰的主要原因的基础上,对EMI滤波电路进行了设计研究,并通过实验验证了该滤波网络对于抑制电力线载波通信EMI的可行性。 相似文献
45.
少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段.基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合中心时,少子衰减过程的变化规律;受主型电子陷阱和复合中心并存时,少子衰减过程的变化规律.研究表明:p型单晶硅中仅存在电子陷阱或复合中心时,二者的密度和俘获截面越小,少子寿命越长,且二者均存在一个最小阈值;当二者并存时,少子电子的衰减过程可根据少子寿命值的不同分成不同的衰减区域. 相似文献
46.
Three indicators (T1000, T5000, and T1000/T5000) are used to appraise the infrared (IR) transmission spectra for Cd1−xZnxTe (CZT) slices. By comparing the values of these three indicators, four typical types of IR spectra are characterized for
CZT crystals. The CZT crystals possessing the four types of IR spectra are different in microstructures, especially the densities
and sizes of Te precipitates, the free carrier concentrations, and the resistivities. Mechanisms for the elimination of tiny
and dense Te precipitates are given by analyzing the variation of the IR transmittance in the range of 500–5000 cm−1 during the annealing process. 相似文献
47.
基于CEBus的家庭网络通信系统设计研究 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍一种参照CEBus标准中电力线载波规范设计实现的家庭网络通信系统。它主要由集中配置的中心主控设备(MCU)和分散配置的数字控制单元(DCU)构成,以家庭中的220V(或380V)电力线为传输媒介。MCU可以实现对DCU中连接家电产品的开关调控及状态信息的收集处理,同时MCU还作为网关设备提供在Internet、电话网络及无线遥控终端上对家电产品实现远程测控的接口。 相似文献
48.
49.
50.
M. Tanaka K. Ozaki H. Nishino H. Ebe Y. Miyamoto 《Journal of Electronic Materials》1998,27(6):579-582
We employed AgNO3 solutions for doping Ag in liquid phase epitaxy (LPE) grown Hg0.78Cd0.22Te epilayers and found that the minority carrier lifetimes became longer so that the diode properties improved. After annealing
LPE grown Hg(1-x)Cd(x)Te layers (x=0.22) in Hg atmosphere, the epilayers were immersed in an AgNO3 solution at room temperature. The typical carrier concentrations of holes was 3 × 1016 cm−3 at 77K. These values were almost the same as for the nondoped wafers. Also, its acceptor level was 3 to 4 meV. This shows
that the Ag was activated. The doped crystals have lifetimes several times longer than those of the nondoped crystals. Numerical
fitting showed the lifetime was limited mostly by the Auger 7 process. The Shockley-Read-Hall recombination process was not
effective. To examine the Ag-doped wafer, we fabricated photodiodes using standard planar technology. The diodes have an average
zero-bias resistance of several MΩ and a shunt resistance of about 1 GΩ for a 10 μm cutoff wavelength at 78K. These values
are about four times higher than those of nondoped diodes. The photo current is also two times higher at the same pixel size.
This shows that the quantum efficiency is increased. The extension of the lifetime contributes to the high resistance and
the high quantum efficiency of the photodiode. 相似文献