全文获取类型
收费全文 | 8033篇 |
免费 | 914篇 |
国内免费 | 321篇 |
专业分类
化学 | 1548篇 |
晶体学 | 111篇 |
力学 | 981篇 |
综合类 | 58篇 |
数学 | 339篇 |
物理学 | 1842篇 |
无线电 | 4389篇 |
出版年
2025年 | 27篇 |
2024年 | 164篇 |
2023年 | 167篇 |
2022年 | 162篇 |
2021年 | 237篇 |
2020年 | 310篇 |
2019年 | 236篇 |
2018年 | 189篇 |
2017年 | 261篇 |
2016年 | 299篇 |
2015年 | 317篇 |
2014年 | 464篇 |
2013年 | 527篇 |
2012年 | 496篇 |
2011年 | 464篇 |
2010年 | 385篇 |
2009年 | 427篇 |
2008年 | 445篇 |
2007年 | 456篇 |
2006年 | 478篇 |
2005年 | 391篇 |
2004年 | 388篇 |
2003年 | 350篇 |
2002年 | 258篇 |
2001年 | 222篇 |
2000年 | 194篇 |
1999年 | 150篇 |
1998年 | 142篇 |
1997年 | 103篇 |
1996年 | 116篇 |
1995年 | 89篇 |
1994年 | 61篇 |
1993年 | 56篇 |
1992年 | 32篇 |
1991年 | 37篇 |
1990年 | 39篇 |
1989年 | 31篇 |
1988年 | 25篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 12篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 7篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 13篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 2篇 |
1975年 | 1篇 |
1971年 | 4篇 |
1957年 | 4篇 |
排序方式: 共有9268条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
The nature of bonding and possible causes of Fermi level pinning at high mobility-high dielectric constant oxide GaAs:HfO2 interfaces are discussed. It is argued that these are atoms with defective bonding, rather than states due to the bulk semiconductor of its interface. Electron-counting rules are used to define interfaces which are insulating, and which can be used in future as hosts for interfaces containing defects. 相似文献
72.
Athanasios Stefanou 《Journal of Electronic Materials》2008,37(2):172-175
Four interface models for crystalline oxynitride on (001)Si substrates are proposed and investigated. All four models are
proposed to model thin oxynitride films on Si substrates, according to experimental findings and theoretical studies on amorphous
oxynitride films and nitrogenated SiO2. State-free insulating interfaces were obtained by expanding the bulk oxynitride cell by approximately 12% and 1% along the
[100] and [010] axes, respectively, and interfacing it with (001)Si. Results demonstrate state-free insulating interfaces
for all models with, however, valence-band offsets slightly above or below 1 eV. The significant decrease in the valence-band
offsets is mainly attributed to the significant expansion of the oxynitride’s lattice constant to lattice-matched (001)Si,
as well as to the high concentration of nitrogen atoms in the oxynitride bulk. 相似文献
73.
滚塑生产是塑料制品的主要生产方式。现有的滚塑设备已成为制约企业发展的关键因素。研制以PLC为核心控制元件、基于MODBUS协议的控制系统已迫在眉捷。着重介绍基于MODBUS现场总线的滚塑设备控制系统,它由上位机、PLC、变频器组成一个数字通信网络,可方便地实现对现场各参数的修改,将系统运行中出现的故障进行分级处理,并将各参数进行记录。将现场总线应用到滚塑设备的控制系统之后,既可以提高设备的智能化程度又能提高生产效率,同时增强了设备运行的可靠性、稳定性,使产品质量大大提高。利用现场总线PLC,PLD等现代化数控网络技术对滚塑设备进行革新和改造,显著提高现有设备的智能化程度。 相似文献
74.
75.
本文立足于计算机人机界面应用美学原则这一层面,对计算机人机界面应用美学实施探讨,根据所进行的总结,怎样凭借计算机人机交互界面美感提升来将用户使用人机交互效率与感受提升。 相似文献
76.
随着我国"节能减排"的势在必行,船舶靠港期间使用码头岸电以及岸电供给的智能监控已经成为当前的趋势,并正在大力推广。CAN总线在智能监控领域具有广阔的应用前景,在大型网络监控系统中,监控系统的实时性具有重要的意义。文章分析了CAN总线的实时性问题,针对CAN协议提出了仿真模型,实验测出延时数据,总结比较了当前几种基于TTCAN的算法优化问题。对于开发大型网络监控系统具有一定的现实参考意义。 相似文献
77.
MCP3201是Microchip公司生产的12位分辨率模数转换芯片,可以借助兼容SPI的简单串行接口进行通讯,具有高性能、低价格、高速度、低功耗的优点,适用于传感器接口、数据采集、过程控制及电池供电系统等诸多场合。介绍了MCP3201的基本特性、引脚功能及工作时序,提供硬件接口的设计范例,并给出基于C语言的实用的具体程序。 相似文献
78.
介绍了bluetooth ASIC内部结构、特性以及接口逻辑和嵌入式应用设计实例.由bluetooth基带控制器与无线射频收发器接口组成的bluetooth模块,通过UART/PCM和USB向数字和语音设备提供全兼容的bluetooth接口,可方便地构成bluetooth设备. 相似文献
79.
论现场总线系统及其应用技术 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍FCS的结构、特点,及其与DCS系统的对照与集成并用。最后简述了以FCS为基础的控制系统与网络系统的构建、形成与开发,并结合我国目前的实际情况提出FCS在应用中要考虑的一些实际问题,及选择FCS的一些建议。 相似文献
80.
N-channel, inversion mode MOSFETs have been fabricated on 4H−SiC using different oxidation procedures, source/drain implant
species and implant activation temperature. The fixed oxide charge and the field-effect mobility in the inversion layer have
been extracted, with best values of 1.8×1012 cm−2 and 14 cm2/V-s, respectively. The interface state density, Dit close to the conduction band of 4H−SiC has been extracted from the subthreshold drain characteristics of the MOSFETs. A comparison
of interface state density, inversion layer mobility and fixed oxide charges between the different processes indicate that
pull-out in wet ambient after reoxidation of gate oxide improves the 4H−SiC/SiO2 interface quality. 相似文献