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本文通过对三量子点的对称和不对称耦合的研究,揭示了电子在耦合的三量子点体系中的动力学特性,研究发现,当三个量子点耦合在一起时,电子在三个量子点之间隧穿,在大多数情况下,电子在第三个量子点的几率小于1。 相似文献
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阐明了3ω方法的机理,并在此基础上讨论了它的一些基本应用.利用3ω方法可以对具有优 良导热和导电能力的材料的热导率和热容进行测量;对不能导电的材料,固态的或液态的, 利用3ω方法能对它们的热导率进行测量.对测量中涉及到的热辐射问题的讨论表明,由于使 用的是小样品,热辐射造成的影响可以忽视.通过理论推导,使用二维隧穿结点阵并借助3ω 方法,可以给出一种性能良好的二维库仑阻塞测温法.
关键词:
3ω方法
热容(定压)
热导率
库仑阻塞 相似文献
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Youngrok Kim Katharina Broch Woocheol Lee Heebeom Ahn Jonghoon Lee Daekyoung Yoo Junwoo Kim Seungjun Chung Henning Sirringhaus Keehoon Kang Takhee Lee 《Advanced functional materials》2020,30(28)
In organic device applications, a high contact resistance between metal electrodes and organic semiconductors prevents an efficient charge injection and extraction, which fundamentally limits the device performance. Recently, various contact doping methods have been reported as an effective way to resolve the contact resistance problem. However, the contact doping has not been explored extensively in organic field effect transistors (OFETs) due to dopant diffusion problem, which significantly degrades the device stability by damaging the ON/OFF switching performance. Here, the stability of a contact doping method is improved by incorporating “dopant‐blockade molecules” in the poly(2,5‐bis(3‐hexadecylthiophen‐2‐yl)thieno[3,2‐b]thiophene) (PBTTT) film in order to suppress the diffusion of the dopant molecules. By carefully selecting the dopant‐blockade molecules for effectively blocking the dopant diffusion paths, the ON/OFF ratio of PBTTT OFETs can be maintained over 2 months. This work will maximize the potential of OFETs by employing the contact doping method as a promising route toward resolving the contact resistance problem. 相似文献
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Zheng-Chuan Wang Qing-Rong Zheng Gang Su Bao-Heng Zhao 《The European Physical Journal B - Condensed Matter and Complex Systems》2001,19(4):589-597
In this paper, we apply Büttiker's gauge invariant, charge conservation, nonlinear transport theory to explore the spin-polarized
tunneling of ferromagnet/insulator (semiconductor) single and double junctions. The Green function of spin-polarized tunneling
is calculated by the tight-binding approximation method. The energy and the angle (between the molecular field and the vertical
axis) dependences of the weakly nonlinear dc transport coefficient and the linear low frequency ac transport coefficient are
investigated. The ac tunneling magnetoresistance is also discussed.
Received 1st September 2000 and Received in final form 5 December 2000 相似文献
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