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41.
通信性能评估的仿真实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了流量控制和差错控制对通信性能的综合影响,着重分析了停止-等待协议和连续ARQ协议的优缺点,讨论了信道利用率和帧长的关系。介绍了几种多点接人技术的基本原理,如CSMA和CSMA/CD,并给出了各自相应的性能仿真曲线。所设计的通信性能评估实验,仿真界面形象丰富,与实验知识点紧密结合,可以大大提高实验教学的效率和质量。  相似文献   
42.
Efficient blue‐, green‐, and red‐light‐emitting organic diodes are fabricated using binuclear platinum complexes as phosphorescent dopants. The series of complexes used here have pyrazolate bridging ligands and the general formula CNPt(μ‐pz)2PtCN (where CN = 2‐(4′,6′‐difluorophenyl)pyridinato‐N,C2′, pz = pyrazole ( 1 ), 3‐methyl‐5‐tert‐butylpyrazole ( 2 ), and 3,5‐bis(tert‐butyl)pyrazole ( 3 )). The Pt–Pt distance in the complexes, which decreases in the order 1 > 2 > 3 , solely determines the electroluminescence color of the organic light‐emitting diodes (OLEDs). Blue OLEDs fabricated using 8 % 1 doped into a 3,5‐bis(N‐carbazolyl)benzene (mCP) host have a quantum efficiency of 4.3 % at 120 Cd m–2, a brightness of 3900 Cd m–2 at 12 V, and Commission Internationale de L'Eclairage (CIE) coordinates of (0.11, 0.24). Green and red OLEDs fabricated with 2 and 3 , respectively, also give high quantum efficiencies (~ 6.7 %), with CIE coordinates of (0.31, 0.63) and (0.59, 0.46), respectively. The current‐density–voltage characteristics of devices made using dopants 2 and 3 indicate that hole trapping is enhanced by short Pt–Pt distances (< 3.1 Å). Blue electrophosphorescence is achieved by taking advantage of the binuclear molecular geometry in order to suppress dopant intermolecular interactions. No evidence of low‐energy emission from aggregate states is observed in OLEDs made with 50 % 1 doped into mCP. OLEDs made using 100 % 1 as an emissive layer display red luminescence, which is believed to originate from distorted complexes with compressed Pt–Pt separations located in defect sites within the neat film. White OLEDs are fabricated using 1 and 3 in three different device architectures, either with one or two dopants in dual emissive layers or both dopants in a single emissive layer. All the white OLEDs have high quantum efficiency (~ 5 %) and brightness (~ 600 Cd m–2 at 10 V).  相似文献   
43.
光电设备电子机柜布线工艺研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
作为信号和电能载体的导线,同时也是噪声的载体和外来噪声侵入设备的媒体。描述了噪声通过导线侵入设备内部的方式,通过降低噪声的途径确定了机柜布线的原则,介绍了布线的要求和方法,最后提出了用布线槽布线的建议。  相似文献   
44.
The 1/f noise in photovoltaic (PV) molecular-beam epitaxy (MBE)-grown Hg1−xCdxTe double-layer planar heterostructure (DLPH) large-area detectors is a critical noise component with the potential to limit sensitivity of the cross-track infrared sounder (CrIS) instrument. Therefore, an understanding of the origins and mechanisms of noise currents in these PV detectors is of great importance. Excess low-frequency noise has been measured on a number of 1000-μm-diameter active-area detectors of varying “quality” (i.e., having a wide range of I-V characteristics at 78 K). The 1/f noise was measured as a function of cut-off wavelength under illuminated conditions. For short-wave infrared (SWIR) detectors at 98 K, minimal 1/f noise was measured when the total current was dominated by diffusion with white noise spectral density in the mid-10−15A/Hz1/2 range. For SWIR detectors dominated by other than diffusion current, the ratio, α, of the noise current in unit bandwidth in(f = 1 Hz, Vd = −60 mV, and Δf = 1 Hz) to dark current Id(Vd = −60 mV) was αSW-d = in/Id ∼ 1 × 10−3. The SWIR detectors measured at 0 mV under illuminated conditions had median αSW-P = in/Iph ∼ 7 × 10−6. For mid-wave infrared (MWIR) detectors, αMW-d = in/Id ∼ 2 × 10−4, due to tunneling current contributions to the 1/f noise. Measurements on forty-nine 1000-μm-diameter MWIR detectors under illuminated conditions at 98 K and −60 mV bias resulted in αMW-P = in/Iph = 4.16 ± 1.69 × 10−6. A significant point to note is that the photo-induced noise spectra are nearly identical at 0 mV and 100 mV reverse bias, with a noise-current-to-photocurrent ratio, αMW-P, in the mid 10−6 range. For long-wave infrared (LWIR) detectors measured at 78 K, the ratio, αLW-d = in/Id ∼ 6 × 10−6, for the best performers. The majority of the LWIR detectors exhibited αLW-d on the order of 2 × 10−5. The photo-induced 1/f noise had αLW-P = in/Iph ∼ 5 × 10−6. The value of the noise-current-to-dark-current ratio, α appears to increase with increasing bandgap. It is not clear if this is due to different current mechanisms impacting 1/f noise performance. Measurements on detectors of different bandgaps are needed at temperatures where diffusion current is the dominant current. Excess low-frequency noise measurements made as a function of detector reverse bias indicate 1/f noise may result primarily from the dominant current mechanism at each particular bias. The 1/f noise was not a direct function of the applied bias.  相似文献   
45.
从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能,以Pb(Ti,Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考,分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外,还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。  相似文献   
46.
基于扩展分形和CFAR特征融合的SAR图像目标识别   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了多信息融合技术在SAR图像目标识别中的应用。将扩展分形特征(Extended Fractal)与双参数恒虚警特征(Double Parameter CFAR)形成的多信息进行融合处理。运用Dempster-Shafer证据理论,在决策层对SAR图像中的像素进行识别分类。实验结果表明通过融合对像素分类的准确性明显好于单特征的检测结果,减少了虚警概率,提高了系统的识别能力。  相似文献   
47.
提出一种视频点播系统传送数据的结构,结合单播与群播两种数据传送的方法,通过动态改变群播与单播的频道分配比例,让大部分的使用者无需等待即可开始观看影片,进而减少整体使用者的等待时间.  相似文献   
48.
CMP系统技术与市场   总被引:3,自引:1,他引:2  
概述了CMP系统技术的发展历史、发展趋势以及在IC生产中的重要性,介绍了国外CMP设备主要制造厂家的设备型号和性能及CMP设备市场分布和需求,阐述了CMP系统技术的基础研究、关键技术和国内研究概况。  相似文献   
49.
协同作战能力简析   总被引:2,自引:0,他引:2  
协同作战能力(CEC)是一种充分利用网络技术的新型海岸防空技术,给系统的作战能力带来了革命性的交破。本文对协同作战能力的产生、功能、组成以及未来的发展趋势作了详细的介绍,阐述了CEC系统的总体设计思想。在此基础上,将CEC系统与传统的作战系统的性能和设计思想在各方面进行了比较,交出了CEC系统各方面的优越性能。协同作战能力是现代和未来作战系统的发展方向,CEC系统的发展必将成为衡量各国国防科技现代化的重要指标。  相似文献   
50.
All 3-dimensional convex polytopes are known to be rigid. Still their Minkowski differences (virtual polytopes) can be flexible with any finite freedom degree. We derive some sufficient rigidity conditions for virtual polytopes and present some examples of flexible ones. For example, Bricard's first and second flexible octahedra can be supplied by the structure of a virtual polytope.  相似文献   
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