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51.
田清华 《激光与红外》1994,24(1):9-13,8
综述了国外离子束刻蚀和沉积系统的研究进展,指出了离子束系统在半导体技术研究,开发和生产中的重要性。  相似文献   
52.
二元光学分束器的设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
系统地阐述了几种二元光学分束器的基本设计理论,比较其算法以及衍射效率和再现误差,并提供了设计实例。  相似文献   
53.
高功率激光器的光束质量及其对激光加工的影响   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
丘军林 《激光技术》1994,18(2):86-91
本文介绍了光束的模式、评价光束质量的几种方法,着重介绍了国际标准化组织(ISO)提出的光束传输系数M作为评价光束质量的方法。文中还讨论了光束质量对焊接、切割加工的影响;热透镜效应对加工的影响等。  相似文献   
54.
A novel focusing mirror based on the shifting of the beam phase according to the Gaussian beam optics enabled us to realize a focusing elements with different focal lengths in different directions and to convert the gyrotron output into a Gaussian-like beam. In this paper, we compare the quality of beams produced by the new system (which includes novel mirrors) and a conventional system consisting of a quasi-optical antenna, an ellipsoidal mirror and two parabolic cylinder mirrors.  相似文献   
55.
本文报道了用于多光束分束器的反射式16位相值二元光学器件的制作。该二元光学器件把一束光束分成5×5光束阵列。测量的衍射效率为76.16%,接近理论设计值79.68%。该二元光学器件的有效孔径为10mm×10mm。  相似文献   
56.
57.
We introduce a set of conserved quantities of energy‐type for a strictly hyperbolic system of two coupled wave equations in one space dimension. The system is subject to mechanical boundary conditions. Some of these invariants are asymmetric in the sense that their defining quadratic form contains second order derivatives in only one of the unknowns. We study their independence with respect to the usual energies and characterize their sign. In many cases, our results provide sharp well‐posedness and stability results. Finally, we apply some of our conservation laws to the study of a singular perturbation problem previously considered by J. Lagnese and J. L. Lions. Copyright © 2007 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
58.
正交频分多址(OFDM:orthogonal frequency division multiplexing)技术由于其在多径环境下克服码间干扰的固有特点,在移动通信中已得到广泛地应用。利用阵列天线上行链路信号到达角估计实时信息,计算OFDM系统下行链路阵列天线权重,将阵列天线应用于下行链路中,最后给出系统误码率性能的计算机仿真结果。  相似文献   
59.
We report on the shape transition from InAs quantum dashes to quantum dots (QDs) on lattice-matched GaInAsP on InP(3 1 1)A substrates. InAs quantum dashes develop during chemical-beam epitaxy of 3.2 monolayers InAs, which transform into round InAs QDs by introducing a growth interruption without arsenic flux after InAs deposition. The shape transition is solely attributed to surface properties, i.e., increase of the surface energy and symmetry under arsenic deficient conditions. The round QD shape is maintained during subsequent GaInAsP overgrowth because the reversed shape transition from dot to dash is kinetically hindered by the decreased ad-atom diffusion under arsenic flux.  相似文献   
60.
We have successfully fabricated and characterized room temperature continuous wave (cw) GaInAsSb/AlGaAsSb distributed feedback lasers emitting in the wavelength region between 2.499 and 2.573 μm. To the best of our knowledge, this is the longest emission wavelength realized with a GaSb-based DFB laser diode. The laser structure used for DFB processing was grown by solid source molecular beam epitaxy. A DFB concept requiring no subsequent overgrowth step was used by defining first-order Cr-Bragg gratings laterally patterned to a ridge waveguide. Threshold currents smaller than 60 mA and room temperature cw output powers up to 6.5 mW were obtained. The laser diodes show single mode emission with side mode suppression ratios (SMSR) of up to 32 dB.  相似文献   
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