一种考虑场景静止的非均匀性校正方法

针对用神经网络法进行非均匀性校正时,当场景长时间静止会使校正图像像质变差和产生重影的问题,提出了一种考虑场景静止的非均匀性校正方法.算法中提出一种新的判断场景运动与否的方法,如果判断为场景静止则对其增益和偏置进行相应的处理,以达到更好的校正效果.仿真结果表明该方法有效地解决了像质变差和重影的问题.     

无8-,9-和10-圈的平面图的3-可选择性

寻找平面图是3-或者4-可选择的充分条件是图的染色理论中一个重要研究课题,本文研究了围长至少是4的特殊平面图的选择数,通过权转移的方法证明了每个围长至少是4且不合8-圈,9-圈和10-圈的平面图是3-可选择的．     

一类趋化性生物模型行波解的存在性

我们研究了一类趋化性(Chemotaxis)生物模型在不同情形下行波解的存在性.对D=0的一些情形,利用相平面分析的方法得到了行波解存在的充分必要条件;对D>0的一些情形得到了行波解的存在性,改进了Nagai和Ikeda原有的结果.     

Cayley射影平面的浸入Kaehler曲面

得到了Cayley射影平面的全复浸入Kaehler曲面的一些有趣的拓扑限制。     

高阻表面交指形电容设计公式的改进

本文采用保角变换法和电容拼接技术对交指形电容进行精确的计算,对交指形高阻表面光子晶体设计公式进行了改进.该计算模型适用于宽范围的介电常数和介质层厚度,各指长度和缝隙宽度可以不同,并且很容易扩展到多层介质以及有覆盖层的情况.设计了三个光子晶体例子,对其表面波特性进行了模拟和测试,得出交指电容值,证明本文给出的计算公式更准确.     

基于参考信号的无源互调故障定位技术

研究了一种基于参考信号的无源互调故障定位技术.该技术比传统无源互调测量技术多了一个参考信道,提供参考信号,解调互调信号相位响应,同时引入校准技术,在测量端口构建参考平面,通过频时转换得到相对于参考平面的时域响应,有效地进行故障排查.在此基础上,仿真故障定位实验验证了理论的正确性,设计并制造相位参考板,测试结果与实际值比较表明：电缆上两个故障位置实际值与测量值之差的绝对值均≤1m,实际相对误差分别约为5.1%、2.4%,证明了这种方法的正确性和可行性.该技术将克服传统故障定位的不足,更适应于恶劣的地域环境.     

非致冷红外焦平面成像系统辐射测温技术研究

为了消除由非致冷红外焦平面自身温度变化造成的辐射测温偏差,提出了一种基于G-t(黑体辐射灰度-探测器工作温度)标准曲线进行辐射测温的新方法.该方法从热辐射理论和热像仪测温原理出发,利用实验测得的G-t标准温度关系曲线,并结合灰体表面真实温度的计算公式,最终实现了非致冷红外焦平面成像系统的高精度辐射测温.实验结果表明,当...     

一种基于频域的脉冲信号分选的新方法

提出了一种基于频域的雷达脉冲信号分选方法,新方法打破了以往主分选算法CDIF、SDIF、变换等只考虑分选的局限性,考虑从RF角度进行分选,并综合AOA、PW、PRI等信息进行辅助分析。在仿真试验中,对于复杂雷达信号环境使用新方法进行逐层分选,并依照平面变换技术在RF-TOA平面上显示分选结果,可明显看到新方法能实现对多种PRI调制和RF调制相交叠的情况进行分选,并且算法简单易于实现。     

带有热沉结构的全镂空光读出红外焦平面阵列

A substrate-free optical readout focal plane array(FPA) operating in 8-12μm with a heat sink structure (HSS) was fabricated and its performance was tested.The temperature distribution of the FPA with an HSS investigated by using a commercial FLIR IR camera shows excellent uniformity.The thermal cross-talk effect existing in traditional substrate-free FPAs was eliminated effectively.The heat sink is fabricated successfully by electroplating copper,which provides high thermal capacity and high thermal conductivity,on the frame of substrate-free FPA. The FPA was tested in the optical-readout system,the results show that the response and NETD are 13.6 grey/K(F / # = 0.8) and 588 mK,respectively.     

应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延

叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延的一些研究结果.75mm HgCdTe薄膜材料的组分均匀性良好,80K下截止波长偏差为0.1μm.对所观察到的HgCdTe表面缺陷成核机制进行了分析讨论,获得的75mm HgCdTe材料平均表面缺陷密度低于300cm-2.研究发现As的表面黏附系数很低,对生长温度十分敏感,在170℃下约为1×10-4.计算表明,As在HgCdTe中的激活能为19.5meV,且随(Na∑Nd)1/3的增大呈线性下降关系,反比系数为3.1×10-5meV·cm.实验发现Hg饱和蒸汽压下,对应不同的温度240,380,440℃,As在HgCdTe中的扩散系数分别为(1.0±0.9)×10-16,(8±3)×10-15,(1.5±0.9)×10-13cm2/s.采用分子束外延生长的HgCdTe材料已用于红外焦平面探测器件的研制,文中报道了一些初步结果.