角度传感器数据测试方法研究

角度传感器是用来监测方向盘的转向角度,它为现代化车型提供便利又安全使用方向盘的必要装置。它与ESP（Electronic Stability Program车身电子稳定系统）进行结合,在必要时提供更为安全的行驶动态控制。提出了一种角度传感器数据测试方法,用于确定角度传感器的精度等级,以确保其性指标达到要求。     

折叠腔He-Ne激光器中角锥棱镜直角误差分析

首次研究了应用空心角锥棱镜的折叠腔免调试He-Ne激光器系统.根据矩阵光学理论分析了角锥棱镜的直角误差对其光路反射特性的影响,并应用于折叠腔免调试He-Ne激光器系统,定量给出了返回光线偏角误差与棱镜直角误差的线性关系,计算了免调试激光器系统中角锥棱镜直角误差的临界值.这一结果对控制折叠腔免调试激光器中的角锥棱镜加工误差具有指导意义.     

非线性光学晶体材料GaSe激光参数的模拟计算

对红外非线性光学晶体GaSe的非线性性质进行了研究.计算模拟了1.064 μm、2.05 μm、2.79 μm泵浦情况下Ⅰ、Ⅱ类相位匹配情况下GaSe晶体的相位匹配角、有效非线性系数、走离角、允许角和泵浦波波长的关系.同时计算了晶体激光光参量震荡和倍频波波长和相位匹配角、有效非线性系数、走离角、允许角的关系.对计算结果进行了分析比较.所得结果对于GaSe晶体用于特定波长激光器设计新波段提供了理论依据.     

激光雷达坐标测量系统的测角误差分析

为了精确地设计激光雷达坐标测量系统仪器,在研究激光雷达坐标测量系统测量原理和结构的基础上,建立了引入两轴垂直度误差、反射镜倾斜误差和反射镜入射激光束倾斜误差这3项主要系统误差的测角误差模型。由理论分析可知,在距离10m处,这3项系统误差各自引入的单点坐标测量误差最大值分别为124.1m,447.9m和242.4m。结果表明,在激光雷达坐标测量系统设计中,为保证在大空间测量中仍有很高测量精度,必须严格控制两轴垂直度误差、反射镜倾斜误差和反射镜入射激光束倾斜误差,并根据建立的误差模型进行参量标定和误差补偿。     

一维光子晶体全角度反射镜

在分析金属反射镜和多层周期反射镜优缺点的基础上，介绍了一维光子晶体出现全偏振全角度反射的原理。讨论了增加禁带宽度的方法及一维光子晶体全角度反射镜中存在的问题。     

基于QAR数据的民航飞机侧滑角估算方法

侧滑角是一个重要的飞行状态参数。考虑飞机真实的飞行状态,选取快速存储记录器(QAR)中的磁航向、偏流角、风向、风速、地速和俯仰角等参数,提出一种基于QAR数据的民航飞机侧滑角估算方法。以飞机受西风影响为例,通过分析4种航向范围的航行速度三角形,再利用地面惯性坐标系、机体坐标系和气流坐标系之间的变换关系,推导了侧滑角估算步骤,最后选取一段QAR数据对侧滑角进行估算。结果表明该方法能够有效地利用QAR数据对飞机侧滑角进行估算。     

基于夫琅禾费衍射的激光束散角外场检测

基于圆孔衍射原理,通过对菲涅耳衍射和夫琅禾费衍射特性的对比分析,综合圆孔夫琅禾费衍射光强艾里斑分布特征,提出了一种基于夫琅禾费衍射的激光束散角检测方法,通过布设激光靶对激光远场光斑进行采集、分析、处理,得到激光器关键性能参数束散角的实测值。测量结果表明:采用该方法可获得较高的检测精度,并对影响测量精度的因素进行了分析,该方法可为激光器束散角外场检测提供科学指导。     

楔形光纤探针传输效率的研究

用实验方法测量了楔形光纤探针的传输效率随光纤楔角的变化关系,作出传输效率曲线,通过测定楔形光纤探针传输效率的实验可知,楔体角度越大,过渡区越短,泄漏光就越少,传输效率会提高.在楔角由20.2° 增大到33.6°以及楔角由55.8°增大到83.6°时,传输效率曲线呈较快的上升趋势;在楔角由33.6° 增大到55.8°,传输效率曲线上升趋势较缓.在相同的条件下,楔形光纤探针的传输效率随入射光波长的增大而快速地下降.     

雷达模拟器与雷达的接口电路设计

提高雷达模拟器生成回波信号的真实性和可靠性,需要实时采集一些重要的雷达工作状态参数,如雷达工作时的天线方位角和高低角信号、主脉冲信号、锥扫基准信号和载波频率信号等。这些信号分别为模拟回波信号的生成提供了天线增益大小、时间基准、相位基准和载波频率大小等重要的参考信息。通过对这些信号性能参数的分析和研究,提出模拟器与雷达系统接口电路设计方案。雷达实验可以证明该设计性能稳定、可靠、成本较低,很好地实现了接口电路的功能要求。     

Influence of the additives argon, O2, C4F8, H2, N2 and CO on plasma conditions and process results during the etch of SiCOH in CF4 plasma

Reactive ion etch processes for modern interlevel dielectrics become more and more complex, especially for further scaling of interconnect dimensions. The materials will be damaged within such processes with the result of an increase in their dielectric constants. The capability of selected additives to minimize the low-k sidewall damage during reactive ion etching (RIE) of SiCOH materials in fluorocarbon plasmas was shown in different works in the past. Most of the investigated additive gases alter the fluorine to carbon ratio as well as the dissociation of the parent gas inside the etch plasma. The result is a changed etch rate, a modified polymerization behavior and other characteristics of the process induced SiCOH damage. Heavy inert ions like argon will be accelerated to the sample surface in the cathode dark space and enhance therewith the sputter yield on the SiCOH network [1]. In this paper the additives Ar, O₂, C₄F₈, H₂, N₂ and CO were added to a conventional CF₄ etch plasma. We try to provoke different changes in the plasma conditions and therewith in the process results. Contact angle measurements, spectroscopic ellipsometry, Hg-probe analysis, FTIR measurements and SEM cross-sections were used to overview the additive induced modifications. To understand the influences of the additives gases more exactly, changes in the physical and chemical plasma behavior must be analyzed. Therefore quadrupole mass spectrometry (QMS) and quantum cascade laser absorption spectroscopy (QCLAS) were used.