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近十年来,光电子显微技术取得了长足进步并已商业化。光电子显微是一种高衬度的成像技术,对材料表面电子结构高度敏感。本文介绍光电子显微镜的成像原理,并着重分析其衬度机制。简要总结光电子显微术在表面结构分析,表面化学,磁学,以及半导体器件表征等方面的应用。目前光电子显微术的两个重要发展方向是利用同步辐射光源和脉冲激光光源做激发源;利用脉冲激光的多光子激发光电子显微术可以对较高功函数(大于光子能量)的材料成像;而脉冲时间分辨光电子显微术可用来研究表面瞬态电子的弛豫动力学机制。文章介绍了在实现飞秒时间分辨以及多光子激发的光电子显微方面的进展。我们利用多光子光电显微术对溅射制备的纳米结构银薄膜表面进行成像,结果表明多光子成像照片上存在一些高强度的亮点,而在单光子成像照片未观察到类似现象。推测这些亮点源于纳米结构银表面的等离子激元的高局域选择性激发。文章还介绍了利用光电子显微术原位观察CuZnAl形状记忆合金的热诱导相变。 相似文献
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锡二硫族化合物可以通过改变硫和硒的含量来连续调控三元合金材料的带隙、载流子浓度等物理化学性质,在电子和光电子器件应用上具有巨大的潜力。本文采用化学气相沉积(CVD)技术可控地制备了不同元素组分的SnSxSe2-x(x=0,0.2,0.5,0.8,1.0,1.2,1.5,1.8,2.0)单晶纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱等手段对SnSxSe2-x纳米片进行了综合表征。结果表明本方法成功实现了元素百分比可调的SnSxSe2-x单晶纳米片的可控制备。重点研究了依赖于元素百分比的SnSxSe2-x的拉曼特征谱,实验结果与基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算得到的SnSxSe2-x的拉曼仿真谱高度吻合,理论计算结果较好地诠释了实验拉曼光谱发生变化的原因。本研究提供了一种元素百分比可调的三元SnSxSe2-x单晶纳米片的可控制备方法,同时对锡二硫族化合物的明确、无损识别提供了方案。 相似文献
294.
镁及镁合金中微量磷的测定方法研究 总被引:2,自引:0,他引:2
磷与钼酸铵形成磷钼杂多酸络幌物,用乙酸丁酯萃取分离,用SnCl2还原反萃取后借磷钼蓝光度法测定镁及镁合金中微量磷。在波长700 nm处工作曲线线性范围0~1.5μg/mL,相关系数为0.9995,络合物表观摩尔吸光系数ε=1.45×104L.mol-1.cm-1,相对标准偏差在1.40%~3.10%之间,加标回收率在99.3%~101.0%之间,本法与ICP法相对照结果比较满意。 相似文献
295.
研究了混合稀土储氢合金中氧和氮的测定方法。针对稀土金属高温易挥发、分解的特点,选择适宜的加热温度,使用镍浴,选择高温座坩埚进行试验:选择出了合适的助熔剂的预处理方法。方法已用于实际样品。对含氧0.43%、含氮0.018%的试样,分析精密度为氧4.3%,氮5.9%,加标回收率氧为93%~104%,氮为92%~110%。 相似文献
296.
在氮气环境下用PVT方法生长氮化铝过程中,氮面和铝面由于表面化学性质不同,生长的主要化学反应速度存在差异。原子在生长表面的迁移能力不同造成单晶表面生长方式差异较大。在基本相同条件下(生长温度、生长温差、生长气压、类似的籽晶、同一台生长设备)进行了铝、氮面氮化铝单晶晶体生长。为了更明显地表现铝氮面的差异,将同一片籽晶分为两半,翻转其中一半让铝氮面同时生长。铝面生长较好的区域形成了明显的晶畴,而氮面生长时生长较好的部分出现了明显的生长台阶,并出现了晶畴边界被生长台阶湮灭的生长现象,进一步通过AFM观测到铝面生长台阶平整但被缺陷所阻隔,晶畴发育明显为各晶畴独立生长。氮面生长台阶没有铝面规则但连续性较强,在原来晶畴边界位置也出现了连续的生长台阶(或台阶簇)。所以籽晶质量不高时氮面生长更容易提高晶体质量,后续的XRD测量结果也证明了氮面生长后的晶体质量明显高于铝面生长的晶体质量。 相似文献
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298.
299.
以不同沉淀剂和铝盐与SnCl4共沉淀制备了Sn/Al2O3催化剂.考察了催化剂在富氧条件下催化丙烯选择性还原NO的性能,借助于X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、N2吸附-脱附、吡啶吸附红外光谱(Py-IR)和程序升温还原(TPR)等方法研究了催化剂性能与结构的关系.发现以NH3.H2O和NH4HCO3为沉淀剂、NH4Al(SO4)2为铝盐制备的Sn/Al2O3催化剂催化活性最高,NO转化率达90.9%,最佳催化活性温度为350℃.该催化剂的比表面积为254 m2/g,孔体积为0.878 cm3/g,孔径分布曲线在3~8 nm出现双峰,Sn物种主要以晶态SnO2存在,且表面Lewis酸酸量增加. 相似文献
300.