以太网交换机测试方法的研究

根据以太网交换机的测试需求，考虑以太网交换机的技术特点，研究了以太网交换机的性能测试、功能测试、协议一致性测试、和稳定性测试等测试方法。     

半导体光放大器的光-光互作用及其应用

半导体光放大器（SOA）中的非线性系数约为普通光纤的10^9，为光子晶体光纤的10^7，而且有4种光-光互作用，即交叉增益调制（XGM）、交叉相位调制（XPM）、交叉偏振调制（XSM）及四波混频（FWM），可以灵活地组成各种光信号处理器件，如波长变换器、全光触发器、全光逻辑、全光时钟恢复、全光缓存器……等，正成为整个光信号处理的基础。文章介绍了它们的原理和简单应用。     

真空开关CuCrTe触头材料的组织与性能

为了改进混粉烧结CuCrTe触头材料的缺陷并且增大触头材料的开断能力,采用真空熔铸法制造工艺研制了CuCrTe触头材料并对其性能进行了测试。结果表明,真空熔铸CuCrTe材料在显微组织、抗熔焊性能、开断电流能力、截流水平、耐电压水平方面都优于粉末冶金CuCr50材料,特别是开断电流能力提高了26%多,是一种有发展前途、性能优良的触头材料。     

自由空间与偏振无关的1×N和N×1光开关设计

基于光开关在全光通信和光互连网络中的重要作用，设计了由偏振光分束器（PBS）、相位型空间光调制器（PSLM）和反射镜构成的1×N和N×1光开关模块，其中N＝2m，m＝1，2，3…。该设计利用PSLM对信号光偏振态的控制，在自由空间实现信号的路由和切换，信号光的P光分量和S光分量同时参与工作，并在输出端口重新会合，因此光开关表现出与信号光偏振态无关的特点。同时，该光开关所用器件少，具有结构简单紧凑、控制方便灵活和操作迅速快捷等特点，而且具有很强的重构与升级能力，对于构建大规模的交换矩阵具有一定的作用。     

一种高速高精度采样/保持电路

介绍了一种用于12bit,100MS/s流水线模数转换器前端的采样/保持电路的设计.该电路在3V电源电压100MHz采样频率时,输入直到奈奎斯特频率仍能够达到108dB的无杂散动态范围(SFDR)和77dB的信躁比(SNR).论文建立了考虑开关之后的采样保持电路的分析模型,并详细研究了电路中开关组合对电路性能的影响,同时发现了传统的栅源自举开关(bootstrapped switch)中存在的漏电现象并对其进行了改进,极大地减小了漏电并提高了电路的线性性能.     

惯性冲击对低真空封装的RF MEMS电容开关性能的影响

分析了外界惯性冲击对低真空封装的旁路电容式RF MEMS开关性能的影响.得到了近似计算外界惯性冲击引起位移的解析式.在已知最大容许插入损耗和外部惯性冲击环境条件下,MEMS开关支撑梁的最小机械刚度常数以及外部惯性冲击引起的插入损耗可以根据该式得到.通过RF MEMS电容式开关实例,表明设计低真空封装的RF MEMS电容式开关时应考虑外部环境因素.可见,RF MEMS开关用低真空封装可以减小空气阻尼、改善开关速度和执行电压的同时,开关的性能却容易受外界环境因素的影响.该研究对低真空封装的RF MEMS电容式开关的优化设计很有意义.     

硅基光子材料和器件的进展

评述硅基光子材料和器件的进展,包括硅二极管的受激发射、具有量子结构的RCE(谐振腔增进型)光电二极管、MOS高频光调制器、SOI光开关阵列和可调谐波长滤波器,重点介绍低插入损耗、快响应的SOI基热光波导开关阵列的最新结果.以SOI为基片,成功地研制出带有全内反射(TIR)镜的重排无阻塞型光开关阵列,并首次研制出16×16阻塞型光开关阵列.在1.55μm波段,插入损耗和偏振相关性随着器件长度的增加而略微增大.如果器件的末端镀上抗反射膜,插入损耗会降低2～3dB,这些器件的上升和下降时间分别为2.1和2.3μs.     

High-voltage LDMOS transistors fully compatible with a deep-submicron 0.35 μm CMOS process

This work presents the design of LDMOS transistors fully compatible with a standard CMOS process, only requiring mask layout manipulation. A conventional 0.35 μm CMOS process was elected to demonstrate the viability of the approach. The prototyped LDMOS transistor exhibits a breakdown voltage of 24 V, which represents an improvement of 31% when compared with the high-voltage extended-drain NMOS available in the process library, while other static parameters remain in the same range. Furthermore, this solution enables the CMOS integration of a high-voltage pass-transistor, as a consequence of the formation of an isolated lightly doped p-type region inside the n-well.     

硅基光子材料和器件的进展

评述硅基光子材料和器件的进展，包括硅二极管的受激发射、具有量子结构的RCE(谐振腔增进型)光电二极管、MOS高频光调制器、SOI光开关阵列和可调谐波长滤波器，重点介绍低插入损耗、快响应的SOI基热光波导开关阵列的最新结果.以SOI为基片，成功地研制出带有全内反射(TIR)镜的重排无阻塞型光开关阵列，并首次研制出16×16阻塞型光开关阵列.在1.55pm波段，插入损耗和偏振相关性随着器件长度的增加而略微增大.如果器件的末端镀上抗反射膜，插入损耗会降低2～3dB，这些器件的上升和下降时间分别为2.1和2.3μs.     

关于提高变频器调频速度的研究

本文介绍了作者的一项专利技术。对于需要比较快速、比较频繁地调整变频器频率应用场合,目前的通用变频器就很难满足这个需要,尤其是在大惯性负载上使用变频器时,须将升、降频（特别是降频）速度设置的比较慢,以适应由于惯性造成的电机转速的滞后。本专利技术克服上述传统变频器目前存在的缺陷,在传统变频器上增加比较简单并业已成熟的换相技术,为变频器的制造提供了一种新的附加技术。