一种新型的四维多翼超混沌吸引子及其在图像加密中的研究

提出了一种新的能产生多翼混沌吸引子的四维混沌系统,该系统在不同的参数条件下能产生混沌、超混沌吸引子.然后对此混沌系统的一些基本的动力学特性进行了理论分析和数值仿真,如平衡点、Poincaré映射、耗散性、功率谱、Lyapunov指数谱、分岔图等.同时设计了一个模拟振荡电路实现四翼超混沌吸引子,硬件电路模拟实验结果与数值仿真结果相一致.最后将此四维多翼超混沌系统用于物理混沌加密和高级加密标准加密级联的混合图像加密算法,这种利用物理混沌不可预测性的混合加密系统,不存在确定的明文密文映射关系,且密文统计特性也比其他加密系统要好.     

Production of highly charged argon ions from a room temperature electron beam ion trap

In this work.highly charged ions have been extracted from the advanced Electron Beam Ion Source (EBIS-A) developed in a scientific cooperation between the Dresden University of Technology and the DREEBIT GmbH Dresden.The charge state distributions of ions extracted from the EBIS-A are measured in and extracted in the leaky mode.3×105 Ar18+ ions per pulse are extracted in the pulse mode.The ion charge state distribution is a function of the ionization time.     

数学实验应用下的计算机高等数学教学探讨

随着计算机技术在数学领域的推广和应用,越来越多的高校在数学实验的应用中结合计算机技术,把枯燥泛味的数学实验转换为直观的图形,从而引起学生对数学的学习兴趣,将对数学实验应用下的计算机高等数学教学进行分析和探讨。     

“互联网+”背景下高校“高等数学”“金课”的打造路径研究

信息技术、网络技术的发展与应用催生了社会各行业、各领域的变革,尤其是给教育行业带来很大冲击。在互联网时代,传统教育模式已经不再适用,将线上教学与线下课堂教学相结合的混合式教学模式成为教育行业的一大发展趋势。文章通过对当下"高等数学"课程教学现状进行分析,挖掘"互联网+"下打造高校"金课"可行性,进而探究高校"高等数学""金课"的打造路径。     

高端装备制造业数字化转型的思考

随着新一代信息技术与先进制造技术的深度融合,智能制造成为新时代高端装备制造企业转型升级的重要途径。通过分析在数字经济浪潮下,高端装备行业的趋势和企业发展过程中面临的机遇与挑战,提出了通过智能制造实现制造业的转型发展道路的思考,并就企业如何推进智能制造规划和建设提出了具体的建议。     

基于ADS的基站功率放大器仿真实现

为了加快功率放大器的设计并降低网络运营成本提高网络质量,文中在详细分析基站功率放大器技术要求的基础上,主要论述了基站功率放大器的设计参数和仿真过程,提出了一种利用ADS软件进行功放仿真和设计的方法.利用该方法对中心频率为1960MHz基站功放的功率增益、功率附加效率、三阶互调等参数进行了仿真和设计,同时和测试结果进行了比较.结果表明利用该方法设计基站功放是可行的.     

面向在轨模块更换的高级信号接口模块设计研究

针对在轨模块更换任务中接口的即插即用特性进行了分析研究,给出一种用于解决在轨模块更换任务中完成电信接口向统一的即插即用串行总线转变的高级信号接口模块设计。分析了ASIM的基本设计原理以及设计技术指标,给出ASIM的硬件结构模型以及软件结构模型,进而完成了ASIM软硬件设计。研究内容为实现航天器在轨模块接口统一、即插即用以及在轨模块更换奠定了基础。     

3GPP先进告警管理介绍

在3GPP网络管理规范中,引入了一种基于规则的告警压缩模型:3GPP先进告警管理,提供了告警压缩规则,也可由网络维护人员自定义规则,达到屏蔽冗余告警和压缩相关告警的目的。本模型的应用,将大为减少冗余告警,更重要的是,由于支持设备商自定义规则,这就为解决与告警处理相关的诸多需求(例如告警关联)提供了基础的解决机制。     

新型复相陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料Ｊｘ－２－Ⅰ的界面结构，结果表明，在Ｊｘ－２－Ⅰ中Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构；发现在ＳｉＣｗ、ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３上有孪晶产生；分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ⅰ材料的整体性能。