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STN-LCD采用新的取向层,消除了残象;采用新的驱动波形,消除了串扰;采用二(口恶)烷、卤化物、链烯基、醚和二苯乙炔,改进了液晶料材的性能,使STN-LCD获得高的对比度、快的响应速度、低的驱动电压;采用有源矩阵驱动方法,消除了帧响应,使STN-LCD获得高的对比度、高的亮度及视频响应速度;使用温度跟踪电路,自动跟踪STN-LCD的阀值电压,使STN-LCD获得宽的工作温度。 相似文献
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In this paper the modelling, analysis and optimization of millimeter wave oscillatorsare investigated by using the a frequency-domain harmonic balance technique (FDHB), where theexternal-circuit impedances looking outside from the active device are calculated with a combinedtechnique of modes expansion, Galerkin, and collocation methods. The optimization results arein agreement with the experimental ones, which show the reliability of the presented model andoptimization. 相似文献
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本文在Knockout交换结构的基础上,探讨一种新的ATM交换结构,使其本身带有优先权控制功能,以适应不同业务对信元丢失率及时延的不同要求。这种结构既能最大限度地有效利用系统资源,又能满足不同用户对业务质量的不同要求,并能降低交换结构复杂度。 相似文献
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稳态锁模产生4ps激光脉冲 总被引:1,自引:0,他引:1
首次利用GaAs光电导开关,控制Nd:YLF激光器腔内Q值,实现稳态锁模,获得脉宽和能量稳定性极高的4ps激光脉冲。 相似文献
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研究了LaB6在1~10 Pa氮气和氦气中的直流和脉冲放电特性以及放电过程对电极的影响。结果表明,电极直径为5 mm的LaB6氦气放电管在脉冲工作状态下可以长期稳定放电。在脉冲电压为2.2 kV、脉冲宽度10 ms、频率13.3 Hz下,脉冲峰值放电电流超过120 A。氦气放电管在放电过程中,阴极表面有离子的清洗和活化作用,可以使电极的表面逸出功降低,提高放电管的发射能力和稳定性。LaB6作为气体放电电极具有寿命长、延迟时间短、放电电流大等优点,可用于重复强流脉冲气体放电的高压高速开关器件。 相似文献
28.
29.
群时延精确设计的全差分四阶Bessel滤波器 总被引:1,自引:0,他引:1
采用MOS管有源电阻,提出了一种全差分R-MOSFET-C四阶Bessel有源低通滤波器,.通过调节工作于亚阈值区的CMOS管的沟道导纳补偿电阻值的大小,能抵消集成电路制造工艺中电阻值的一致偏差,实现Bessel有源滤波器群时延的精确设计.根据无源滤波器的状态方程完成有源滤波器的综合,应用3.3V,0.5μm CMOS工艺完成了群时延大小为0.75μs的四阶Bessel低通滤波器的管极计算机仿真,仿真结果表明所提电路正确有效,适于全集成. 相似文献
30.
Sang‐Heung Lee Seung‐Yun Lee Hyun‐Cheol Bae Ja‐Yol Lee Sang‐Hoon Kim Bo Woo Kim Jin‐Yeong Kang 《ETRI Journal》2005,27(5):569-578
The purpose of this paper is to describe the implementation of monolithically matching circuits, interface circuits, and RF core circuits to the same substrate. We designed and fabricated on‐chip 1 to 6 GHz up‐conversion and 1 to 8 GHz down‐conversion mixers using a 0.8 µm SiGe hetero‐junction bipolar transistor (HBT) process technology. To fabricate a SiGe HBT, we used a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) system to grow a base epitaxial layer, and we adopted local oxidation of silicon (LOCOS) isolation to separate the device terminals. An up‐conversion mixer was implemented on‐chip using an intermediate frequency (IF) matching circuit, local oscillator (LO)/radio frequency (RF) wideband matching circuits, LO/IF input balun circuits, and an RF output balun circuit. The measured results of the fabricated up‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 6 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. Also, the down‐conversion mixer was implemented on‐chip using LO/RF wideband matching circuits, LO/RF input balun circuits, and an IF output balun circuit. The measured results of the fabricated down‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 8 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. 相似文献