自由空间二维榕树网实现方法

鉴于榕树网在自由空间光子交换网络中具有重要的应用价值,分析了榕树网的特点和4×4二维榕树网的空间拓扑结构,通过偏振光分光棱镜、微闪耀光栅阵列、平面反射镜、半反半透镜和液晶空间光调制器的集成,构建二维的榕树交换网实验模块,利用微闪耀光栅的衍射特性,控制每块微闪耀光栅的周期,以实现入射光信号不同方向的闪耀输出,最终完成二维榕树网自由空间水平和竖直方向上的交叉互连,直通则由平面镜反射实现。对二维榕树网实验模块的功能分析表明,该实验模块理论上可以完成4×4二维面阵内光信号(或数据)的排序、交换、组播、广播、矩阵变换等操作,具有交换透明、速度快、空间带宽高等特点,在全光交换和光通信中具有一定的应用。     

机载隐蔽式短波天线研究

给出了一种用于Y7—200A运输机的隐蔽式短波天线，该天线为位于飞机垂尾前缘的回线天线，与飞机的外形共形，不影响飞机的飞行性能。在利用传输线理论与缝隙天线理论对该天线进行分析的基础上，对输入阻抗、天线与天线调谐器结合后的天线效率进行了研究，给出了该天线与KHF950电台相配合的测试试验结果，该天线能够在2．5MHz到30MHZ范围内与KHF950电台良好调谐，表明这种天线完全可以用于Y7—200A型飞机，代替原有的钢索天线。这是在国产飞机上首次使用这种天线。     

几种航空有源电子干扰装备的比较

本文对远距离支援干扰飞机、随队支援干扰飞机、机载自卫电子对抗系统以及最近国外正在大力发展的分布式电子干扰系统等几种航空有源电子干扰装备的作战对象、战术应用、功能、使用局限性等特点进行了比较 ,探讨了综合发展和运用这几型装备的重要意义     

FAFFA加速的PO-MM研究复杂金属载体上线天线电磁特性

本文提出了一种快速远场近似(FAFFA)加速的混合物理光学矩量法(POMM),利用FAFFA加速计算矩阵方程中的矩阵矢量积,明显提高了计算效率.对物体表面上的远场组之间的耦合作用推导出了一组简洁的计算公式,并分析了计算复杂度.复杂金属组合体上线天线输入导纳、互导纳和方向性图的计算结果与文献结果一致.利用该方法分析计算了一个舰船模型上线天线的电磁特性.数值结果表明了这种方法的正确性和工程应用中的有效性.     

A One‐Kilobit PQR‐CMOS Smart Pixel Array

The photonic quantum ring (PQR) laser is a three dimensional whispering gallery (WG) mode laser and has anomalous quantum wire properties, such as microampere to nanoampere range threshold currents and √T‐dependent thermal red shifts. We observed uniform bottom emissions from a 1‐kb smart pixel chip of a 32×32 InGaAs PQR laser array flip‐chip bonded to a 0.35 µm CMOS‐based PQR laser driver. The PQR‐CMOS smart pixel array, now operating at 30 MHz, will be improved to the GHz frequency range through device and circuit optimization.     

浅谈移动通信基站天线系统设计

对基站天线的基本原理、天线选型、天线参数设置、天线安装等方面进行了描述，对天线下倾角、分集距离等进行了重点讨论。     

PD雷达欺骗干扰方法浅析

概要介绍了PD雷达的抗干扰性能及其特点．并主要对PD雷达的欺骗干扰方法进行了一定的讨论。     

基于嵌入式计算机和Ethernet的分布式波控系统

介绍一种基于嵌入式计算机和以太网(Ethernet)的相控阵雷达分布式波控系统。整个波控系统以数个嵌入式计算机为核心，通过以太网与雷达的控制计算机通讯。     

准最佳二进阵列偶

本文在最佳二进阵列、准最佳二进阵列和最佳二进阵列偶的基础上,定义了一种新的最佳信号,即准最佳二进阵列偶.讨论了准最佳二进阵列偶的体积、变换性质,并对其进行了Fourier频谱分析,得到了部分有益的结果.还用计算机穷举搜索出了体积从2~24的准最佳二进阵列偶.     

Monolithic SiGe Up‐/Down‐Conversion Mixers with Active Baluns

The purpose of this paper is to describe the implementation of monolithically matching circuits, interface circuits, and RF core circuits to the same substrate. We designed and fabricated on‐chip 1 to 6 GHz up‐conversion and 1 to 8 GHz down‐conversion mixers using a 0.8 µm SiGe hetero‐junction bipolar transistor (HBT) process technology. To fabricate a SiGe HBT, we used a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) system to grow a base epitaxial layer, and we adopted local oxidation of silicon (LOCOS) isolation to separate the device terminals. An up‐conversion mixer was implemented on‐chip using an intermediate frequency (IF) matching circuit, local oscillator (LO)/radio frequency (RF) wideband matching circuits, LO/IF input balun circuits, and an RF output balun circuit. The measured results of the fabricated up‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 6 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. Also, the down‐conversion mixer was implemented on‐chip using LO/RF wideband matching circuits, LO/RF input balun circuits, and an IF output balun circuit. The measured results of the fabricated down‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 8 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz.