单开关调制的PFN型层叠Blumlein线发生器

采用平板线加载的陶瓷电容型脉冲形成网络（PFN）构成了单开关调制的层叠Blumlein线发生器。采用传输线理论对短路寄生传输线的短路特性进行了理论分析,结果表明,短路寄生传输线的阻抗可以等效为耦合电感在主传输线的放电频率下产生的感抗。Pspice软件模拟表明,层叠线Blumlein线的电压叠加效率随耦合电感增加而增加。提出了一种磁环增感方法,在4级层叠Blumlein线上实现了3.1倍的脉冲电压叠加。     

扩展目标光学特性的理论分析与研究

利用双向反射分布函数经验公式推导出激光主动照明条件下的目标反射截面表达式,给出了目标反射截面的一种近似计算方法,基于该方法计算了圆锥体目标反射截面。利用固体激光器和CMOS相机搭建实验系统,实际测量了目标反射截面随入射角度和不同目标体等参数变化时的变化情况,实验系统及数据同提出的方法计算得到的结果基本一致。结果表明,目标形状相同,入射角小于45时,目标反射截面随着无涂层、白色油漆、灰色油漆逐渐变小,大于45时白色油漆涂层目标反射截面最大;在目标表面特性相同的时候,目标反射截面随圆板、圆柱、圆锥渐次减小。     

能动磨盘变形检测中的各误差因素分析

针对现有f530 mm能动磨盘的检测系统（有效检测口径f420 mm）,系统分析了检测过程中的球头误差、传感器安装角度误差和坐标定位误差,并给出了各项误差对检测精度的影响。同时,还针对检测基座不完全水平的问题建立模型,应用最小二乘法实现了检测数据的去倾斜处理。给出了实测数据去倾斜前后和误差补偿前后的检测精度对比情况,结果表明去倾斜算法能较好地还原实测数据,补偿检测中的系统误差有助于提高检测精度。     

轨道式多间隙气体开关设计与性能测试

针对直线脉冲变压器对低电感、低抖动气体开关的研制需要,采用垂直布放的平板轨道电极,组成具有通视结构的水平间隙,设计了一种多间隙轨道式气体开关。利用Meek击穿判据计算了单间隙自击穿电压,实测了4个单间隙的自击穿电压及其相对标准偏差,并根据单间隙自击穿电压,利用概率分析方法预测了多间隙开关自击穿电压,计算值与实测结果一致。研究表明:开关电感最大约109 nH,自击穿电压相对标准偏差为1.5%,在60 kV触发电压和48%~74%欠压比下,开关抖动0.9~2.6 ns。与圆环形电极的多间隙气体开关相比,多间隙轨道式气体开关自击穿电压更稳定,也更容易触发。     

基于稀疏信号重构的阵元位置误差校正方法

阵元位置误差的存在会严重影响水听器阵列的测向性能,为此在使用阵列之前需对该误差进行校正。针对这一需求,提出了一种对任意阵型适用的高精度阵元位置有源校正方法。结合远场阵列模型以及位置误差\     

一种新型Ku波段龙伯透镜反射器

本文对传统的龙伯透镜反射器采用有源频率选择表面（active frequency selective surface, AFSS）技术进行电磁结构的设计,用具有吸波/反射可切换的AFSS龙伯透镜反射器代替金属反射板,达到对入射电磁波的反射强度和雷达散射截面（radar cross section, RCS）大小可调、工作状态可切换的主动型龙伯透镜反射器. 仿真结果表明,在X波段内,设计的新型龙伯透镜反射器可实现吸波/反射功能的可切换以及单站RCS可调,大小相差约8 dB. 通过对龙伯透镜AFSS反射器进行实物加工与测试,测试结果和仿真结果较为吻合,实现了龙伯透镜反射器在一定频段内工作状态切换和RCS可调.

     

压电结构的主动控制仿真与实验研究

结合有限元方法研究了直接负速度反馈和基于LQR(二次线性最优控制)的独立模态空间主动控制方法来控制结构的振动, 采用一种新的仿真方法：PATRAN与MATLAB联合仿真,对这两种方法进行主动控制数值仿真. 用MATLAB的xPC实时控制,进行了主动板的振动控制实验,验证了采用上述控制仿真方法的正确性. 各种结果表明用压电结构进行振动主动控制效果明显.     

用于红外窗电磁屏蔽的电感性网栅薄膜

电感性网栅薄膜可以实现在高效透过红外波的同时高效屏蔽微波的滤波特性,在红外窗口电磁屏蔽领域有广泛应用前景.平面基底上电感性网栅薄膜的理论探索、实验研究和工程应用已相当成熟,曲面基底上电感性网栅薄膜的理论和工艺还极少见公开文献报道,中科院长春光机所经长期探索研究提出了采用以激光直写技术为核心的曲面感性网栅薄膜制作工艺方法.从理论、工艺、测试等多方面对用于红外窗口电磁屏蔽的电感性网栅薄膜进行了介绍和分析.     

集成化DAM变频电路设计

介绍了数字阵列雷达中DAM（数字阵列模块）内部的高度集成化的变频电路的设计思想,用于数字阵列雷达的收发变频通道,各项指标均满足系统要求,可达到常规分立元件电路的指标,讲述了采用MCM（多芯片组件）技术,结合电路优化集成设计,将有源变频器芯片、开关等器件集成于金属陶瓷结构的封装内,使得DAM的变频通道集成度得以大幅度提高。     

一种采用新颖的双重自适应补偿的低静态电流LDO稳压器的设计

设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性.与传统的设计方法相比,该补偿方法几乎不消耗电流,文中设计的LDO静态电流小于1μA,并且采用折返式电流限制,减小了芯片的功耗.采用该双重自适应补偿的LDO已在Hynix O.5μm CMOS工艺线投片,当负载电流为300mA时,漏失电压为150mV,线性调整率为2mV/V,负载调整率为0.75%.测试结果表明,采用该双重自适应补偿结构的LDO工作良好.