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101.
S. L. Price H. L. Hettich S. Sen M. C. Currie D. R. Rhiger E. O. Mc Lean 《Journal of Electronic Materials》1998,27(6):564-572
With the goal of maximizing the yield of infrared focal plane arrays (IRFPAs), Santa Barbara Research Center’s (SBRC) Infrared
Materials Producibility Program (IRMP) has focused on assessing and improving the quality, yield, and throughput of CdZnTe
substrates. A baseline detector lot was fabricated to identify the critical drivers of IRFPA yield coming from the substrates
and to evaluate the quality and yield of the current vendor base for CdZnTe substrates. Substrate induced defects and impurities
that can potentially affect device performance and operability were carefully mapped out in detail on 44 × 67 mm2 size substrates, received from IRMP substrate vendors as well as SBRC. This paper will report on the correlations found between
this substrate characterization data base and the IRFPA level defect distributions. Key results from these correlation studies
are: (1) extended defects found on the substrates with the Nakagawa etch correlated well with responsivity reduction in the
final IRFPA; (2) cross-hatch patterns that were evident in the responsivity map correlated well with similar features seen
by x-ray topography on LPE double layers; and (3) a possible correlation of device performance (leakage current at 78K) with
copper and lithium impurities in the substrate. Recent initiatives toward improving the quality and yield of the substrate
growth process have focused on improving purity in the pre-growth charge preparation, modification of growth parameters to
reduce defects and scaling up of the vertical Bridgman growth process from its current 67 mm diameter boule size to 92 mm
diameter boules. Promising initial results from the large diameter boule growth process will be shown. The 92 mm diameter
CdZnTe boule (6 kg charge) shows two predominant single crystal grains encompassing 75% of boule volume. Defect characterization
of boules grown under baseline and modified conditions is discussed. 相似文献
102.
103.
基于单色仪法对面阵CCD进行光谱响应测试,并对测试结果的不确定度进行全面评估。介绍单色仪法测试CCD光谱响应的原理;选用硅陷阱探测器作为标准探测器,搭建测试装置,得出400~1000 nm波段内面阵CCD光谱特性参量,其中峰值波长为602 nm,中心波长为580 nm,光谱带宽为402 nm;以632 nm处光谱响应测试为例,建立不确定度评估模型,分析了包括面阵CCD辐照度响应非均匀性、溴钨灯稳定性、单色仪出射波长重复性和准确度以及图像采集处理系统的稳定性对测试的影响。应用模型计算得出测试结果的合成标准不确定度为4.3%(k=1),满足面阵CCD光谱响应测试精度要求。 相似文献
104.
一种应用于波分复用无源光网络系统中的滤波片-PIN-TIA阵列光接收组件 总被引:1,自引:2,他引:1
设计并实现了一种将密集波分复用(DWDM)薄膜滤波片与光电探测器PIN以及前置放大器TIA集成封装的光接收组件。通过创新设计单模光纤双芯插针和自聚焦透镜的结构,解决了透过密集波分复用滤波片后的反射光偏离轴线带来的耦合问题。并基于该组件实现了32个密集波分复用通道的解复用与信号检测同时完成的波分复用无源光网络(WDM-PON)系统中上行信道阵列接收模块。测试表明模块满足国际电信联盟(ITU-T)中心波长,最小插入损耗为0.3 dB,最大插入损耗为6 dB,响应速率为100 Mbit/s~1.25 Gbit/s。 相似文献
105.
106.
有功功率、无功功率、视在功率和功率因数是电工学中非常重要的基本概念,贯穿电气工程专业课程体系的始终。一些本科教材体系中存在着对这些概念——特别是无功功率概念的模糊引导,导致歧义产生。典型的误解是把电源与负载间存在功率交换视为无功功率产生的必要条件。这种歧义影响了电气工程专业学生及其从业人员对这些概念的理解和应用。本文通过一些典型实例,深入阐释这些概念的内在含义,以期消除歧义,提高教学效果。 相似文献
107.
108.
采用自适应多层快速多极子算法分析电大尺寸组合体的雷达散射截面。推导了组合体表面的积分方程,通过将基函数和权函数分别用不同空间位置上的点源函数展开,自适应多层快速多极子算法实现了阻抗积分的快速计算,通过采用射线传播法,远场近似和对称性计算法则使转移因子的计算效率大大提高,所有转移过程可由快速傅里叶变换计算完成。这种算法计算组合体散射时所需的计算时间和内存显著降低,且数值计算结果和实际测试结果吻合良好。 相似文献
109.
A laser coherent detection system of 1550 nm wavelength was presented,and experimental research on detecting micro-Doppler effect in a dynamic target was developed.In the study,the return signal in the... 相似文献
110.
列阵半导体激光端面抽运Nd∶YVO4绿光激光器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了采用列阵半导体激光端面抽运Nd∶YVO4晶体的KTP腔内倍频绿光激光器。采用多柱透镜法 ,对列阵半导体激光进行了有效整形 ,并利用谐振腔折叠产生的像散 ,实现了抽运光与振荡光较好的模式匹配 ;由于是直接耦合抽运 ,因此保证了半导体抽运光以π偏振光入射Nd∶YVO4(单轴 )晶体 ,实现了半导体抽运光与Nd∶YVO4吸收的偏振匹配。在抽运功率为 9 5W时 ,得到 5 2 0mW的稳定绿光输出 ,光 光转换效率为 5 5 %。 相似文献