首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2151篇
  免费   302篇
  国内免费   544篇
化学   1594篇
晶体学   126篇
力学   7篇
综合类   17篇
数学   1篇
物理学   728篇
无线电   524篇
  2024年   13篇
  2023年   104篇
  2022年   52篇
  2021年   87篇
  2020年   74篇
  2019年   66篇
  2018年   55篇
  2017年   99篇
  2016年   104篇
  2015年   86篇
  2014年   116篇
  2013年   156篇
  2012年   205篇
  2011年   176篇
  2010年   143篇
  2009年   158篇
  2008年   152篇
  2007年   173篇
  2006年   150篇
  2005年   145篇
  2004年   87篇
  2003年   84篇
  2002年   96篇
  2001年   52篇
  2000年   49篇
  1999年   50篇
  1998年   33篇
  1997年   41篇
  1996年   46篇
  1995年   41篇
  1994年   26篇
  1993年   14篇
  1992年   7篇
  1991年   8篇
  1990年   11篇
  1989年   6篇
  1988年   6篇
  1987年   3篇
  1986年   4篇
  1985年   3篇
  1984年   2篇
  1982年   2篇
  1981年   1篇
  1979年   4篇
  1978年   1篇
  1976年   1篇
  1975年   1篇
  1973年   1篇
  1972年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有2997条查询结果,搜索用时 6 毫秒
971.
为了研究稀磁半导体Zn0.95-xBe0.05MnxSe (x分别为0.05,0.10,0.15,0.20)随温度变化的光学特性,采用电场调制反射光谱、表面光电压光谱及光激发荧光光谱等测量技术,进行了理论分析与实验验证,取得了一系列数据。结果表明,除x=0.1的样品外,其它样品的能隙会随Mn掺杂摩尔分数的增加而增大,这是由价带和导电中的电子和Mn中的d层电子彼此交换的相互作用产生的微小位移所致;温度升高时跃迁信号会向低能量方向移动,则是晶格-声子散射效应增加所致。  相似文献   
972.
用脉冲激光沉积方法,以多靶交替溅射方式,在SiO2/Si基底上沉积镱铒共掺Al2O3光学薄膜,讨论了脉冲激光能量对薄膜沉积速率、表面形貌、光致发光强度的影响.在脉冲激光能量较高条件下制备出的薄膜的光致发光性能较好,脉冲激光能量较低条件下制备出的薄膜的表面形貌较均匀.综合放大器增益系数对光致发光强度和光刻工艺对薄膜表面形貌的要求,薄膜应该在合适的激光能量下制备.脉冲激光溅射沉积方法与中频磁控溅射方法相比,在抑制上转换发光方面具有优越性.  相似文献   
973.
孙涛  李强 《微纳电子技术》2012,49(3):208-212
研究了硫化镉(CdS)晶片Cd面的化学机械抛光(CMP)工艺。采用硅溶胶抛光液和NaClO氧化剂,分别使用聚氨脂和磨砂革抛光垫进行粗抛和精抛实验,并研究了氧化剂掺入量、抛光转速、抛光压力等工艺条件对CdS晶片表面质量的影响。结果表明,在抛光液中氧化剂体积分数为6%左右、抛光盘的转速为90~100 r/min、压强为55~60 g/cm2条件下可得到平整度较好、表面缺陷低、表面粗糙度低的高质量抛光表面。金相显微镜和微分干涉显微镜下观测抛光片表面无划痕、无桔皮产生,原子力显微镜测试得到抛光后CdS晶片Cd面的表面粗糙度值仅为0.385 nm。  相似文献   
974.
用反胶束法制备了表面修饰 AOT-SO- 3(磺基琥珀酸双 -2 -乙基己酯钠盐的阴离子 )的 Cd S纳米粒子与表面修饰 Py(吡啶 )的 Cd S纳米粒子。采用背相简并四波混频 (DFWM)的方法研究了它们的三阶光学非线性。结果表明当 Cd S纳米粒子表面上的 AOT-SO- 3被 Py取代后 ,其三阶非线性极化率增加 ,这归于表面修饰 Py的Cd S纳米粒子具有长寿命的表面受陷电子 -空穴分离态 ,从而提高了对激子吸收的漂白效率 ,增加了三阶光学非线性。  相似文献   
975.
高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了采用富Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的新工艺,对所生长的晶体作了X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试.晶体在4400~450cm-1范围内的红外透过率达到50%,截止吸收波长为787.6nm,带隙为1.574eV,室温电阻率达到2×1010Ω·cm,已接近本征Cd0.8Zn0.2Te半导体的理论值.用该晶体制作的核探测器在室温下对241Am和109Cd放射源均有响应,并获得了比较好的241Am-59.5keV吸收谱.结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应用的高阻CZT单晶体的简便有效的新方法.  相似文献   
976.
为解决无铅焊料润湿性差的问题,采用卤化物活性剂松香焊剂,通过实验研究了Sn-9Zn焊料的润湿性。分析讨论了影响Sn-9Zn焊料润湿性的因素,获得了最佳匹配。在镀锡铜片上,有机卤化物+无机卤化物活性剂松香焊剂(#6焊剂)匹配Sn-9Zn焊料获得最佳的润湿性(润湿角为12°),接近Sn-37Pb焊料的润湿性。  相似文献   
977.
报道了一种工作在L波段波长可调的环形腔Er/Yb共掺双包层光纤激光器。利用两段高双折射光纤和两个偏振控制器组成的环形镜作波长选择器件,通过调整环形镜中偏振控制器的状态来改变环形镜对不同波长的反射率以实现某波长的激光输出,使波长调节范围达到60nm,不同波长处激光输出功率的起伏小于0.7dB;采用较长的Er/Yb共掺双包层光纤(EYDF)作增益介质,利用6个976nm激光二极管同时抽运前段Er/Yb共掺双包层光纤所产生的放大自发辐射谱作为二次抽运源,对腔内未被抽运的一段Er/Yb共掺双包层光纤进行抽运,使增益谱移到L波段,实现了L波段可调谐激光器的稳定输出。在最大抽运功率为3594.5mW时,测得抽运入纤功率为2737.37mW,得到最大输出功率300mW,斜率效率为11%的激光输出,所形成激光光谱的3dB带宽为1.8nm,边模抑制比大于38dB。  相似文献   
978.
采用脉冲飞秒激光沉积方法,在石英衬底上制备了CdS薄膜滤波器.研究显示衬底温度在100~600℃范围内变化对CdS薄膜衬底的结构及光学特性有重要影响,在450℃的衬底温度下所生长的CdS薄膜具有较好的结构质量,该薄膜在500nm附近具有较陡的吸收带边及良好的光学滤波性能.  相似文献   
979.
研究了一种小型铒/镱双掺光纤放大器的增益特性。仅用长度为4.2m的Er/Yb双掺光纤作为增益介质,以1064nm Nd∶YAG固体激光器作泵浦源,获得了1530~1560nm区间的30nm(±1dB)平坦增益谱宽。对于1550nm的信号光,泵浦功率为100mW时,小信号增益为27.95dB,饱和输出功率为8.36dBm。  相似文献   
980.
共掺Er3+:Yb3+磷酸盐玻璃光波导激光器的模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
在速率方程和传输方程理论模型的基础上用有限元法和龙格一库塔(RK)算法模拟了共掺Er^2 :Yb^3 的磷酸盐玻璃光波导激光器功率输出特性。理论分析的结果表明用长度较短的重掺杂波导并优化激光器的输出反射镜的反射率时,可以获得较高的功率输出和斜率效率,其抽运阈值也较低。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号