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971.
为了研究稀磁半导体Zn0.95-xBe0.05MnxSe (x分别为0.05,0.10,0.15,0.20)随温度变化的光学特性,采用电场调制反射光谱、表面光电压光谱及光激发荧光光谱等测量技术,进行了理论分析与实验验证,取得了一系列数据。结果表明,除x=0.1的样品外,其它样品的能隙会随Mn掺杂摩尔分数的增加而增大,这是由价带和导电中的电子和Mn中的d层电子彼此交换的相互作用产生的微小位移所致;温度升高时跃迁信号会向低能量方向移动,则是晶格-声子散射效应增加所致。 相似文献
972.
973.
研究了硫化镉(CdS)晶片Cd面的化学机械抛光(CMP)工艺。采用硅溶胶抛光液和NaClO氧化剂,分别使用聚氨脂和磨砂革抛光垫进行粗抛和精抛实验,并研究了氧化剂掺入量、抛光转速、抛光压力等工艺条件对CdS晶片表面质量的影响。结果表明,在抛光液中氧化剂体积分数为6%左右、抛光盘的转速为90~100 r/min、压强为55~60 g/cm2条件下可得到平整度较好、表面缺陷低、表面粗糙度低的高质量抛光表面。金相显微镜和微分干涉显微镜下观测抛光片表面无划痕、无桔皮产生,原子力显微镜测试得到抛光后CdS晶片Cd面的表面粗糙度值仅为0.385 nm。 相似文献
974.
用反胶束法制备了表面修饰 AOT-SO- 3(磺基琥珀酸双 -2 -乙基己酯钠盐的阴离子 )的 Cd S纳米粒子与表面修饰 Py(吡啶 )的 Cd S纳米粒子。采用背相简并四波混频 (DFWM)的方法研究了它们的三阶光学非线性。结果表明当 Cd S纳米粒子表面上的 AOT-SO- 3被 Py取代后 ,其三阶非线性极化率增加 ,这归于表面修饰 Py的Cd S纳米粒子具有长寿命的表面受陷电子 -空穴分离态 ,从而提高了对激子吸收的漂白效率 ,增加了三阶光学非线性。 相似文献
975.
高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了采用富Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的新工艺,对所生长的晶体作了X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试.晶体在4400~450cm-1范围内的红外透过率达到50%,截止吸收波长为787.6nm,带隙为1.574eV,室温电阻率达到2×1010Ω·cm,已接近本征Cd0.8Zn0.2Te半导体的理论值.用该晶体制作的核探测器在室温下对241Am和109Cd放射源均有响应,并获得了比较好的241Am-59.5keV吸收谱.结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应用的高阻CZT单晶体的简便有效的新方法. 相似文献
976.
977.
报道了一种工作在L波段波长可调的环形腔Er/Yb共掺双包层光纤激光器。利用两段高双折射光纤和两个偏振控制器组成的环形镜作波长选择器件,通过调整环形镜中偏振控制器的状态来改变环形镜对不同波长的反射率以实现某波长的激光输出,使波长调节范围达到60nm,不同波长处激光输出功率的起伏小于0.7dB;采用较长的Er/Yb共掺双包层光纤(EYDF)作增益介质,利用6个976nm激光二极管同时抽运前段Er/Yb共掺双包层光纤所产生的放大自发辐射谱作为二次抽运源,对腔内未被抽运的一段Er/Yb共掺双包层光纤进行抽运,使增益谱移到L波段,实现了L波段可调谐激光器的稳定输出。在最大抽运功率为3594.5mW时,测得抽运入纤功率为2737.37mW,得到最大输出功率300mW,斜率效率为11%的激光输出,所形成激光光谱的3dB带宽为1.8nm,边模抑制比大于38dB。 相似文献
978.
979.
980.
共掺Er3+:Yb3+磷酸盐玻璃光波导激光器的模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
在速率方程和传输方程理论模型的基础上用有限元法和龙格一库塔(RK)算法模拟了共掺Er^2 :Yb^3 的磷酸盐玻璃光波导激光器功率输出特性。理论分析的结果表明用长度较短的重掺杂波导并优化激光器的输出反射镜的反射率时,可以获得较高的功率输出和斜率效率,其抽运阈值也较低。 相似文献