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921.
922.
数值模拟研究半导体断路开关的电流截断特性 总被引:1,自引:1,他引:0
半导体断路开关(SOS)效应的发现,促进了全固态脉冲功率源技术的发展和应用。采用一维流体模型,利用SOS数值模拟程序对SOS二极管P^+-P-N-N^+结构的电流截断特性进行了数值模拟研究。研究了SOS二极管P区扩散深度、外电路参数对SOS电流截断特性的影响。结果表明:P区扩散深度、次级储能电容C2、反向泵浦电感L^-的大小对SOS的反向电流截断时间均有较大影响;随着次级储能电容和反向泵浦电感的增大,电流截断时间增大,反向电流峰值和反向电压峰值减小。该研究对SOS二极管工艺设计和外电路优化设计具有理论意义和实用价值。 相似文献
923.
924.
宽禁带半导体功率器件在现代雷达中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
现代战争对雷达性能的要求日益提高,基础材料、工艺和元器件的飞速发展,促进了雷达技术的不断进步.宽禁带半导体功率器件的出现,使得雷达发射机乃至雷达性能的大幅度提升成为可能.文中简要介绍了现代雷达对大功率发射机的迫切需求,结合宽禁带半导体器件的特点,阐述了该类器件的发展现状,给出了发展趋势及应用展望. 相似文献
925.
850nm大功率垂直腔面发射激光器 总被引:2,自引:1,他引:1
针对传统顶发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)的散热、电极生长以及Au丝引线等难题,研究了一种非闭合型的大功率VCSEL结构,不仅解决了上述问题,还简化了工艺步骤,避免了一些工艺对已形成器件结构造成的损伤,提高了激光器的可靠性以及电流注入效率。利用该结构制作的激光器室温下连续输出最大功率达到46 mW,激射波长为849.5 nm,激射光谱半高宽(FWHM)为0.6 nm;在150 mA的注入电流下,发散角为10°。在室温5、0μs脉冲条件下,测得的最高输出光功率为69 mW。 相似文献
926.
介绍了远泵放大器大功率泵浦光传输技术的实验研究,该技术应用在大跨距无中继光纤传输系统中,采用G.652光纤,构成了速率为2.5Gb/s、跨距为507km的大跨距无中继光纤传输系统。 相似文献
927.
龚欣 《电子产品可靠性与环境试验》2010,28(5):23-28
结构分析作为一种可靠性评估方法,它通过分析元器件的设计和结构工艺来确定元器件是否存在潜在的失效机制,对于高可靠应用领域元器件的质量保证起着重要的作用。DC/DC电源模块是航天器广泛使用的重要元器件,它的长期可靠性和稳定性直接关系着航天器的在轨安全。对航天用DC/DC电源模块的结构分析方法进行了研究,并给出了它的关注点和试验方法及其重要的判据,为航天用DC/DC电源模块的结构分析提供重要的指导。 相似文献
928.
吴洁 《电子产品可靠性与环境试验》2010,28(3):37-42
电压波动和闪烁测量是电子电器产品EMC测量和电能质量检测中的一个重要项目,但电压波动和闪烁测量仪的校验一直是一个难题,多数校准实验室并不具备相应的能力,行业中也普遍忽视该仪器的校准与验证。依据实验室量值溯源的要求,分析电压波动和闪烁测量项目中需要校准的参数及其准确度要求,介绍了电压波动和闪烁测量仪的校准方法,以及实验室如何进行验证的方法。 相似文献
929.
930.
本文在对比了电压型和电流型PWM整流器的基础上,采用模块化设计思想设计了一种具有工程实用性的三相电压型PWM整流器,包括主电路、驱动电路、检测电路及保护电路的设计,并利用MATLAB进行相关仿真,仿真结果表明本方案达到提高功率因素的目的。 相似文献