一种新型多场点智能温度检测器的设计

针对传统单一场点的测温系统无法同时获取多个场点的温度,设计一种STC12C5410AD单片机组网的多场点智能温度检测器。主控机通过命令获取各场点的温度,并显示在液晶屏S6A0069上,温度超标时报警。详细给出系统的硬件与软件设计过程。实验证明该监测器能准确智能地检测出各场点的温度并进行实时显示,显示温度可精确到0．01℃。     

基于硬件构件的嵌入式系统低功耗研究

降低系统功耗不仅要考虑硬件方面的因素,同时也要分析因软件引起的功耗。为了降低系统整体功耗,首先需要明确影响系统功耗的软硬件因素。在硬件方面,通过对硬件构件进行选择、设计和整合等方法降低功耗;软件方面则是重点优化与功耗密切相关的要素,如算法、指令与方法等。这些因素往往是相互制约、相互影响的。设计一个成功的低功耗系统,需要通过分析与实验,明确一个以硬件构件为思想的嵌入式系统低功耗设计时所需考虑的一些问题。     

功率模块的验收测试

雷达固态发射机单元大量使用功率模块,其具有用量大、品种多、技术指标高、测试复杂等特点,合格的单元模块对实现分系统乃至整机的性能具有十分重要的意义,规范验收测试流程,可从源头保证产品质量。文中从实际测试验收角度对验收测试的资料、系统、流程及误差等几方面进行了论述并作了有益的探讨。     

红外成像在羽流撞击平板热效应试验中的应用

为了研究发动机羽流撞击平板的热效应,通过在风洞内建立羽流流场,利用红外热像仪测量平板模型的表面温度,进而获得不同推力产生的羽流撞击平板的热流率分布.首先回顾了高空羽流污染及其效应研究所开展的工作,接着介绍了试验研究所使用的高超声速低密度风洞、红外热像仪等主要仪器设备的性能参数以及平板模型的外形特征,其次给出了2 N与10 N推力的试验条件、热流处理方法、试验结果及其讨论.最后研究了推力喷管轴线与平板距离变化对羽流撞击平板的热效应影响.结果表明:发动机喷管轴线与平板的距离不同,羽流撞击产生的高热流率区域的位置与大小也不相同,距离越小,高热流区域越靠近平板前缘,产生的热效应也越强.     

电源线滤波器对电子设备EMC影响分析

针对电子设备在电磁兼容(Electromagnetic Compatibility,EMC)测试中遇到的问题,从电源线滤波器内部电路入手,分析了电源线滤波器对电子设备EMC性能的影响。描述了如何根据电子设备内部电路、使用条件,尤其是输入端电路特性,对电源线滤波器的阻抗特性、插入损耗等参数进行正确选择。对于影响电子设备EMC性能的电源线滤波器的安装方法进行了分析、讨论,列举了2个实际测试例子,并对整改措施进行描述和分析。     

不需要特征值分解的几种幂迭代算法研究

针对MUSIC算法中协方差矩阵特征值分解运算量大,难以在嵌入式系统中实现的问题,分析了普通幂迭代算法、逆幂迭代算法和特征值平移幂迭代算法3种幂迭代算法,比较了它们的优缺点。并且考虑到麦克风阵列采集到的声信号为宽带信号,分析了阵元间距选择的影响。并用计算机仿真来验证,在选择合适阵元间距的基础上选取特征值平移幂迭代算法可以代替特征值分解,降低了运算的复杂度。     

一种面向多媒体SOC的微状态低功耗设计方法

针对目前移动多媒体SOC设计中日益突出的功耗问题,结合传统的动态功率管理和动态频率调整中的负载预测和反馈控制两种方法,同时利用系统中各类IP和设计模块的可配置特性,提出了一种基于微状态的面向多媒体应用SOC的系统级低功耗设计方法。该方法以F-ARIMA过程作为负载预测模型,以最后期限缺失率作为反馈控制信号来实现系统实时动态在微状态之间进行切换,从而尽可能使得负载能均匀分布于运行期间。该方法在保证多媒体服务质量(QOS)的同时,有效降低了系统功耗。     

低温漂高PSRR新型带隙基准电压源的研制

利用带隙电压基准的基本原理,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路,设计了一种新型基准电压源。获得了一个低温度系数、高电源抑制比的电压基准。通过对输出端添加运算放大器,把带隙基准电路产生的1.2 V电压提高到3.5 V,提高了芯片性能。用Cadence软件和CSMC的0.5μm CMOS工艺进行了仿真,结果表明,当温度在-20～+120℃,温度系数为9.3×10-6/℃,直流时的电源抑制比为-82 dB。该基准电压源能够满足开关电源管理芯片的使用要求,并取得了较好的效果。     

用于12 bit 40 MS/s低功耗流水线ADC的采样保持电路

设计了一个可降低12 bit 40 MHz采样率流水线ADC功耗的采样保持电路。通过对运放的分时复用,使得一个电路模块既实现了采样保持功能,又实现了MDAC功能,达到了降低整个ADC功耗的目的。通过对传统栅压自举开关改进,减少了电路的非线性失真。通过优化辅助运放的带宽,使得高增益运放能够快速稳定。本设计在TSMC0.35μm mix signal 3.3 V工艺下实现,在40 MHz采样频率,输入信号为奈奎斯特频率时,其动态范围(SFDR)为85 dB,信噪比(SNDR)为72 dB,有效位数(ENOB)为11.6 bit,整个电路消耗的动态功耗为14 mW。     

低于1×10-6/℃的低压CMOS带隙基准电流源

提出了一种新颖的CMOS带隙基准电流源的二阶曲率补偿技术,通过增加一个运算跨导放大器(OTA),使带隙基准参考电路的电流特性与理论分析相符合,实现低温度系数(TC)的参考电流。该电路采用SMIC0.13μm标准CMOS工艺,可在1.2 V的电源电压下工作,有效面积为0.045 mm2。仿真结果表明,在-40～85℃温度范围内参考电流的温度系数为0.5×10-6/℃;当电源电压为1.1 V时,电路依然可以正常工作,电源电压调整率为1 mV/V。