Reducing leakage power with BTB access prediction

This paper investigates three architectural methods to reduce the leakage power dissipated by the BTB data array. The first method (called here window) periodically places the entire BTB data array into drowsy mode. A drowsy entry is woken up by the first access in the time interval and remains active for the remainder of the interval (window). There is an associated performance loss which is related to the size of the window, since there is a delay when a specific line must be woken up. The second method, awake line buffer (ALB), limits the number of active BTB entries to a predetermined maximum. While this reduces power dissipation it comes with a performance penalty that is relative to the size of the buffer. ALB, however, reduces the power dissipation of the data array more than the window method. The third method, 2-level ALB (2L-ALB), uses a two level buffer with the identical number of combined entries as the previous method. This method exploits the fact that many branches operate numerous times in a fixed sequence. By predicting the next BTB access, 2L-ALB achieves further reduction in leakage power without incurring any further performance loss, compared to the ALB method.     

几种不同模型参数估计法的性能分析

现代谱估计方法克服了经典谱估计方法方差大、分辨率低的缺点。参数模型功率谱估计是现代谱估计法的重要内容。介绍了几种常用的功率谱参数估计模型,通过仿真实例比较了其性能,对模型阶次的选择进行了分析和讨论,对实际工程应用有一定参考价值。     

一种基于大功率LED的光源可控的PDT反应室设计与实现

以光动力疗法基本知识为背景,根据光动力疗法的需求,设计了一个光功率便于调节的PDT反应室,首先,对PDT反应室中关键部分,产生光波的光源进行了研究与分析,对比各种光源的优缺点,确定了本设计要采用的光源——大功率LED;然后对反应室的电源电路,控制电路和LED驱动电路进行设计,用桥堆整流加电容滤波的原理制作出一个直流电源,为后续电路提供稳定的直流电压;采用单片机编程,通过键盘输入,控制输出高低电平的时间来控制LED驱动芯片的使能端,从而控制LED的点亮与熄灭的时间;选用芯片DD311作为本设计的LED驱动芯片,通过调节电路中的可调电阻,可调节LED的亮度,从而改变PDT反应室的提供的光照度。最后,对本装置的主要技术指标进行了测量。     

数字电路中电源电压瞬间下降的成因及改进

通过分析数字集成芯片多输出中电源电压瞬间下降的原因,对常规驱动电路结构进行改进。改进后单输出电路的峰值电流降为原来的2/3,再通过优化版图的电源布线,能有效防止电源电压下降,使芯片正常稳定地工作。     

灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究

功率器件的过流保护是提高灵巧功率集成电路可靠性的关键,采用不同的电流检测方法会有不同的误差。通过对功率MOSFET的电流检测技术的研究,对比分析了几种常用的电流感知方法,重点阐述了应用在灵巧功率集成电路中感知高压功率器件电流的SenseFET结构的工作原理,并分析了影响电流检测准确度的误差源。可以为设计高性能的电流检测过程提供参考。     

高频大功率SiGe/Si HBT的设计

详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等.并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议.     

A Low Power SRAM/SOI Memory Cell Design

提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元. 基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析，设计单元结构并选取结构参数. 该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOS SRAM单元中的pMOS元件，具有面积小、工艺简单的优点. 该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作，与6管单元相比，该单元瞬态响应正常，功耗只有6管单元的1/10，满足低压低功耗的要求.     

基于对数比率放大电路的光功率测量

光功率测量是光纤通信系统最基本的测试参数之一。本文提出一种基于对数比率放大电路的光功率测量方法,相对于线性放大电路具有控制简单、动态范围大和线性度好的优点,是光缆在线监测的最佳选择。     

经纬仪伺服功率级现状和发展趋势

介绍了伺服功率级的现状,在此基础上得出了伺服驱动及控制技术的发展方向,并结合实际运用情况,提出了设计多功能的通用功率级的设计思路和实施方案。     

改善增益平坦度的新型InGaP/GaAs HBT功率放大器单片设计

介绍了一款应用于3GHz通信的基于改进增益平坦度的功率放大器设计,其由商用InGaP/GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺制作.为了以简单方式改善增益平坦度,除了耦合旁路电容以及射频扼流圈外,在实际电路中没有加入额外部件.其测量线性增益为23dB,大信号增益平坦度为±0.25dB,非常贴近仿真和日标值.此两级功放400MHz带宽下的输出线性功率为31dBm,增益附加效率为44%.本电路通过良好的失真补偿电路和扼流圈模型的使用,成功地改善了增益平坦度.