靶丸表面缺陷对功率谱影响的数值模拟

 对ICF靶丸表面“颗粒状”缺陷与功率谱的关系进行了理论研究,采用Matlab软件,数值模拟分析了靶丸表面颗粒的高度、粒径、分布、颗粒数目以及随机噪声等对功率谱曲线的影响。数值模拟结果表明：靶丸表面缺陷对功率谱影响较大,缺陷高度的增加、粒径的减小以及数目的增加都会导致功率谱起伏增大;同时,缺陷高度导致的功率谱起伏变化比缺陷粒径对功率谱的影响更为严重,而缺陷数目的增加不但导致功率谱起伏的增大,同时也引起功率谱曲线中呈现一些周期性的特征。     

模数混合阵下的鲁棒MVDR波束形成器

随着毫米波及大规模天线阵列技术在5G中使用,波束赋形算法复杂度、射频端器件数量都随之飙升,导致实际应用成本过高,模数混合天线阵列是降低大规模天线阵列硬件复杂度的一种解决方案.但常用的波束赋形算法无法直接应用于模数混合天线阵列结构,故文中提出了一种模数混合天线阵下的鲁棒MVDR波束形成器,可以很好地对抗实际场景下各类加性...     

用于时间交织ADC的高精度开环跟踪保持电路设计

给出了一种适用于时间交织模数转换器（TI-ADC）的高速、高精度前端开环跟踪／保持（T＆rI）电路的设计方法。该方法针对开环电路本身的线性度比较差的特点,采用自举开关设计了一种高增益、高带宽的加强型源级跟随器,从而改善了开环电路的线性度,降低了功耗．并可在400MHz的采样频率和799．8047MHz的输入信号下,获得58．7dB的无杂散动态范围（SFDR）和9．5位的有效精度以及10．56mw的低功率消耗。     

SOC芯片并行测试中几个值得关注的问题

介绍了提高测试效率的SOC芯片在片测试的两种并行测试方法,结合上海集成电路技术与产业促进中心的多个实际的SOC芯片测试项目中所积累的成功经验,针对多工位测试和多测试项目平行测试这两种并行测试方法,主要阐述了在SOC芯片的并行测试中经常遇到的影响测试系统和测试方法的问题,提出了在SOC芯片在片测试中的直流参数测试、功能测试、模数/数模转换器(ADC/DAC)测试的影响因素和解决方案,并对SOC芯片在测试过程中经常遇到的干扰因素进行分析,尽可能保证SOC芯片在片测试获得的各项性能参数精确、可靠.     

一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型

单粒子效应是当前集成电路抗辐射加固的研究重点之一.根据空间辐射粒子特点,提出一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型,该模型利用Weibull函数对瞬时脉冲直接进行电路级描述.实验证明,该模型与传统器件级电流注入脉冲模型的SER统计数据拟合度高达98.41%,同时可将电路模拟时间缩短3个数量级,在高速超大规模集成电路的单粒子效应研究中,具有明显的模拟速度优势,为深亚微米级的抗辐射加固研究提供了坚实的理论基础.     

功耗及信噪比双重约束下∑△模数调制器积分器优化

针对前馈级联∑△模数调制器结构,详细分析了调制器信噪比及功耗与Class-A类运算放大器构成的各级积分器等效输入噪声功率及功耗间相互关系,并在此基础上提出对于给定调制器信噪比及功耗双重约束的前馈级联∑△模数调制器各级积分器参数参考值的优化选取,包括:采样电容、开关导通电阻、输入晶体管宽长比等,从而有利于低功耗高精度∑△模数调制器设计者确定满足给定功耗和信噪比双重约束的∑△模数调制器优化设计方案,指导晶体管级电路设计,缩短设计周期.     

软质齿轮影像法测量及系统误差和随机误差分析

通过实验了解影像法测量时的误差特性,分别对塑料、木质等软质齿轮公法线及模数在数显投影仪进行测量,并对实验数据进行分析处理,得到测量的系统误差主要来自测量时零线的对齐误差,通过对比检定法计算得出。随机误差主要来自于测量人员对齿廓的瞄准误差,通过A类不确定度进行计算得出。另外测量仪器的不确定度,按B类不确定度计算,由于其远小于A类不确定度,故忽略不计。对比塑料齿轮和木质齿轮测量的结果,得出软质齿轮测量的随机误差与材料、加工特性及表面质量相关的特点。木质齿轮的加工变形小于塑料齿轮,而且加工后齿廓表面质量较好,使得木质齿轮测量的随机误差小于塑料齿轮的随机误差。     

逆Weibull分布随机变量的随机比较

研究了两个相互独立的逆Weibull分布随机变量间的随机序,似然比序,危险率序以及凸序之间的相互关系,给出了两个相互独立但不同分布的随机变量满足各种随机序时其分布所含参数间的相应关系．也给出了两组相互独立但不同分布的随机变量极值间在一般随机序下的大小关系．