一类特殊Weibull分布纪录值之和的中心极限定理

给出了参数τ为正整数的倒数为Weibull分布纪录值之和的中心极限定理。     

FN应力下超薄栅N-MOSFET失效的统计特征及寿命预测

通过对不同氧化层厚度的N-MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究,发现栅电压漂移符合Weibull分布.Weibull分布统计分析表明,5.0、7.0和9.0nm器件在27和105C下本征失效的形状因子相同,即本征失效的失效机制在高低温度下相同.非本征失效的比例随温度升高而增大.在此基础上得出平均寿命(t50)与加速电场E成指数关系,进而提出了器件的寿命预测方法.此方法可预测超薄栅N-MOSFET在FN应力下的寿命.     

基于核电子学实验教学用的模数变换电路研制

介绍了一种基于核电子学实验教学用的模数变换电路的研制。在设计中,以单极型、16位、采样率为500k Hz,微功耗采样模数转换器ADS8322为核心,将采样保持电路输出的模拟信号转换为数字信号,通过发光二极管显示变换出的结果,在核物理实验教学过程中便于学生观察模数转换结果。在PCB板设计时在板正面绘制出了电路原理图,理解电路原理及构成。该电路也可以配合逻辑控制模块以及PC软件组成多道分析系统测量射线能谱。     

ON GENERALIZED ORDERS AND GENERALIZED TYPES OF DIRICHLET SERIES IN THE RIGHT HALF-PLANE

In the paper, generalized orders and generalized types of Dirichlet series in the right half-plane are given. Some interesting relationships on maximum modulus, the maximum term and the coefficients of entire function defined by Dirichlet series of in the right half-plane are obtained.     

用Weibull分布函数选取陶瓷金属化的配方

介绍如何结合运用Weibull分布函数来选取陶瓷金属化配方的方法,从本文的试验结果可知,对陶瓷金属化配方的选取应该结合平均封接强度和Weibull模数两个指标进行选取。     

一种高精度模数混合温度补偿晶体振荡器

提出了一种对石英晶体振荡器进行温度补偿的模数混合方法.该补偿芯片基于0.18μm标准CMOS工艺实现.采用模拟补偿网络和基于非挥发存储器的数字补偿网络相叠加的方法,对晶体振荡器进行间接补偿,实现了数模混合的片式化,降低了存储器的容量.该方法不需要高压CMOS和EEPROM浮栅器件,降低了工艺成本和功耗.补偿结果显示,温度频率稳定度达到10-7/-40℃～85℃,系统功耗为1.79 mA@1.8 V.     

有线数字电视整转后分区域关模的实施方式

如何提高整转率,降低关模工作带来的影响,是有线电视数字化要面对的重要问题。本文结合扬州市城区关模的实践,重点介绍了扬州分区域、分批次关模的实施方案。     

影响光纤寿命因素的探讨

为了预测光纤的寿命,对光纤寿命的影响因素(Weibull指数m,疲劳指数n,强度保持因子B)进行了详尽地探讨.如要获得高强度、使用寿命长(强度衰退慢)的光纤,就要充分注意光纤制作的每一环节,以期提高Weibull指数m;并合理地使用密封被覆技术提高光纤的疲劳指数n.     

内扩散对煤和石油焦水蒸气气化反应性能的影响

以内蒙褐煤、神府烟煤、遵义无烟煤和石油焦为研究对象,借助热重分析仪,进行了水蒸气气化动力学研究,得到了4种样品焦的本征动力学方程,分析了水蒸气分压和粒径对气化反应的影响。基于幂函数模型得到的动力学参数,结合气固催化理论,提出了计算内扩散效率因子(η)的方法。计算效率因子(ηcal)和实验效率因子(ηexp)的对比结果表明,使用该方法得到的内扩散效率因子可以用于定量评估水蒸气气化反应中内扩散过程的影响程度。     

Weibull变质率和短缺量拖后的易变质物品EOQ模型

基于需求和采购价格均为时变的EOQ模型,考虑物品的变质率呈更符合现实情况的三参数Weibull分布,同时考虑短缺量拖后和资金时值对易变质物品库存管理的影响,构建了相应的EOQ模型.应用数学软件Matlab对该库存模型进行仿真计算和主要影响参数的灵敏度分析.结果表明,该模型存在最优解,且各主要影响参数对最优库存控制各有不同程度的影响,资金时值对库存总成本净现值的影响程度要甚于短缺量拖后的影响,故在制定科学的库存策略时资金时值需要更加关注.